中压变频柜功率单元的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种变频柜用功率单元结构，具体是一种使用风冷散热器进行热交换的中压变频柜功率单元。
【背景技术】
[0002]在中压变频柜中，功率单元部分都是独立于柜体的结构，柜内发热器件及功率单元部分都是通过风机完成热交换，从而达到散热的目的；作为中压变频柜的核心，功率单元设计时一般都是只将IGBT模块和整流桥进行冷却，其他部件如电容、母排由于相对于IGBT模块发热量小而不进行散热考虑。
[0003]而实际运行情况下，现场运行条件复杂多变加上变频柜结构密闭，使得IGBT模块的热量不能被完全带走，功率单元内部发热量逐渐累积，同时功率单元内部其他器件如叠层母排、电容也会发热，当热量累积到一定程度时将会影响直流支撑电容的性能，甚至损坏器件。
【发明内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是，在传统功率单元使用风冷散热条件下，解决主要损耗部分(IGBT模块和整流桥)同时进行散热处理，使得功率单元内部形成强迫风冷，降低母排、电容器件本体的热量及减少功率器件损坏的中压变频柜功率单元。
[0005]为了解决上述技术问题，本实用新型的中压变频柜功率单元，包括壳体，壳体由隔板分隔成左右两个腔体，其中一个腔室为功率单元室，功率单元室上方安装TGBT模块和整流单元，TGBT模块和整流单元下方设置有散热器，TGBT模块上安装有复合母排，复合母排上安装吸收电容，另外一个腔室内安装支撑电容，支撑电容上方安装控制电路板。
[0006]所述支撑电容的一侧还设置有控制变压器。
[0007]采用上述的结构后，当把功率单元投放在中压变频柜内部时，由于A、B、C三相是从上到下安装布置，只需要在顶部安装风机，即可以在变频柜内部形成循环风路，在IGBT模块和整流桥风冷的条件下，其他部件包括电容、母排等也可以通过循环风冷进行热交换；由此实现了功率单元内部形成强迫风冷，降低母排、电容器件本体的热量及减少功率器件损坏的目的，其结构紧凑、安装方便，并使功率单元内部器件散热更加有效，使风中压变频柜内部形成风冷循环，减少了功率单元器件损坏，降低了公司现场维护成本。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型中压变频柜功率单元的立体结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]下面结合附图和【具体实施方式】，对本实用新型的中压变频柜功率单元作进一步详细说明。
[0010]如图所示，本实用新型的中压变频柜功率单元，包括壳体1，壳体I由隔板分为左右两个腔室，其中一个腔室为功率单元室，功率单元室上方安装TGBT模块2和整流单元3，TGBT模块2上安装有复合母排7，复合母排7上安装吸收电容8，TGBT模块2和整流单元3下方设置有散热器4，散热器4用于IGBT模块和整流单元的热交换，同时整个右腔室的散热也主要靠散热器进行热交换；另外一个腔室内安装支撑电容5，也就是说将支撑电容5与主要损耗器件隔开；支撑电容5上方安装控制电路板6，支撑电容5的一侧还设置有控制变压器9 ;当把功率单元投放在中压变频柜内部时，由于A、B、C三相是从上到下安装布置，只需要在顶部安装风机，即可以再变频柜内部形成循环风路，在IGBT模块和整流桥风冷的条件下，其他部件包括电容、母排等也可以通过循环风冷进行热交换。
【主权项】
1.一种中压变频柜功率单元，其特征在于:包括壳体(1)，所述壳体(I)由隔板分隔成左右两个腔体，其中一个腔室为功率单元室，功率单元室上方安装TGBT模块(2)和整流单元(3)，TGBT模块(2)和整流单元(3)下方设置有散热器(4)，TGBT模块(2)上安装有复合母排(7)，复合母排(7)上安装吸收电容(8)，另外一个腔室内安装支撑电容(5)，支撑电容(5 )上方安装控制电路板(6 )。
2.按照权利要求1所述的中压变频柜功率单元，其特征在于:所述支撑电容(5)的一侧还设置有控制变压器(9)。
【专利摘要】本实用新型公开了一种变频柜用功率单元结构，具体是一种使用风冷散热器进行热交换的中压变频柜功率单元。它包括壳体，壳体由隔板分隔成左右两个腔体，其中一个腔室为功率单元室，功率单元室上方安装TGBT模块和整流单元，TGBT模块和整流单元下方设置有散热器，TGBT模块上安装有复合母排，复合母排上安装吸收电容，另外一个腔室内安装支撑电容，支撑电容上方安装控制电路板。采用上述的结构后，实现了功率单元内部形成强迫风冷，降低母排、电容器件本体的热量及减少功率器件损坏的目的，其结构紧凑、安装方便，并使功率单元内部器件散热更加有效，使风中压变频柜内部形成风冷循环，减少了功率单元器件损坏，降低了公司现场维护成本。
【IPC分类】H02M1-00, H05K7-20
【公开号】CN204304765
【申请号】CN201420859846
【发明人】陈兵, 宋军会, 周峰
【申请人】江苏大全箱变科技有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年12月30日