技术总结
本实用新型公开了一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，包括ESD防护模块、限流电阻以及双向背靠背二极管等，NMOS管的栅极通过电阻R1接地GND；NMOS管的源极接地GND；NMOS管的漏极作为保护电路的电压输入端VIN，并连接限流电阻RLIM的一端，限流电阻RLIM的另一端连接二极管DIODEN的负极和二极管DIODEP的正极，并作为保护电路的电压输出端VOUT，二极管DIODEN的正极接地GND；二极管DIODEP的负极接电源VDD。针对数据采集系统中可能出现的异常输入电压，设计一种简洁高效的输入保护电路，兼顾过压钳位保护和ESD保护，实现对于正向或异常输入电压的钳位及电流限制，以保护内部CMOS器件的安全工作。
技术研发人员：张金箭;廖小海;郭亮杰;鲁文高;陈光毅;王慧;王恒彬
受保护的技术使用者：北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司
技术研发日：2018.12.26
技术公布日：2019.11.12