一种单相非隔离MOSFET并网逆变器的制作方法

文档序号:16243663发布日期:2018-12-11 23:21阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明提供一种单相非隔离MOSFET并网逆变器,包括六个开关管、两个二极管,在全桥电路的基础上增加了两个二极管和两个开关管,适用于光伏发电系统,在续流阶段使光伏板和电网断开。本发明电路可以有效的解决逆变环节中由于不采用变压器而造成的共模漏电流问题,同时由于续流阶段电流不流经体二极管,因此MOSFET器件可以使用,降低了由于IGBT器件关断时由于拖尾电流造成的关断损耗,且SiC二极管可以替代普通二极管,反向恢复的损耗可以得到很好的抑制。因此本发明电路能够有效的抑制共模漏电流,同时提高并网发电系统的效率。

技术研发人员:肖文勋;胡建雨;张波;黄子田
受保护的技术使用者:华南理工大学
技术研发日:2018.09.30
技术公布日:2018.12.11
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