一种输入浪涌电流抑制电路的制作方法

本发明属于电源技术领域，具体涉及一种用于抑制输入启动冲击电流的输入浪涌电流抑制电路。

背景技术：

电源输入整流滤波采用了电容，由于电容电压不能突变的特性，所以在上电时如果没有限流措施，仅靠esr等寄生参数抑制启动电流，该峰值电流远大于稳态输入电流，会影响供电电源供电品质，进而可能影响二次电源的正常工作，造成器件电流参数选型远大于正常工作电流，由此提高了成本，甚至造成器件损坏。

以往抑制电容上电电流采用的是电容串联功率电阻的方式实现，但是该方法有以下不足之处：其一，功率电阻体积较大，不可能在所有的电容上都串联电阻；其二，串联功率电阻增加了电源的输入阻抗，可能造成大功率电源不能稳定工作。

技术实现要素：

(一)要解决的技术问题

本发明提出一种输入浪涌电流抑制电路，以解决电源输入普遍存在的启动冲击电流大，而现有抑制方法存在一定局限性的技术问题。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提出一种输入浪涌电流抑制电路，该电路包括pnp型三极管q1给电容c1充电，pnp型三极管q1的集电极通过电阻r4接地，电阻r3与电阻r4串联接在供电电源的正负极之间，电阻r3、电阻r4为p沟道场效应晶体管q2的g极提供稳定电位，p沟道场效应晶体管q2的s极和d极分别与供电电源和二次电源的正极相连，当pnp型三极管q1关断后，电阻r4为电容c2提供放电回路，p沟道场效应晶体管q2的g极与pnp型三极管q1的集电极、电阻r3、电阻r4以及电容c2的一端相连，电阻r5与p沟道场效应晶体管q2的d极、电容c2的另一端以及二次电源的正极相连；电容c2、电阻r3、电阻r4和电阻r5决定二次电源供电的上升率。

进一步地，电阻r1的阻值为47kω，电阻r2的阻值为33kω，电阻r3的阻值为47kω，电阻r4的阻值为33kω，电阻r5的阻值为470ω，电容c1为0.1uf，电容c2为0.1uf。

进一步地，pnp型三极管q1的型号为2n3251a。

进一步地，p沟道场效应晶体管q2的型号为irfp9130。

(三)有益效果

本发明提出的抑制输入启动冲击电流的输入浪涌电流抑制电路，包括充电电路，分压电路，开关电路及驱动电路。该电路输入端是供电电源，输出端是二次电源的相关电路，其中包含储能及滤波电容，随着供电电源启动上电，充电电路给该电路的电容充电，此时输入电源瞬间冲击电流几乎没有，然后驱动电路的电容放电，开关电路随之导通，该电路输出电压随之上升，从而有效抑制启动冲击电流。本发明通过较简单的电路代替以往大体积功率电阻抑制电容充电电流，解决了由于串联功率电阻增加电源的输入阻抗而可能造成的大功率电源不能稳定工作的问题。

附图说明

图1为本发明实施例的输入浪涌电流抑制电路的电路结构图。

具体实施方式

为使本发明的目的、内容和优点更加清楚，下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。

本实施例提出一种输入浪涌电流抑制电路，其电路结构如图1所示。该输入浪涌电流抑制电路包括充电电路、分压电路、开关电路和驱动电路。其中，充电电路由电阻r1、电阻r2、电容c1和pnp型三极管q1组成；分压电路由电阻r3和电阻r4组成；开关电路由p沟道场效应晶体管q2组成；驱动电路由电容c2和电阻r5组成。

其中，电阻r1和电容c1串联接在供电电源的正负极之间；电阻r1和电容c1之间的连接点通过电阻r2串接到pnp型三极管q1的基极；电阻r1、电容c1以及电阻r2组成的rc电路使pnp型三极管q1在供电电源上电固定时间后关断，pnp型三极管q1的发射极接供电电源的正极，当供电电源上电时，通过pnp型三极管q1给电容c1充电，pnp型三极管q1的集电极通过电阻r4接地，电阻r3与电阻r4串联接在供电电源的正负极之间，电阻r3、电阻r4为p沟道场效应晶体管q2的g极提供稳定电位，p沟道场效应晶体管q2的s极和d极分别与供电电源和二次电源的正极相连，当pnp型三极管q1关断后，电阻r4为电容c2提供放电回路，p沟道场效应晶体管q2的g极与pnp型三极管q1的集电极、电阻r3、电阻r4以及电容c2的一端相连，电阻r5与p沟道场效应晶体管q2的d极、电容c2的另一端以及二次电源的正极相连；电容c2、电阻r3、电阻r4和电阻r5决定二次电源供电的上升率。

当供电电源输入电压快速建立，电容c1被电阻r1、电阻r2以及pnp型三极管q1组成的支路充电，pnp型三极管q1导通，电容c2充电，p沟道场效应晶体管q2的g极电压和s极电压相差很小，pnp型三极管q1的基极电压接近输入电压，pnp型三极管q1关断，电容c2缓慢放电，p沟道场效应晶体管q2的d极电压上升，即输出电压上升，上升率由电容c2、电阻r3、电阻r4和电阻r5决定，而且当输入有瞬间的由低到高的电压突变时，p沟道场效应晶体管q2可以钳位输出电压保护二次电源。

在本实施例中，电阻r1阻值为47kω，电阻r2阻值为33kω，电阻r3阻值为47kω，电阻r4阻值为33kω，电阻r5阻值为470ω，电容c1为0.1uf，电容c2为0.1uf，pnp型三极管q1的型号为2n3251a，p沟道场效应晶体管q2的型号为irfp9130。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。

技术特征：

技术总结
本发明属于电源技术领域，具体涉及一种用于抑制输入启动冲击电流的输入浪涌电流抑制电路。该输入浪涌电流抑制电路，包括充电电路，分压电路，开关电路及驱动电路。该电路输入端是供电电源，输出端是二次电源的相关电路，其中包含储能及滤波电容，随着供电电源启动上电，充电电路给该电路的电容充电，此时输入电源瞬间冲击电流几乎没有，然后驱动电路的电容放电，开关电路随之导通，该电路输出电压随之上升，从而有效抑制启动冲击电流。本发明通过较简单的电路代替以往大体积功率电阻抑制电容充电电流，解决了由于串联功率电阻增加电源的输入阻抗而可能造成的大功率电源不能稳定工作的问题。

技术研发人员：雷哲毅
受保护的技术使用者：天津津航计算技术研究所
技术研发日：2018.11.19
技术公布日：2019.03.22