一种新型冗余供电系统的制作方法

本发明涉及电源模块冗余供电领域，具体涉及一种新型冗余供电系统。

背景技术：

在要求高可靠性的电子设备系统中，往往需要提供冗余供电用来增加可靠性，通常的冗余供电系统设计方案是由2个或多个电源通过分别连接二极管阳极，以“或门”的方式并联输出至电源总线上，该电路简单、可靠，非常容易的实现电源的冗余输出，但是亦会带来功耗大、影响供电电压、占体积大、需要额外散热措施等问题。因此，一种使用mosfet代替二极管的有源冗余(activeoring)方案应运而出，该方法成功避免了二极管方案的弊端，然而，该方法也存在一些固有缺陷，在工作过程中三种情况下容易使mosfet产生振荡，第一，电源轻载或空载时，在mosfet导通后，由于mosfet固有特性，其通态阻抗非常小，此时ds端的电压vds＝rdson*iload，iload小导致造成检测ds端电压比较困难，尤其在轻载或空载时，电源噪声淹没有效检出端电压，造成mosfet无法正常工作，形成mosfet重复性开关，从而造成震荡，影响供电质量和系统可靠性。第二，由于mosfet开关速度较快，在mosfet开通或者关断的时候会产生较大的dv/dt，由此，易与电路的寄生参数形成开关振荡从而影响供电质量。第三，电路内部均假设负载是理想负载，恒定不变，实际上，对于电子计算机系统等供电设备，其负载是动态变化的，根据运行任务的不同，设备需求的电流是在不停变化的，因而如果不考虑负载的实际情况，则在特定条件下容易发生振荡。如果mosfet的开通阈值与关断阈值设置为一样的化极易引发不稳定的振荡，因此，在实际中，通常会对开通阈值与关断阈值设置不同的值，以形成滞缓避免上述的不稳定现象，然而我们可以发现，mosfet的关断阈值通常情况下只能设置为一个负值，因为mosfet的特性，如果mosfet初始时关闭，当电压升高到开通阈值后mosfet随即打开，由于mosfet通态阻抗rdson非常小，此时的vds电压为rdson*iload，在负载电流不大的情况下极易落入mosfet关断阈值区间，从而使mosfet关断，vds电压上升，mosfet开通，重复开关形成振荡。因此将mosfet的关断阈值设置为一个负值，重复上述情况，虽然vds电压可以很低，但是在正常情况下无法改变极性即电流方向不会改变。然而由于voff为负值，即关断时，会存在一个ireverse＝voff/rdson的反向电流，实际上，由于mosfet关断延时和电路传输延时，从检测到反向电流触发mosfet关断到真正mosfet截止阻断反向电流也需要一段时间，而在电源短路时由于阻抗几乎为0，所以反向电流的上升率非常高，因此，真实的反向电流往往非常可观，严重时会拉低供电母线使系统宕机。故而，发明一种新的方法避免上述问题显得非常必要。

技术实现要素：

有鉴于此，本发明提供一种新型冗余供电系统，所述系统通过两个电流变化率检测电路检测对应电感两端的电压，从而检测输出电流变化率，控制对应mosfet的开通、关闭，从而避免反向电流，并通过设定两台电源的主从关系，确定两台电源的工作状态，避免两台并联电源之间频繁的状态切换，并设定与两个mosfet场效应管连接的两个栅极控制电路，避免mosfet的振荡。

本发明公开一种新型冗余供电系统，所述系统包括负载、与负载连接的第一电源及与负载连接的第二电源；

所述第一电源中包括第一电源模块、第一电流变化率检测电路、第一mosfet场效应管、第一栅极控制电路、第一主从控制电路及第一电压调整电路；

第二电源包括第二电源模块、第二电流变化率检测电路、第二mosfet场效应管、第二栅极控制电路、第二主从控制电路及第二电压调整电路；

所述第一电源模块连接第一mosfet场效应管用于给负载供电，所述第二电源模块连接第二mosfet场效应管用于给负载供电；

所述第一栅极控制电路与第一mosfet场效应管连接，用于当第一电源模块发生故障时，切断与其串联的第一mosfet场效应管隔离电源，所述第二栅极控制电路与第二mosfet场效应管连接，用于当第二电源模块发生故障时，切断与其串联的第二mosfet场效应管隔离电源；

第一主从控制电路与第一电压调整电路连接、与第一栅极控制电路连接，并与第一电流变化率检测电路连接，第二主从控制电路与第二电压调整电路连接、与第二栅极控制电路连接，并与第二电流变化率检测电路连接，所述第一主从控制电路还通过总线bus与第二主从控制电路连接，用于在上电初期设定两台电源的主从关系，由确定的主电源开通对应mosfet场效应管给负载供电，从电源对应mosfet场效应管截止，从电源空载待机，并在主电源发生故障时，将待机的从电源转换为主电源给负载供电。

在上述技术方案中，所述系统还设有与第一电源模块连接第一电感，与第二电源模块连接的第二电感，所述第一电流变化率检测电路连接第一电感的两端，通过检测第一电感两端电压实现对电流变化率的检测，所述第二电流变化率检测电路连接第二电感的两端，通过检测第二电感两端电压实现对电流变化率的检测。

在上述技术方案中，所述第一电流变化率检测电路中，所述第一电感l101一端连接第一电源模块的正输出端，第一电感l101另一端连接第一mosfet场效应管q103，电阻r103一端连接第一电感l101，电阻r103另一端连接运算放大器ic101正输入端，电阻r104一端连接第一电感l101，电阻r104另一端连接运算放大器ic101负输入端，电阻r105一端连接运算放大器ic101负输入端，电阻r105另一端接运算放大器ic101输出端，电阻r106一端接运算放大器ic101输出端，电阻r106另一端连接运算放大器ic103正输入端，基准源s102连接运算放大器ic103负输入端，电阻r111一端连接运算放大器ic103正输入端，电阻r111另一端连接运算放大器ic103输出端，运算放大器ic103输出端连接三极管q107的基极，三极管q107集电极分别连接电阻r107的一端和电阻r108的一端，电阻r107另一端连接vcc端，电阻r108另一端连接三极管q102的基极，三极管q107发射极接地；

所述第二电流变化率检测电路中，所述第二电感l201一端连接第二电源模块的正输出端，第二电感l201另一端连接第二mosfet场效应管q203，电阻r203一端连接第二电感l201，电阻r203另一端连接运算放大器ic201正输入端，电阻r204一端连接第二电感l201，电阻r204另一端连接运算放大器ic201负输入端，电阻r205一端连接运算放大器ic201负输入端，电阻r205另一端接运算放大器ic201输出端，r206一端接运算放大器ic201输出端，r206另一端连接运算放大器ic203正输入端，基准源s202连接运算放大器ic203负输入端，电阻r211一端连接运算放大器ic203正输入端，电阻r211另一端连接运算放大器ic203输出端，运算放大器ic203输出端连接三极管q207的基极，三极管q207集电极分别连接电阻r207的一端和电阻r208的一端，电阻r207另一端连接vcc端，电阻r208另一端连接三极管q202的基极，三极管q207发射极接地。

在上述技术方案中，所述第一主从控制电路中，电阻r114一端连接1.5v基准源，电阻r114另一端连接运算放大器ic104正输入端，电阻r115一端连接总线bus，电阻r115另一端连接运算放大器ic104负输入端，电阻r117一端接运算放大器ic104正输入端，电阻r117另一端连接运算放大器ic104的输出端，电阻r116一端连接运算放大器ic104的输出端，电阻r116另一端连接三极管q109基极，三极管q109发射极连接r118一端和总线bus，三极管q109的集电极连接vcc端，电阻r118另一端连接地，电容c102一端连接运算放大器ic103输出端，电容c102另一端连接三极管q108基极和电阻r110的一端，电阻r110另一端连接地，三极管q108的发射极连接地，三极管q108集电极连接运算放大器ic104正输入端，电容c101一端连接电阻r113的一端和三极管q104基极，电容c101另一端连接总线bus，电阻r113另一端连接地，三极管q104集电极连接运算放大器ic103正输入端，三极管q104发射极连接地；

所述第二主从控制电路中，电阻r214一端连接1.5v基准源，电阻r214另一端连接运算放大器ic204正输入端，电阻r215一端连接总线bus，电阻r215另一端连接运算放大器ic204负输入端，电阻r217一端接运算放大器ic204正输入端，电阻r217另一端连接运算放大器ic204的输出端，电阻r216一端连接运算放大器ic204的输出端，电阻r216另一端连接三极管q209基极，三极管q209发射极连接r218的一端和总线bus，三极管q209的集电极连接vcc端，电阻r218另一端连接地，电容c202一端连接运算放大器ic203输出端，电容c202另一端连接三极管q208基极和电阻r210的一端，电阻r210另一端连接地，三极管q208的发射极连接地，三极管q208集电极连接运算放大器ic204正输入端，电容c201一端连接电阻r213的一端和三极管q204基极，电容c201另一端连接总线bus，电阻r213另一端连接地，三极管q204集电极连接运算放大器ic203正输入端，三极管q204发射极连接地。

在上述技术方案中，所述第一mosfet场效应管和第一栅极控制电路中，运算放大器ic105输出端连接第一mosfet场效应管q103的栅极，运算放大器ic105正输入端连接第一mosfet场效应管q103的源极，基准源s103正端连接运算放大器ic105负输入端，基准源s103的负端连接第一mosfet场效应管q103漏极，三极管q102基极连接电阻r108，三极管q102集电极连接第一mosfet场效应管q103源极，三极管q102发射极接第一mosfet场效应管q103栅极；

所述第二mosfet场效应管和第二栅极控制电路中，运算放大器ic205输出端连接第二mosfet场效应管q203的栅极，运算放大器ic205正输入端连接第二mosfet场效应管q203的源极，基准源s203正端连接运算放大器ic205负输入端，基准源s203的负端连接第二mosfet场效应管q203漏极，三极管q202基极连接电阻r208，三极管q202集电极连接第二mosfet场效应管q203源极，三极管q202发射极接第二mosfet场效应管q203栅极。

在上述技术方案中，所述第一电压调整电路中，电阻r102一端连接第一电源模块u101正输出端，电阻r102另一端连接三极管q101的集电极，三极管q101基极接运算放大器ic102输出端，三极管q101发射极连接电阻r101和运算放大器ic102负输入端，电阻r101另一端接第一电源模块负输出端，运算放大器ic102正输入端连接三极管q105的发射极和电阻r112的一端，电阻r112另一端连接地，三极管q105基极连接运算放大器ic104输出端，三极管q105集电极接基准源s101正端，基准源s101负端接地；

所述第二电压调整电路中，电阻r202一端连接第二电源模块u201正输出端，电阻r202另一端连接三极管q201的集电极，三极管q201基极接运算放大器ic202输出端，三极管q201发射极连接电阻r201和运算放大器ic202负输入端，电阻r201另一端接第二电源模块负输出端，运算放大器ic202正输入端连接三极管q205的发射极和电阻r212的一端，电阻r212另一端连接地，三极管q205基极连接运算放大器ic204输出端，三极管q205集电极接基准源s201正端，基准源s201负端接地。

本发明一种新型冗余供电系统，具有以下有益效果：本系统通过两个电流变化率检测电路检测对应电感两端的电压，实现通过检测输出电流变化率控制对应mosfet的开通、关闭，从而避免反向电流，并通过设定两台电源的主从关系，确定两台电源的工作状态，避免两台并联电源之间频繁的状态切换，并设定与两个mosfet场效应管连接的两个栅极控制电路，避免mosfet的振荡，且工作机理简单可靠，适用于各型电源模块以及电源模块的并联冗余备份。

附图说明

图1为本发明一种新型冗余供电系统原理图；

图2为本发明一种新型冗余供电系统电路图；

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细描述，本发明提供一种新型冗余供电系统，如图1所示，

所述系统包括负载、与负载连接的第一电源及与负载连接的第二电源；

所述第一电源中包括第一电源模块、第一电流变化率检测电路、第一mosfet场效应管、第一栅极控制电路、第一主从控制电路及第一电压调整电路；

第二电源包括第二电源模块、第二电流变化率检测电路、第二mosfet场效应管、第二栅极控制电路、第二主从控制电路及第二电压调整电路；

所述第一电源模块连接第一mosfet场效应管用于给负载供电，所述第二电源模块连接第二mosfet场效应管用于给负载供电；

其中，所述第一电源还设有与第一电源模块连接第一电感，第二电源设有与第二电源模块连接的第二电感，所述第一电流变化率检测电路连接第一电感的两端，通过检测第一电感两端电压实现对电流变化率的检测，所述第二电流变化率检测电路连接第二电感的两端，通过检测第二电感两端电压实现对电流变化率的检测。当电流变化率大于一定的阈值电压后，则认为电源发生了短路故障，从而通过故障电源模块对应的栅极控制电路关断对应mosfet场效应管，隔离故障电源。

所述第一栅极控制电路与第一mosfet场效应管连接，用于当第一电源模块发生故障时，切断与其串联的第一mosfet场效应管隔离电源，所述第二栅极控制电路与第二mosfet场效应管连接，用于当第二电源模块发生故障时，切断与其串联的第二mosfet场效应管隔离电源，其中，两个栅极控制电路的作用均为在对应电源轻载时将对应mosfet两端电压控制在设定值，防止轻载时mosfet两端电压过小容易被电源噪声淹没从而造成mosfet误关断，形成振荡。同时，在对应电路中电流变化率大于设定阈值后关闭mosfet。

第一主从控制电路与第一电压调整电路连接、与第一栅极控制电路连接，并与第一电流变化率检测电路连接，第二主从控制电路与第二电压调整电路连接、与第二栅极控制电路连接，并与第二电流变化率检测电路连接，所述第一主从控制电路还通过总线bus与第二主从控制电路连接，用于在上电初期设定两台电源的主从关系，由确定的主电源开通对应mosfet场效应管给负载供电，从电源对应mosfet场效应管截止，从电源空载待机，并在主电源发生故障时，将待机的从电源转换为主电源给负载供电。由于在供电时，两台电源有明确的主从定位，从而避免了以前的控制方式导致的两台电源对应的mosfet频繁开关切换状态而引起的振荡。

其中，两个电压调整电路的功能均为当任一电源模块在被两个主从控制电路设定为主机时，将主电源模块的设定输出电压适当调高，以防止由于从电源模块输出电压高于主电源模块而导致的从电源模块通过mosfet体二极管供电的情况。

其中，如图2所示，所述第一电流变化率检测电路中，所述第一电感l101一端连接第一电源模块的正输出端，第一电感l101另一端连接第一mosfet场效应管q103，电阻r103一端连接第一电感l101，电阻r103另一端连接运算放大器ic101正输入端，电阻r104一端连接第一电感l101，电阻r104另一端连接运算放大器ic101负输入端，电阻r105一端连接运算放大器ic101负输入端，电阻r105另一端接运算放大器ic101输出端，电阻r106一端接运算放大器ic101输出端，电阻r106另一端连接运算放大器ic103正输入端，基准源s102连接运算放大器ic103负输入端，电阻r111一端连接运算放大器ic103正输入端，电阻r111另一端连接运算放大器ic103输出端，运算放大器ic103输出端连接三极管q107的基极，三极管q107集电极分别连接电阻r107的一端和电阻r108的一端，电阻r107另一端连接vcc端，电阻r108另一端连接三极管q102的基极，三极管q107发射极接地；

所述第二电流变化率检测电路中，所述第二电感l201一端连接第二电源模块的正输出端，第二电感l201另一端连接第二mosfet场效应管q203，电阻r203一端连接第二电感l201，电阻r203另一端连接运算放大器ic201正输入端，电阻r204一端连接第二电感l201，电阻r204另一端连接运算放大器ic201负输入端，电阻r205一端连接运算放大器ic201负输入端，电阻r205另一端接运算放大器ic201输出端，r206一端接运算放大器ic201输出端，r206另一端连接运算放大器ic203正输入端，基准源s202连接运算放大器ic203负输入端，电阻r211一端连接运算放大器ic203正输入端，电阻r211另一端连接运算放大器ic203输出端，运算放大器ic203输出端连接三极管q207的基极，三极管q207集电极分别连接电阻r207的一端和电阻r208的一端，电阻r207另一端连接vcc端，电阻r208另一端连接三极管q202的基极，三极管q207发射极接地。

其中，所述第一主从控制电路中，电阻r114一端连接1.5v基准源，电阻r114另一端连接运算放大器ic104正输入端，电阻r115一端连接总线bus，电阻r115另一端连接运算放大器ic104负输入端，电阻r117一端接运算放大器ic104正输入端，电阻r117另一端连接运算放大器ic104的输出端，电阻r116一端连接运算放大器ic104的输出端，电阻r116另一端连接三极管q109基极，三极管q109发射极连接r118一端和总线bus，三极管q109的集电极连接vcc端，电阻r118另一端连接地，电容c102一端连接运算放大器ic103输出端，电容c102另一端连接三极管q108基极和电阻r110的一端，电阻r110另一端连接地，三极管q108的发射极连接地，三极管q108集电极连接运算放大器ic104正输入端，电容c101一端连接电阻r113的一端和三极管q104基极，电容c101另一端连接总线bus，电阻r113另一端连接地，三极管q104集电极连接运算放大器ic103正输入端，三极管q104发射极连接地；

所述第二主从控制电路中，电阻r214一端连接1.5v基准源，电阻r214另一端连接运算放大器ic204正输入端，电阻r215一端连接总线bus，电阻r215另一端连接运算放大器ic204负输入端，电阻r217一端接运算放大器ic204正输入端，电阻r217另一端连接运算放大器ic204的输出端，电阻r216一端连接运算放大器ic204的输出端，电阻r216另一端连接三极管q209基极，三极管q209发射极连接r218的一端和总线bus，三极管q209的集电极连接vcc端，电阻r218另一端连接地，电容c202一端连接运算放大器ic203输出端，电容c202另一端连接三极管q208基极和电阻r210的一端，电阻r210另一端连接地，三极管q208的发射极连接地，三极管q208集电极连接运算放大器ic204正输入端，电容c201一端连接电阻r213的一端和三极管q204基极，电容c201另一端连接总线bus，电阻r213另一端连接地，三极管q204集电极连接运算放大器ic203正输入端，三极管q204发射极连接地。

其中，所述第一mosfet场效应管和第一栅极控制电路中，运算放大器ic105输出端连接第一mosfet场效应管q103的栅极，运算放大器ic105正输入端连接第一mosfet场效应管q103的源极，基准源s103正端连接运算放大器ic105负输入端，基准源s103的负端连接第一mosfet场效应管q103漏极，三极管q102基极连接电阻r108，三极管q102集电极连接第一mosfet场效应管q103源极，三极管q102发射极接第一mosfet场效应管q103栅极；

所述第二mosfet场效应管和第二栅极控制电路中，运算放大器ic205输出端连接第二mosfet场效应管q203的栅极，运算放大器ic205正输入端连接第二mosfet场效应管q203的源极，基准源s203正端连接运算放大器ic205负输入端，基准源s203的负端连接第二mosfet场效应管q203漏极，三极管q202基极连接电阻r208，三极管q202集电极连接第二mosfet场效应管q203源极，三极管q202发射极接第二mosfet场效应管q203栅极。

其中，所述第一电压调整电路中，电阻r102一端连接第一电源模块u101正输出端，电阻r102另一端连接三极管q101的集电极，三极管q101基极接运算放大器ic102输出端，三极管q101发射极连接电阻r101和运算放大器ic102负输入端，电阻r101另一端接第一电源模块负输出端，运算放大器ic102正输入端连接三极管q105的发射极和电阻r112的一端，电阻r112另一端连接地，三极管q105基极连接运算放大器ic104输出端，三极管q105集电极接基准源s101正端，基准源s101负端接地；

所述第二电压调整电路中，电阻r202一端连接第二电源模块u201正输出端，电阻r202另一端连接三极管q201的集电极，三极管q201基极接运算放大器ic202输出端，三极管q201发射极连接电阻r201和运算放大器ic202负输入端，电阻r201另一端接第二电源模块负输出端，运算放大器ic202正输入端连接三极管q205的发射极和电阻r212的一端，电阻r212另一端连接地，三极管q205基极连接运算放大器ic204输出端，三极管q205集电极接基准源s201正端，基准源s201负端接地。

其中，第一电源模块u101正输出端串联第一mosfet场效应管q103给负载r供电。第一电感l101串联于第一电源模块正输出端，由于：

式中：vl为电感两端电压，l为电感值；为电流变化率；

由上式可知，电感值l为已知量，只要测量第一电感l101两端的电压vl即可得到电感电流的变化率。因此，通过r103、r104、r105及ic101运算放大器组成的差分放大电路将电感两端的电压进行放大检测，作为给定输入到由ic103、r106、r111、s102组成的滞环比较电路与参考电压s102进行比较，若大于给定阈值，则认为电源发生短路故障，比较器输出高电平，三极管q107导通，从而将三极管q102基极电压拉低，q102导通，将第一mosfet场效应管q103栅极电压vgs设置为0，mosfet关闭。

其中，两个主从控制电路之间有一根总线相连接，总线为高电平有效，即哪台电源模块先上电，则先检测总线电平状态，发现总线为低电平就立即变为主电源同时拉高总线，从电源再检测总线电平状态时则发现总线为高电平，则默认为从电源，同时关闭对应mosfet，并实时监控总线电平状态，一旦总线电平重新为低则立即将总线拉高并变为主电源。

具体的，第一主从控制电路由r114、r115、r117、ic104、r116、q109、r118组成，上电初期bus总线电平与内部1.5v基准电平进行比较，若bus电平低于1.5v，ic104输出高电平，并在r117正反馈的作用下持续饱和输出，q109导通，将bus拉高为高电平。内部总线检测信号变为高电平，由此确认自己为主电源，并将主电源状态通过该信号传输给第一栅极控制电路。此时从电源内部有完全一样的总线控制电路，从电源中ic204输入端连bus总线电压高于1.5v内部基准，q209关闭，内部总线检测信号变为低电平，总线由主电源拉高为高电平状态。

在主电源检测到主电源发生短路故障时ic103输出为高电平，q108导通，ic104基准电压被拉低为0，ic104输出转换为低电平，q109关闭，释放总线。第一栅极控制电路立即将mosfet关闭，同时通过将总线释放信号拉高将总线电平复位，同时将ic104复位。从电源在检测到总线电平低后立即拉高总线电平，变为主电源模块继续为负载用电设备供电。

此方法与传统方法相比，在上电初始就给各电源明确了状态，同时通过总线使两个电源之间有了信号交互，从而减少了不必要的mosfet开关状态变化，无论是电源或者负载波动都不会影响两台供电电源的主从状态，因此，能够避免因mosfet开关状态频繁变化导致的振荡。ic102、q101、q105、s101、r101、r102共同组成了第一电压调节电路，两个主从控制电路一旦将第一电源设置为主电源，则q105基极为高电平，三极管导通，s101作为基准给定输入到ic102正输入端，q101被控制于线性区，根据给定电压，形成调压电路，此时q101类似于可调电阻，改变反馈点的电阻从而改变输出电压。第一mosfet场效应管及第一栅极控制电路由q103、ic105、s103、q102组成，正常情况下，ic105根据第一mosfet场效应管两端电压与给定s103值将第一mosfet场效应管两端电压控制在s103的给定值，此时第一mosfet场效应管类似于可调电阻，随着电流增大，第一mosfet场效应管两端电压增大，当电压增大到s103给定时，第一mosfet场效应管完全导通。反之，当第一mosfet场效应管两端电压小于s103给定时，第一mosfet场效应管两端电压则控制在s103的给定值，当电流反向时，第一mosfet场效应管两端电压也随即反向，则第一mosfet场效应管无法将电压维持在给定值，此时，第一mosfet场效应管截止，防止反向电流的产生。q102的作用是在第一电流变化率检测电路检测到大于阀值的变化时直接关闭第一mosfet场效应管，从而达到提前预测反向电流，防止反向电流危害系统供电的功能。同时，q106在第一主从控制电路检测到主电源变为从电源时，直接关闭第一mosfet场效应管。负载另一侧为第二电源与前述第一电源完全相同，两个电源间通过主从bus总线相连，达到主从控制的目的，具体功能不再赘述。

在电路中加入了总线竞争电路，已先上电先获得总线为竞争原则，使上电初期两台电源便明确了主从关系，从电源中对应的mosfet关闭不再打开。除非主电源发生电源短路故障，在对应的mosfet控制电路上加入了栅极控制，从而将vds电压控制在远离电源纹波噪声电压值的区域，避免电源轻载时振荡。同时，在电路中加入电感，通过测电感两端电压代替测量vds电压，改变测量电流值为测量电流的变化率，从而实现了提前预知故障的能力，使对应mosfet能够在故障发生初期即开始动作，从而减小反向电流。同时，加入电感后对电源的纹波噪声有抑制作用，能够带来额外的好处。经实践，该方案使用效果明显优于传统方案，能够解决大部分工况下的反向电流问题和彻底解决振荡问题。

说明书中未阐述的部分均为现有技术或公知常识。本实施方式仅用于说明该发明，而不用于限制本发明的范围，本领域技术人员对于本发明所做的等价置换等修改均认为是落入该发明权利要求书所保护范围内。