过载保护电路系统的制作方法

文档序号:9789931阅读:238来源:国知局
过载保护电路系统的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电源保护电路,尤其涉及一种用于小功率电器的电源保护电路。
【背景技术】
[0002]在日常用电线路中,经常会发生供电电流过大、漏电等情况,这些情况的发生轻者危及用电设备,重则危及人身安全或造成火灾。为了防止上述不安全因素造成的危害,人们在供电线路上设置了各种用电保护装置,但是目前使用的各种保护装置,普遍精度比较低,达不到理想的控制效果,且结构比较复杂,成本比较高,只适宜在特定场合使用。目前市场上1KW以下电器的用电保护装置质量参差不齐,普遍存在体积大,灵敏度低,安装不便等因素。在日常用电线路中,经常会发生供电电流过大、漏电等情况,这些情况的发生轻者危及用电设备,重则危及人身安全或造成火灾。为了防止上述不安全因素造成的危害,人们在供电线路上设置了各种用电保护装置,但是目前使用的各种保护装置,普遍精度比较低,达不到理想的控制效果,且结构比较复杂,成本比较高,只适宜在特定场合使用。目前市场上1Kff以下电器的用电保护装置质量参差不齐,普遍存在体积大,灵敏度低,安装不便等因素。

【发明内容】

[0003]本发明的技术效果能够克服上述缺陷,提供一种过载保护电路系统,其保护器件不受损坏。
[0004]为了实现上述目的,本发明技术方案如下:其包括供电电路、整形电路、供电保护电路、输出执行电路,电供电电路通过整形电路连接供电保护电路,供电保护电路电连接输出执行电路。
[0005]供电保护电路中,三极管Ql基极与三极管Q2的集电极连接,三极管Q1、三极管Q2的发射极皆接电源,三极管Q2的基极与场效应管Q3的源级连接,该场效应管Q3的漏极接电源,该场效应管Q3的栅极通过电容C2与控制电路的输出端连接,该场效应管Q3的栅极与源级之间设有电阻R1,三极管Q2的集电极通过电阻R2接地。
[0006]三极管Ql采用B772型号。
[0007]三极管Q2采用9012型号。
[0008]场效应管Q3采用2302型号。
[0009]本发明的过载保护电路系统,保护电路中的器件不受损坏。
【附图说明】
[0010]图1为本发明的模块结构示意图;
[0011]图2为本发明的供电保护电路的电路图。
【具体实施方式】
[0012]本发明的过载保护电路系统包括供电电路、整形电路、供电保护电路、输出执行电路,电供电电路通过整形电路连接供电保护电路,供电保护电路电连接输出执行电路。
[0013]供电保护电路中,三极管Ql基极与三极管Q2的集电极连接,三极管Q1、三极管Q2的发射极皆接电源,三极管Q2的基极与场效应管Q3的源级连接,该场效应管Q3的漏极接电源,该场效应管Q3的栅极通过电容C2与控制电路的输出端连接,该场效应管Q3的栅极与源级之间设有电阻R1,三极管Q2的集电极通过电阻R2接地。三极管Ql采用B772型号,三极管Q2采用9012型号,场效应管Q3采用2302型号。
[0014]当三极管Ql过载时,三极管Ql的集电极电压变低,三极管Q2导通,则三极管Ql截止,这时三极管Ql集电极位低电平。如果三极管Ql正常工作,三极管Ql的集电极位高电平,则控制电路输入端信号也为高电平。当需要重新开启三极管Q1,控制电路输出端输出以高电平,则场效应管Q3导通,三极管Q2截止,三极管Ql恢复工作。
【主权项】
1.一种过载保护电路系统,其特征在于,包括供电电路、整形电路、供电保护电路、输出执行电路,电供电电路通过整形电路连接供电保护电路,供电保护电路电连接输出执行电路。2.根据权利要求1所述的过载保护电路系统,其特征在于,供电保护电路中,三极管Ql基极与三极管Q2的集电极连接,三极管Q1、三极管Q2的发射极皆接电源,三极管Q2的基极与场效应管Q3的源级连接,该场效应管Q3的漏极接电源,该场效应管Q3的栅极通过电容C2与控制电路的输出端连接,该场效应管Q3的栅极与源级之间设有电阻R1,三极管Q2的集电极通过电阻R2接地。3.根据权利要求2所述的过载保护电路系统,其特征在于,三极管Ql采用B772型号。4.根据权利要求2所述的过载保护电路系统,其特征在于,三极管Q2采用9012型号。5.根据权利要求2所述的过载保护电路系统,其特征在于,场效应管Q3采用2302型号。
【专利摘要】本发明涉及一种电源保护电路,尤其涉及一种用于小功率电器的电源保护电路。本发明的过载保护电路系统,包括供电电路、整形电路、供电保护电路、输出执行电路,电供电电路通过整形电路连接供电保护电路,供电保护电路电连接输出执行电路。本发明的过载保护电路系统,保护电路中的器件不受损坏。
【IPC分类】H02H3/08
【公开号】CN105552825
【申请号】CN201410607241
【发明人】吴圣帆, 吕华平
【申请人】江苏绿扬电子仪器集团有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2014年11月1日
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