一种高压功率管及电源模块的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及分立高压功率管技术领域，尤其涉及的是一种高压功率管及电源模块。
【背景技术】
[0002]现有的AC/DC系统进行电源转换时，解决方案可以根据不同种类的变压器大致分为隔离型与非隔离型。
[0003]非隔离型的电源模块的典型系统拓扑结构如图1所示，包括整流桥11、芯片供电电路12、负载电路13、驱动芯片14和高压功率管15。各电路模块内部的具体连接结构如图1所示。所述芯片供电电路12中，启动电阻Ral与稳压电容Cal串联的中间节点与驱动芯片14的供电引脚VCC相连，交流电AC经过整流桥11整流后通过启动电阻Ral传输给驱动芯片14供电。驱动芯片14驱动高压功率管15，使负载电路13发光。而启动电阻Ral需要额外的成本与系统空间，电源模块工作时，启动电阻Ral还会增加功耗。
[0004]隔离型的电源模块的典型系统拓扑结构如图2所示，包括整流桥21、芯片供电电路22、负载电路23、驱动芯片24、光耦电路25和高压功率管26。各电路模块内部的具体连接结构如图2所示。所述芯片供电电路22由启动电阻Ra2、稳压电容Ca2、辅助供电子电路221构成，所述辅助供电子电路221由辅助绕组A和用于防电流反灌的二极管D构成。启动电阻Ra2与稳压电容Ca2、二极管D的负极相连的节点连接驱动芯片4的供电引脚VCC。同理，启动电阻Ra2、二极管D、辅助绕组A需要额外的成本与系统空间，且该电源模块工作时也会产生一定的功耗。
[0005]可见，现有驱动芯片供电技术还有待于改进和发展。
【发明内容】
[0006]本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种高压功率管及电源模块，旨在解决现有驱动芯片的供电电路功耗较大、成本较高的问题。
[0007]本发明解决技术问题所采用的技术方案如下:
一种高压功率管，与驱动芯片连接，其包括增强型MOS管、耗尽型MOS管和二极管，所述增强型MOS管的DRAIN端与耗尽型MOS管的DRAIN端相连、为所述高压功率管的漏极，增强型MOS管的SOURCE端为所述高压功率管的源极，增强型MOS管的GATE端为所述高压功率管的栅极；耗尽型MOS管的GATE端连接其SOURCE端和二极管的正极，二极管的负极为所述高压功率管的P脚，用于对驱动芯片供电。
[0008]所述的高压功率管中，所述增强型MOS管为N沟道增强型MOS管，耗尽型MOS管为N沟道耗尽型MOS管，二极管为POLY型二极管。
[0009]一种电源模块，包括采样电阻、整流单元、第一负载单元和驱动芯片，其特征在于，还包括所述的高压功率管，所述整流单元连接第一负载单元，所述高压功率管的漏极连接第一负载单元，高压功率管的P脚连接驱动芯片的VCC脚，高压功率管的栅极连接驱动芯片的G脚，高压功率管的源极连接驱动芯片的CS脚和采样电阻的一端，所述驱动芯片的GND脚、采样电阻的另一端均接地。
[0010]所述的电源模块中，还包括第一电容，所述第一电容的一端连接驱动芯片的VCC脚和高压功率管的P脚，第一电容的另一端接地。
[0011 ] 一种电源模块，包括采样电阻、整流单元、第二负载单元、驱动芯片和光耦单元，其还包括所述的高压功率管，所述整流单元连接第二负载单元，所述高压功率管的漏极连接第二负载单元，高压功率管的P脚连接驱动芯片的VCC脚，高压功率管的栅极连接驱动芯片的G脚，高压功率管的源极连接驱动芯片的CS脚和采样电阻的一端，所述驱动芯片的GND脚、采样电阻的另一端均接地，所述光耦单元连接第二负载单元和驱动芯片的FB脚。
[0012]所述的电源模块中，还包括第一电容，所述第一电容的一端连接驱动芯片的VCC脚和高压功率管的P脚，第一电容的另一端接地。
[0013]相较于现有技术，本发明提供的高压功率管及电源模块，高压功率管包括增强型MOS管、耗尽型MOS管和二极管，所述增强型MOS管的DRAIN端与耗尽型MOS管的DRAIN端相连、为所述高压功率管的漏极，增强型MOS管的SOURCE端为所述高压功率管的源极，增强型MOS管的GATE端为所述高压功率管的栅极；耗尽型MOS管的GATE端连接其SOURCE端和二极管的正极，二极管的负极为所述高压功率管的P脚，用于对驱动芯片供电；省去了现有的芯片供电电路，简化了驱动芯片的供电方式，从而节省PCB板的空间和成本，还能减少芯片供电电路中启动电阻带来的功耗。
【附图说明】
[0014]图1是现有技术非隔离型的电源模块的典型系统拓扑结构的电路图。
[0015]图2是现有技术隔离型的电源模块的典型系统拓扑结构的电路图。
[0016]图3是本发明提供的高压功率管的电路图。
[0017]图4是本发明提供的非隔离型的电源模块的典型系统拓扑结构的应用实施例的电路图。
[0018]图5是本发明提供的隔离型的电源模块的典型系统拓扑结构的应用实施例的电路图。
【具体实施方式】
[0019]本发明提供一种高压功率管及电源模块，应用于AC/DC系统的电源模块。通过对现有高压功率管的结构进行改进，由改进后的高压功率管对驱动芯片供电，省去了现有的芯片供电电路，简化了驱动芯片的供电方式，从而节省PCB板的空间和成本，还能减少芯片供电电路中启动电阻带来的功耗。为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0020]请参阅图3，本发明提供的高压功率管100与驱动芯片连接，高压功率管100包括增强型MOS管Ml、耗尽型MOS管M2和二极管Dl。所述增强型MOS管Ml的DRAIN端与耗尽型MOS管M2的DRAIN端相连、为所述高压功率管100的漏极D，增强型MOS管Ml的SOURCE端为所述高压功率管的源极S，增强型MOS管Ml的GATE端为所述高压功率管100的栅极G ;耗尽型MOS管M2的GATE端连接其SOURCE端和二极管Dl的正极，二极管Dl的负极为所述高压功率管100的P脚。
[0021]其中，所述P脚为高压功率管100对驱动芯片的供电脚，用于对驱动芯片供电。所述高压功率管100的P脚和栅极G均连接驱动芯片。
[0022]本实施中，所述增强型MOS管Ml为N沟道增强型MOS管，耗尽型MOS管M2为N沟道耗尽型MOS管。由于耗尽型MOS管M2的SOURCE端连接其GATE端，UGS=O，此时耗尽型MOS管M2已形成N型导电沟道。当高压功率管100的漏极D有电压输入时，耗尽型MOS管M2内有电流流过，从高压功率管100的P脚输出即可对驱动