1.一种cr缓冲元件，具备：
第一电阻部；
第一电容部，与所述第一电阻部串联地连接；
第二电阻部，与所述第一电阻部和所述第一电容部串联地连接；以及
第二电容部，与所述第二电阻部并联地连接，
所述cr缓冲元件构成为所述第一电容部短路时，所述第二电阻部断开。
2.根据权利要求1所述的cr缓冲元件，其中，所述第二电阻部由薄膜电阻体构成。
3.根据权利要求1或2所述的cr缓冲元件，其中，所述第二电容部的静电电容与所述第一电容部的静电电容大致相同。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的cr缓冲元件，其中，所述第二电阻部的电阻值比所述第一电阻部的电阻值小。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的cr缓冲元件，其中，所述第二电阻部的熔断电流的值比所述第一电阻部的熔断电流的值小。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的cr缓冲元件，其中，
所述第一电阻部由具有第一主面的半导体基板构成，
所述第一电容部是通过所述半导体基板隔着位于所述半导体基板的第一主面侧的第一电介质层而与位于所述第一电介质层的与半导体基板侧相反一侧的内部电极对置而构成的，
所述第二电容部是通过所述内部电极隔着位于所述内部电极的与第一电介质层侧相反一侧的第二电介质层而与位于所述第二电介质层的与内部电极侧相反一侧的第一外部电极对置而构成的，
所述第二电阻部位于所述第二电介质层的第一外部电极侧而与所述第一外部电极相互连接，并且经由贯通所述第二电介质层配置的连接导电部而与所述内部电极相互连接。
7.根据权利要求1～5中任一项记载的cr缓冲元件，其中，所述第一电阻部由具有第一主面和位于与该第一主面相反一侧的第二主面的半导体基板构成，
所述第一电容部是通过所述半导体基板隔着位于所述半导体基板的第二主面侧的第一电介质层而与位于所述第一电介质层的与半导体基板侧相反一侧的第二外部电极对置而构成的，
所述第二电容部是通过位于所述半导体基板的第一主面侧的内部电极隔着位于所述内部电极的与半导体基板侧相反一侧的第二电介质层而与位于所述第二电介质层的与内部电极侧相反一侧的第一外部电极对置而构成的，
所述第二电阻部位于所述第二电介质层的第一外部电极侧而与所述第一外部电极相互连接，并且，经由贯通所述第二电介质层配置的连接导电部而与所述内部电极相互连接。
8.根据权利要求1～5中任一项所述的cr缓冲元件，其中，所述第一电阻部由具有第一主面和位于与该第一主面相反一侧的第二主面的半导体基板构成，
所述第一电容部是通过所述半导体基板隔着位于所述半导体基板的第一主面侧的第一电介质层而与位于所述第一电介质层的与半导体基板侧相反一侧的第一外部电极对置而构成的，
所述第二电容部是通过位于所述半导体基板的第二主面侧的内部电极隔着位于所述内部电极的与半导体基板侧相反一侧的第二电介质层而与位于所述第二电介质层的与内部电极侧相反一侧的第二外部电极对置而构成的，
所述第二电阻部位于所述第二电介质层的第二外部电极侧而与所述第二外部电极相互连接，并且经由贯通所述第二电介质层配置的连接导电部而与所述内部电极相互连接。