本实用新型涉及高压变频器技术领域，具体涉及一种高压变频器功率单元旁路装置。
背景技术：
高压变频器普遍应用于工业控制领域，单元级联的高压变频器以期输出容量大、输出电压谐波量小、单元设计模块化易于装配与维护等特点受到广大用户的喜爱。
级联式高压变频器的每一相均是由若干的功率单元串联组成，如果其中的某个功率单元有故障，则高压变频器就不能运行，这样就影响用户的正常生产，特别是对于那种要求不能随便停机的用户来说就会造成重大损失；此时，如果高压变频器带有功率单元旁路功能，在某个单元发生故障时，可以通过功率单元旁路功能将有故障的功率单元旁路掉，这样变频器还能够正常运行，可以减少用户的损失。
现今，大多高压变频器功率单元旁路的设计师在功率单元的输出端并联一个共发射极的双管IGBT或者一个接触器，此设计也能完成功率单元旁路功能，但是制造成本太高。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种高压变频器功率单元旁路装置，用于解决功率单元旁路问题，而且不会增加制造成本；
为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种功率单元旁路装置，包括三个电容器、即C1-C3，四个IGBT、即IGBT1-IGBT4(其中每个IGBT 包括绝缘栅双极晶体管Q和反并快恢复二极管S)。
其中，所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT3串联成的第一线路与所述绝缘栅双极晶体管IGBT2与IGBT4串联成的第二线路并联；
所述高压变频器功率单元旁路装置的输入端/输出端位于所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与IGBT2之间，和所述高压变频器功率单元旁路装置的输出端/ 输入端位于所述绝缘栅双极晶体管IGBT3与IGBT4之间；
所述电容器C1-C3依次串联成线路与所述绝缘栅双极晶体管IGBT1与 IGBT2串联成的线路以及所述绝缘栅双极晶体管IGBT3与IGBT4串联成的线路并联。
其中，所述绝缘栅双极晶体管IGBT1的发射极连接至所述绝缘栅双极晶体管IGBT2的集电极；
所述绝缘栅双极晶体管IGBT3的发射极连接至所述绝缘栅双极晶体管 IGBT4的集电极；
所述绝缘栅双极晶体管IGBT1和所述绝缘栅双极晶体管IGBT3的集电极连接至所述电容器C1的正极；
所述绝缘栅双极晶体管IGBT2和所述绝缘栅双极晶体管IGBT4的发射极连接至所述电容器C3的负极。
相比于现有技术，本实用新型所述的高压检测装置具有以下优势：本实用新型采用的功率单元旁路装置，由于采用功率单元逆变侧的IGBT模块实现旁路功能，不需要额外增加功率器件，在制造成本上有巨大优势；另外单元结构与不带旁路功能的功率单元可以保持一致，在制造的流程与工艺上也有优势。
附图说明
附图1为与本发明实施例一致的功率单元旁路装置总体原理图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型做更加详细的描述。
本实用新型功率单元旁路装置，当单元发生故障需要旁路时，发控制命令使IGBT1和IGBT3同时导通或者使IGBT2或者IGBT4同时导通。
如果IGBT1和IGBT3同时导通时：1、假设电流从L1流入L2流出时，电流的流通路径为L1—S1—Q3—L2；2、假设电流从L2流入L1流出时，电流的流通路径为L2—S3—Q1—L1；
如果IGBT2和IGBT4同时导通时：1、假设电流从L1流入L2流出时，电流的流通路径为L1—Q2—S4—L2；2、假设电流从L2流入L1流出时，电流的流通路径为L2—Q4—S2—L1；
当功率单元旁路时，以上两种导通方式人选一种即可；这种旁路方式的旁路装置使用逆变侧IGBT模块，无须增加器件，节约成本，不需要改动单元结构与制造工艺。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。