一种提高并联功率mosfet均流性能的装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电源技术领域，具体涉及一种提高并联功率MOSFET均流性能的
目.ο
【背景技术】
[0002]由于制造工艺所限，目前很难生产出高耐压大电流的MOSFET器件，市场上的MOSFET功率普遍较小，当电路要求的电流容量超过单只功率MOSFET的电流容量时，可以将多个MOSFET管并联来增大电流容量或功率。由于MOSFET的漏电流具有负的温度系数，当多个MOSFET并联时无须使用平衡各器件电流的限流电阻和温度补偿电路，因为它们具有自动均流和均温作用。但其不足之处是:由于MOSFET自身参数及电路参数不匹配，会导致器件并联应用时出现电流分配不均的问题，严重时，会使有关的并联功率MOSFET过载而损坏。即使可以采用一些措施来达到均流的目的，例如尽量选择参数一致的元件进行并联，为器件安装位置应尽量做到完全对称，所有连线必须一样长，且尽量加粗和缩短等。但是这些措施的可操作性较差，稍有出入就会影响实际的使用效果，甚至使MOSFET损坏。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于解决现有MOSFET电路各支路因参数不一致等问题造成的电流过大而烧坏器件的冋题，提供一种能够提尚多路并联功率MOSFET均流性能的提尚并联功率MOSFET均流性能的装置。
[0004]本实用新型是这样实现的:
[0005]一种提高并联功率MOSFET均流性能的装置，包括若干并联支路和驱动电路，每条并联支路包括两个串联的同型号的功率M0SFET，驱动电路与两个串联的同型号的功率MOSFET并联，分别驱动两个串联的同型号的功率MOSFET。
[0006]如上所述的驱动电路采用电阻分压形式。
[0007]如上所述的并联支路数为8。
[0008]如上所述的驱动电路由串联的阻值分别为10kQ和200kQ的分压电阻组成。
[0009]如上所述的8个并联支路中的各有一个功率MOSFET的栅极并联后连接在串联两个分压电阻的电路上，该8个功率MOSFET的漏极与阻值为10kQ的分压电阻的一端并联在80V电源的输出端，该8个功率MOSFET的源极分别与8个并联支路中的另一个功率MOSFET的漏极连接；8个并联支路中的另一个功率MOSFET的栅极与阻值为200k Ω的分压电阻的一端并联在53V电源的输出端，8个并联支路中的另一个功率MOSFET的源极相连接。
[0010]如上所述的8个并联支路中的各有一个功率MOSFET的栅极并联后连接在串联两个分压电阻的电路上，该8个功率MOSFET的漏极与阻值为10kQ的分压电阻的一端并联在80V电源的输出端，该8个功率MOSFET的源极分别与8个并联支路中的另一个功率MOSFET的漏极连接；8个并联支路中的另一个功率MOSFET的栅极与阻值为200k Ω的分压电阻的一端并联在59V电源的输出端，8个并联支路中的另一个功率MOSFET的源极相连接。
[0011]如上所述的8个并联支路中的各有一个功率MOSFET的栅极并联后连接在串联两个分压电阻的电路上，该8个功率MOSFET的漏极与阻值为10kQ的分压电阻的一端并联在80V电源的输出端，该8个功率MOSFET的源极分别与8个并联支路中的另一个功率MOSFET的漏极连接；8个并联支路中的另一个功率MOSFET的栅极与阻值为200k Ω的分压电阻的一端并联在6IV电源的输出端，8个并联支路中的另一个功率MOSFET的源极相连接。
[0012]本实用新型的有益效果在于:
[0013]本实用新型将功率相同的功率MOSFET串联后并联，并配以驱动电路确保两个串联的功率MOSFET的驱动信号同步，还可根据电路总的电流输出值调整电路结构，在定性的基础上即可解决并联功率MOSFET由于参数不一致而造成的分流不均从而烧坏器件的问题。不必再采取要求极为苛刻且可操作性较差的措施来保证均流。该装置原理简单，工艺稳定，重现性好。具有适应各类型需采用并联功率MOSFET均流的场合的特色，且适应于工业化规模生产。
【附图说明】
[0014]图1是本实用新型的一种提高并联功率MOSFET均流性能的装置的结构原理图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图和具体实例对本发明的一种提高并联功率MOSFET均流性能的装置进行描述:
[0016]—种提高并联功率MOSFET均流性能的装置，包括若干并联支路和驱动电路，并联支路η由各并联支路的设计电流值和电路总的输出电流值决定，计算公式为:
[0017]n = I/i ；
[0018]式中，i为各支路设计电流值，I为电路总的输出电流值。
[0019]每条并联支路包括两个串联的同型号的功率M0SFET，驱动电路与两个串联的同型号的功率MOSFET并联，分别驱动两个串联的同型号的功率M0SFET，驱动电路使两个串联的功率MOSFET的驱动信号同步。驱动电路可采用电阻分压形式，也可采用其它形式。
[0020]在本实施例中，如图1所示，电路总的输出电流值I = 16A，各支路设计电流值i =2A，并联支路数η = 16/2 = 8。驱动电路由串联的阻值分别为10kQ和200kQ的分压电阻组成，8个并联支路中的各有一个功率MOSFET的栅极并联后连接在串联两个分压电阻的电路上，该8个功率MOSFET的漏极与阻值为10kQ的分压电阻的一端并联在80V电源的输出端，该8个功率MOSFET的源极分别与8个并联支路中的另一个功率MOSFET的漏极连接。8个并联支路中的另一个功率MOSFET的栅极与阻值为200k Ω的分压电阻的一端并联在53V电源的输出端，8个并联支路中的另一个功率MOSFET的源极相连接。
[0021]在其他的一个实施例中，如图1所示，并联支路数η = 8。驱动电路由串联的阻值分别为10kQ和200kQ的分压电阻组成，8个并联支路中的各有一个功率MOSFET的栅极并联后连接在串联两个分压电阻的电路上，该8个功率MOSFET的漏极与阻值为10kQ的分压电阻的一端并联在80V电源的输出端，该8个功率MOSFET的源极分别与8个并联支路中的另一个功率MOSFET的漏极连接。8个并联支路中的另一个功率MOSFET的栅极与阻值为200k Ω的分压电阻的一端并联在59V电源的输出端，8个并联支路中的另一个功率MOSFET的源极相连接。
[0022]在另一个实施例中，如图1所示，并联支路数η = 8。驱动电路由串联的阻值分别为10kQ和200kQ的分压电阻组成，8个并联支路中的各有一个功率MOSFET的栅极并联后连接在串联两个分压电阻的电路上，该8个功率MOSFET的漏极与阻值为10k Ω的分压电阻的一端并联在80V电源的输出端，该8个功率MOSFET的源极分别与8个并联支路中的另一个功率MOSFET的漏极连接。8个并联支路中的另一个功率MOSFET的栅极与阻值为200k Ω的分压电阻的一端并联在61V电源的输出端，8个并联支路中的另一个功率MOSFET的源极相连接。
[0023]本实用新型将功率相同的功率MOSFET串联后并联，并配以驱动电路确保两个串联的功率MOSFET的驱动信号同步，还可根据电路总的电流输出值调整电路结构，在定性的基础上即可解决并联功率MOSFET由于参数不一致而造成的分流不均从而烧坏器件的问题。不必再采取要求极为苛刻且可操作性较差的措施来保证均流。该装置原理简单，工艺稳定，重现性好。具有适应各类型需采用并联功率MOSFET均流的场合的特色，且适应于工业化规模生产。
【主权项】
1.一种提高并联功率MOSFET均流性能的装置，其特征在于:包括若干并联支路和驱动电路，每条并联支路包括两个串联的同型号的功率M0SFET，驱动电路与两个串联的同型号的功率MOSFET并联。
2.根据权利要求1所述的一种提高并联功率MOSFET均流性能的装置，其特征在于:所述的驱动电路采用电阻分压形式。
3.根据权利要求1所述的一种提高并联功率MOSFET均流性能的装置，其特征在于:所述的并联支路数为8。
4.根据权利要求2所述的一种提高并联功率MOSFET均流性能的装置，其特征在于:所述的驱动电路由串联的阻值分别为10kQ和200kQ的分压电阻组成。
5.根据权利要求3所述的一种提高并联功率MOSFET均流性能的装置，其特征在于:所述的8个并联支路中的各有一个功率MOSFET的栅极并联后连接在串联两个分压电阻的电路上，该8个功率MOSFET的漏极与阻值为10kQ的分压电阻的一端并联在80V电源的输出端，该8个功率MOSFET的源极分别与8个并联支路中的另一个功率MOSFET的漏极连接；8个并联支路中的另一个功率MOSFET的栅极与阻值为200kQ的分压电阻的一端并联在53V电源的输出端，8个并联支路中的另一个功率MOSFET的源极相连接。
6.根据权利要求3所述的一种提高并联功率MOSFET均流性能的装置，其特征在于:所述的8个并联支路中的各有一个功率MOSFET的栅极并联后连接在串联两个分压电阻的电路上，该8个功率MOSFET的漏极与阻值为10kQ的分压电阻的一端并联在80V电源的输出端，该8个功率MOSFET的源极分别与8个并联支路中的另一个功率MOSFET的漏极连接；8个并联支路中的另一个功率MOSFET的栅极与阻值为200kQ的分压电阻的一端并联在59V电源的输出端，8个并联支路中的另一个功率MOSFET的源极相连接。
7.根据权利要求3所述的一种提高并联功率MOSFET均流性能的装置，其特征在于:所述的8个并联支路中的各有一个功率MOSFET的栅极并联后连接在串联两个分压电阻的电路上，该8个功率MOSFET的漏极与阻值为10kQ的分压电阻的一端并联在80V电源的输出端，该8个功率MOSFET的源极分别与8个并联支路中的另一个功率MOSFET的漏极连接；8个并联支路中的另一个功率MOSFET的栅极与阻值为200kQ的分压电阻的一端并联在61V电源的输出端，8个并联支路中的另一个功率MOSFET的源极相连接。
【专利摘要】本实用新型属于电源技术领域，具体涉及一种提高并联功率MOSFET均流性能的装置，目的在于解决现有MOSFET电路各支路因参数不一致等问题造成的电流过大而烧坏器件的问题。其特征在于：包括若干并联支路和驱动电路，每条并联支路包括两个串联的同型号的功率MOSFET，驱动电路与两个串联的同型号的功率MOSFET并联。本实用新型在定性的基础上即可解决并联功率MOSFET由于参数不一致而造成的分流不均从而烧坏器件的问题。不必再采取要求极为苛刻且可操作性较差的措施来保证均流。该装置原理简单，工艺稳定，重现性好。具有适应各类型需采用并联功率MOSFET均流的场合的特色，且适应于工业化规模生产。
【IPC分类】H02M1-06
【公开号】CN204304768
【申请号】CN201420618904
【发明人】徐超, 姜祝, 赵一阳, 武东健, 吴永红
【申请人】北京航天计量测试技术研究所, 中国运载火箭技术研究院
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年10月23日