一种基于功率放大电路的正弦波逆变系统的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种基于功率放大电路的正弦波逆变系统，其特征在于：主要由处理芯片U，变压器T，正极作为输入端、负极接地的电容C1，串接在电容C1的正极和处理芯片U的VCC管脚之间的电阻R5等组成。本发明采用SG3525AJ集成芯片作为处理芯片，并采用脉冲宽度调制的方式对系统进行控制，极大的降低了系统自身的能耗，从而使本发明的转换效率达到94％以上。本发明可以输出大功率，从而满足大功率用电负载的要求。
【专利说明】
一种基于功率放大电路的正弦波逆变系统
技术领域
[0001]本发明涉及一种逆变系统，具体是指一种基于功率放大电路的正弦波逆变系统。
【背景技术】
[0002]逆变系统可以把直流电转变成交流电，它广泛适用于空调、家庭影院、电电动工具等领域。然而，目前所使用的逆变系统自身的功耗较大，导致其转换效率低，无法满足人们的要求。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于解决目前的逆变系统转换效率低的缺陷，提供一种基于功率放大电路的正弦波逆变系统。
[0004]本发明的目的通过下述技术方案现实:一种基于功率放大电路的正弦波逆变系统，主要由处理芯片U，变压器T，正极作为输入端、负极接地的电容Cl，串接在电容Cl的正极和处理芯片U的VCC管脚之间的电阻R5，串接在电容Cl的正极和处理芯片U的VC管脚之间的电阻R6，正极与处理芯片U的SS管脚相连接、负极接地的电容C4，负极与处理芯片U的SD管脚相连接、正极接地的电容C3，串接在电容C3的正极和处理芯片U的GND管脚之间的电阻R4，串接在电容Cl的正极和处理芯片U之间的脉宽调制电路，与处理芯片U相连接的转换电路，串接在转换电路和变压器T的原边电感线圈的同名端之间的功率放大电路组成;所述电容Cl的正极与变压器T的原边电感线圈的抽头相连接;所述变压器T的原边电感线圈的非同名端与转换电路相连接;所述变压器T的副边电感线圈的同名端和非同名端作为输出端。
[0005]所述功率放大电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，负极与三极管VT3的基极相连接、正极与转换电路相连接的电容C6，串接在三极管VT3的发射极和三极管VT4的发射极之间的电阻R9，N极与三极管VT3的集电极相连接、P极经二极管D7后与三极管VT5的集电极相连接的二极管D6，正极与三极管VT6的发射极相连接、负极与三极管VT5的发射极相连接的电容C7，串接在三极管VT7的发射极和电容C7的负极之间的电阻R11，串接在二极管06的~极和三极管VT7的集电极之间的电阻R10，以及正极与三极管VT7的集电极相连接、负极与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接的电容CS组成;所述三极管VT4的集电极与三极管VT3的集电极相连接、其发射极与三极管VT5的基极相连接、其基极则与三极管VT6的集电极相连接;所述三极管VT6的基极与三极管VT5的集电极相连接、其集电极与三极管VT7的基极相连接。
[0006]所述脉宽调制电路由三极管VTl，三极管VT2，一端与电容Cl的正极相连接、另一端与处理芯片U的DISC管脚相连接的电阻R3，N极与处理芯片U的CMOEN管脚相连接、P极与电容Cl的正极相连接的二极管D2，P极与电容Cl的正极相连接、N极与三极管VTl的基极相连接的二极管Dl，串接在二极管D2的P极和三极管VT2的基极之间的电阻Rl，串接在三极管VT2的发射极和三极管VTl的发射极之间的电阻R2，N极与处理芯片U的IN+管脚相连接、P极与三极管VT2的集电极相连接的二极管D3，以及正极与三极管VTl的发射极相连接、负极与处理芯片U的IN-管脚相连接的电容C2组成;所述三极管VTl的集电极与三极管VT2的基极相连接、其发射极接地。
[0007]所述转换电路由场效应管MOSl，场效应管M0S2，串接在处理芯片U的OUTA管脚和场效应管MOSl的栅极之间的电阻R7，串接在处理芯片U的OUTB管脚和场效应管M0S2的栅极之间的电阻R8，正极与场效应管MOSl的源极相连接、负极与场效应管M0S2的源极相连接的电容C5，N极与场效应管MOSl的漏极相连接、P极与场效应管MOSl的源极相连接的二极管D4，以及N极与场效应管M0S2的源极相连接、P极与场效应管M0S2的漏极相连接的二极管D5组成；所述变压器T的原边电感线圈的非同名端则与场效应管M0S2的漏极相连接;所述场效应管MOSl的漏极与电容C6的正极相连接。
[0008]所述处理芯片U为SG3525AJ集成芯片。
[0009]本发明与现有技术相比具有以下优点及有益效果:
[0010](I)本发明采用SG3525AJ集成芯片作为处理芯片，并采用脉冲宽度调制的方式对系统进行控制，极大的降低了系统自身的能耗，从而使本发明的转换效率达到94%以上。
[0011](2)本发明可以输出大功率，从而满足大功率用电负载的要求。
【附图说明】
[0012]图1为本发明的整体结构示意图。
[0013]图2为本发明的功率放大电路的结构图。
【具体实施方式】
[0014]下面结合实施例对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式并不限于此。
[0015]实施例
[0016]如图1所示，本发明主要由处理芯片U，变压器T，正极作为输入端、负极接地的电容Cl，串接在电容Cl的正极和处理芯片U的VCC管脚之间的电阻R5，串接在电容Cl的正极和处理芯片U的VC管脚之间的电阻R6，正极与处理芯片U的SS管脚相连接、负极接地的电容C4，负极与处理芯片U的SD管脚相连接、正极接地的电容C3，串接在电容C3的正极和处理芯片U的GND管脚之间的电阻R4，串接在电容Cl的正极和处理芯片U之间的脉宽调制电路，与处理芯片U相连接的转换电路，串接在转换电路和变压器T的原边电感线圈的同名端之间的功率放大电路组成。
[0017]所述电容Cl的正极与变压器T的原边电感线圈的抽头相连接;所述变压器T的原边电感线圈的非同名端与转换电路相连接;所述变压器T的副边电感线圈的同名端和非同名端作为输出端。为了更好的实现本发明的目的，所述处理芯片U优选SG3525AJ集成芯片来实现。
[0018]其中，所述脉宽调制电路由三极管VTl，三极管VT2，电阻Rl，电阻R2，电阻R3，二极管D1，二极管D2，二极管D3以及电容C2组成。
[0019]连接时，电阻R3的一端与电容Cl的正极相连接、其另一端与处理芯片U的DISC管脚相连接。二极管02的~极与处理芯片U的CMOEN管脚相连接、其P极与电容Cl的正极相连接。二极管Dl的P极与电容Cl的正极相连接、其N极与三极管VTl的基极相连接。电阻Rl的串接在二极管D2的P极和三极管VT2的基极之间。电阻R2串接在三极管VT2的发射极和三极管VTl的发射极之间。二极管03的~极与处理芯片U的IN+管脚相连接、其P极与三极管VT2的集电极相连接。电容C2的正极与三极管VTl的发射极相连接、其负极与处理芯片U的IN-管脚相连接。所述三极管VTl的集电极与三极管VT2的基极相连接、其发射极接地。
[0020]另外，所述转换电路由场效应管MOSl，场效应管M0S2，电阻R7，电阻R8，电容C5，二极管D4以及二极管D5组成。
[0021 ] 连接时，电阻R7串接在处理芯片U的OUTA管脚和场效应管MOSl的栅极之间。电阻R8串接在处理芯片U的OUTB管脚和场效应管M0S2的栅极之间。电容C5的正极与场效应管MOSl的源极相连接、其负极与场效应管M0S2的源极相连接。二极管D4的N极与场效应管MOSl的漏极相连接、其P极与场效应管MOSl的源极相连接。二极管05的~极与场效应管M0S2的源极相连接、其P极与场效应管M0S2的漏极相连接。所述变压器T的原边电感线圈的非同名端则与场效应管M0S2的漏极相连接。所述场效应管MOSl的漏极则与功率放大电路相连接。
[0022]如图2所示，所述功率放大电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，电阻R9，电阻RlO，电阻Rll，电容C6，电容C7，电容C8，二极管D6以及二极管D7组成。
[0023]连接时，电容C6的负极与三极管VT3的基极相连接、其正极与场效应管MOSl的漏极相连接。电阻R9串接在三极管VT3的发射极和三极管VT4的发射极之间。二极管06的~极与三极管VT3的集电极相连接、其P极与二极管07的_及相连接。所述二极管D7的P极则与三极管VT5的集电极相连接。电容C7的正极与三极管VT6的发射极相连接、其负极与三极管VT5的发射极相连接。电阻R11串接在三极管VT7的发射极和电容C7的负极之间。电阻R1串接在二极管D6的N极和三极管VT7的集电极之间。电容C8的正极与三极管VT7的集电极相连接、其负极与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接。
[0024]同时，所述三极管VT4的集电极与三极管VT3的集电极相连接、其发射极与三极管VT5的基极相连接、其基极则与三极管VT6的集电极相连接。所述三极管VT6的基极与三极管VT5的集电极相连接、其集电极与三极管VT7的基极相连接。
[0025]本发明采用SG3525AJ集成芯片作为处理芯片，并采用脉冲宽度调制的方式对系统进行控制，极大的降低了系统自身的能耗，从而使本发明的转换效率达到94%以上。本发明可以输出大功率，从而满足大功率用电负载的要求。
[0026]如上所述，便可很好的实现本发明。
【主权项】
1.一种基于功率放大电路的正弦波逆变系统，其特征在于:主要由处理芯片U，变压器T，正极作为输入端、负极接地的电容Cl，串接在电容Cl的正极和处理芯片U的VCC管脚之间的电阻R5，串接在电容Cl的正极和处理芯片U的VC管脚之间的电阻R6，正极与处理芯片U的SS管脚相连接、负极接地的电容C4，负极与处理芯片U的SD管脚相连接、正极接地的电容C3，串接在电容C3的正极和处理芯片U的GND管脚之间的电阻R4，串接在电容Cl的正极和处理芯片U之间的脉宽调制电路，与处理芯片U相连接的转换电路，串接在转换电路和变压器T的原边电感线圈的同名端之间的功率放大电路组成;所述电容Cl的正极与变压器T的原边电感线圈的抽头相连接;所述变压器T的原边电感线圈的非同名端与转换电路相连接;所述变压器T的副边电感线圈的同名端和非同名端作为输出端。2.根据权利要求1所述的一种基于功率放大电路的正弦波逆变系统，其特征在于:所述功率放大电路由三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，三极管VT6，三极管VT7，负极与三极管VT3的基极相连接、正极与转换电路相连接的电容C6，串接在三极管VT3的发射极和三极管VT4的发射极之间的电阻R9，N极与三极管VT3的集电极相连接、P极经二极管D7后与三极管VT5的集电极相连接的二极管D6，正极与三极管VT6的发射极相连接、负极与三极管VT5的发射极相连接的电容C7，串接在三极管VT7的发射极和电容C7的负极之间的电阻Rll，串接在二极管06的~极和三极管VT7的集电极之间的电阻RlO，以及正极与三极管VT7的集电极相连接、负极与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接的电容CS组成;所述三极管VT4的集电极与三极管VT3的集电极相连接、其发射极与三极管VT5的基极相连接、其基极则与三极管VT6的集电极相连接;所述三极管VT6的基极与三极管VT5的集电极相连接、其集电极与三极管VT7的基极相连接。3.根据权利要求2所述的一种基于功率放大电路的正弦波逆变系统，其特征在于:所述脉宽调制电路由三极管VTl，三极管VT2，一端与电容Cl的正极相连接、另一端与处理芯片U的DISC管脚相连接的电阻R3，N极与处理芯片U的CMOEN管脚相连接、P极与电容Cl的正极相连接的二极管D2，P极与电容Cl的正极相连接、N极与三极管VTl的基极相连接的二极管Dl，串接在二极管D2的P极和三极管VT2的基极之间的电阻Rl，串接在三极管VT2的发射极和三极管VTl的发射极之间的电阻R2，N极与处理芯片U的IN+管脚相连接、P极与三极管VT2的集电极相连接的二极管D3，以及正极与三极管VTl的发射极相连接、负极与处理芯片U的IN-管脚相连接的电容C2组成;所述三极管VTl的集电极与三极管VT2的基极相连接、其发射极接地。4.根据权利要求3所述的一种基于功率放大电路的正弦波逆变系统，其特征在于:所述转换电路由场效应管MOSl，场效应管M0S2，串接在处理芯片U的OUTA管脚和场效应管MOSl的栅极之间的电阻R7，串接在处理芯片U的OUTB管脚和场效应管M0S2的栅极之间的电阻R8，正极与场效应管MOSl的源极相连接、负极与场效应管M0S2的源极相连接的电容C5，N极与场效应管MOSl的漏极相连接、P极与场效应管MOSl的源极相连接的二极管D4，以及N极与场效应管M0S2的源极相连接、P极与场效应管M0S2的漏极相连接的二极管D5组成;所述变压器T的原边电感线圈的非同名端则与场效应管M0S2的漏极相连接;所述场效应管MOSl的漏极与电容C6的正极相连接。5.根据权利要求4所述的一种基于功率放大电路的正弦波逆变系统，其特征在于:所述处理芯片U为SG3525AJ集成芯片。
【文档编号】H02M7/5395GK106026751SQ201610517016
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年7月4日
【发明人】不公告发明人
【申请人】成都思博特科技有限公司