专利名称：一种新型漏电保护器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种防止人身触电或电器设备漏电的保护装置，特别适用于三相四线中性点直接接地的电网中。
现有的漏电保护器，电路结构普遍采用放大回路或集成电路，放大回路电器元件多，电路繁杂，故障点较多，电路的可靠性差，集成电路成本高，抗干扰性能差，电路工作稳定性易受外界影响。
本实用新型的任务是提供一种新型的漏电保护器，它具有电路结构简单，不需要放大回路和集成电路，大大地降低了成本，有很强的抗干扰能力。
本实用新型是这样实现的采用非晶态材料作零序电流互感器的铁心，当漏电电流超过额定值时，铁心迅速出现饱和，使零序电流互感器二次电压只能在较小的区间内变化，一般不超过2V，即使漏电保护器负载侧发生短路接地，产生很大的零序电流，也不会因零序电流互感器二次侧电压过高而烧损其他元件，R3、C3、C4组成积分回路，防止了系统内外界电磁场给可控硅控制极的干忧，可靠地防止了可控硅误导通。
附图
是本实用新型的电路原理图。
本实用新型漏电保护器是由桥式整流电路1，可控硅2、继电器3、零序电流互感器4、电容C1至C5电阻R和R1至R5，二极管D1至D6及按钮NP组成。
以下将结合附图对本实用新型作进一步的详细描述。与继电器触头联接的两根电源导线穿过零序电流互感器的磁环，导线中通常是电流大小相等，方向相反，正常工作时，磁环中感应磁通几乎为零，零序电流互感器二次线圈仅输出一个很小的信号，可近似看为零，可控硅为阻断状态，当漏电保护器负载侧发生触电或其它原因使电源导线中电流不平横时，零序电流互感器的铁心磁通量迅速增大，在二次线圈中产生感生电流，也就是控制信号，经二极管D5检波后，将正半周信号，由R3、C3、C4积分送到可控硅控制极，当控制信号达到可控硅控制电压时，一般为1V可控硅导通，继电器动作线圈流过电流，产生磁力吸动触头，切断电源，起到了漏电保护作用。
D1至D4组成桥式整流电路，正常工作时在可控硅上加一个0.9倍的额定电压，R5、C5对可控硅起过压保护作用，当系统中产生高次谐波或有感应过电压时，RC回路吸收能量防止可控硅在正向阻断蜂值电压下误导通，R为压敏电阻耐压为470V起保护电路电子元件作用。零序电流互感器的二次侧线圈n1可用铜漆包线缠绕，直径最好为0.12mm250匝，C1作用是提高零序电流互感器灵敏度和增加抗干扰性，R2、C2、D6使零序互感器二次侧有一个电位，兼有温度补偿作用，R4为灵敏度调节电阻，改变其阻值可使可控硅在不同漏电电流下动作。NP、R1、n2组成试验回路，当按钮NP下压时n2线圈中流过电流，使n1感应出电流信号，最后触发可控硅，达到检测目的。
D1至D4可选择耐压600V电流1A，可控硅耐压选择600V电流1A，D5、D6可为2AK15型，以下电阻电容最好是R1为68K，R2为220K，R3为1K，R4为可调电阻15K至120K，R5为33Ω，C1为100nF，C2为47nF，C3为2.2nF，C4为2.2μF／1.6V，C5为0.047μF／630V。
权利要求1.一种防止人身触电的保护器，该保护器主要分为高压、低压两部分，其特征在于高压部分由桥式整流电路1、可控硅2、继电器3组成；低压部分由零序电流互感器4，电容、电阻、二极管组成。
2.按权利要求1所述，其特征在于零序电流互感器铁心由非晶态材料制成。
3.按权利要求1所述，其特征在于R2、C2、D6连接成5，D5、R3、C3、C4、R4连接成6并可靠地电连接组成低压部分。
专利摘要该漏电保护器适用于三相四线中性点直接接地的低压电网中，是电器设备中必备的保护器。当在保护器后发生人身触电或因电器设备漏电超过允许的安全电流时，零序电流互感器二次侧有电流输出触发可控硅导通，继电器动作线圈励磁，吸动主触头，切断电源，达到了保护人身和电器设备的目的。
文档编号H02H3/32GK2037506SQ8821681
公开日1989年5月10日 申请日期1988年8月25日 优先权日1988年8月25日
发明者严敏坚, 董德全, 张百灏, 曹文纲, 王世成 申请人:东北电力试验研究院实验工厂