一种用于便携设备的充电接口处理电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种用于便携设备的充电接口处理电路，包括充电母座P1、电阻R1、MOS管Q1、MOS管Q2、正输出接口VCHG、负输出接口GND、MOS管Q3、MOS管Q4、电阻R2及充电母座P2。本实用新型是一种低电压、高效率、可正反接的充电处理电路，解决了便携设备在充电接口方面需要方向防呆和接口体积过大的问题，满足便携设备在充电接口的优化，可以减少充电接口的设计复杂度和成本，减少便携设备损毁风险的同时，可以方便老人家和小孩的使用。本实用新型使用MOS管同步整流方式，MOS管成本低且性价比高，导通内阻可达毫欧数量级，无大电流整流产生的压降引起的发热和功率损失问题。
【专利说明】
一种用于便携设备的充电接口处理电路
技术领域
[0001]本实用新型涉及便携设备智能充电技术领域，尤其涉及一种用于便携设备的充电接口处理电路。
【背景技术】
[0002]目前市场上大部分便携设备如手机、平板等充电电流方向上都是单一性的，以至于充电接口的使用必须要具有方向性，插反了会损坏设备或外观，不便于一些老花眼的老人或者小孩使用。如果采用苹果数据接口的那种对称设计的话，会增加相应的充电线路，造成相应的接口体积和成本增加。而使用整流桥的话，又会增加相应的体积和功耗。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于通过一种用于便携设备的充电接口处理电路，来解决以上【背景技术】部分提到的问题。
[0004]为达此目的，本实用新型采用以下技术方案:
[0005]—种用于便携设备的充电接口处理电路，其包括充电母座Pl、电阻Rl、M0S管Ql、MOS管Q2、正输出接口 VCHG、负输出接口 GND、M0S管Q3、M0S管Q4、电阻R2及充电母座P2;所述充电母座Pl连接电阻Rl的一端、MOS管Ql漏极、MOS管Q2源极、MOS管Q3栅极、MOS管Q4栅极，电阻Rl的另一端与MOS管Ql源极、正输出接口 VCHG、M0S管Q3源极连接，MOS管Q2漏极连接负输出接口 GND、M0S管Q4漏极、电阻R2的一端，电阻R2的另一端与MOS管Ql栅极、MOS管Q2栅极、MOS管Q3漏极、MOS管Q4源极、充电母座P2连接。
[0006]特别地，所述MOS管Q1、M0S管Q3均选用P沟道MOS管，MOS管Q2、M0S管Q4均选用N沟道MOS管。
[0007]本实用新型提出的用于便携设备的充电接口处理电路是一种低电压、高效率、可正反接的充电处理电路，解决了便携设备在充电接口方面需要方向防呆和接口体积过大的问题，满足便携设备在充电接口的优化，可以减少充电接口的设计复杂度和成本，减少便携设备损毁风险的同时，可以方便老人家和小孩的使用。本实用新型使用MOS管同步整流方式，MOS管成本低且性价比高，导通内阻可达毫欧数量级，无大电流整流产生的压降引起的发热和功率损失问题，MOS管损失电压是毫伏级，损失功率也是毫伏安级，而传统桥式整流采用压降0.5v的二极管，损失的电压lv，损失功率1VA，并会带来发热问题。
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型实施例提供的用于便携设备的充电接口处理电路结构图。
【具体实施方式】
[0009]为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0010]请参照图1所示，图1为本实用新型实施例提供的用于便携设备的充电接口处理电路结构图。
[0011]本实施例中用于便携设备的充电接口处理电路具体包括充电母座P1、电阻RUMOS管Ql、M0S管Q2、正输出接口 VCHG、负输出接口 GND、M0S管Q3、M0S管Q4、电阻R2及充电母座P2。所述充电母座Pl连接电阻Rl的一端、MOS管Ql漏极、MOS管Q2源极、MOS管Q3栅极、MOS管Q4栅极，电阻Rl的另一端与MOS管Ql源极、正输出接口 VCHG、M0S管Q3源极连接，MOS管Q2漏极连接负输出接口 GND、M0S管Q4漏极、电阻R2的一端，电阻R2的另一端与MOS管Ql栅极、MOS管Q2栅极、MOS管Q3漏极、MOS管Q4源极、充电母座P2连接。
[0012]在本实施例中所述MOS管Q1、M0S管Q3均选用P沟道MOS管，MOS管Q2、M0S管Q4均选用
N沟道MOS管。
[0013]下面对本实用新型的工作原理扼要说明如下:当接口正方向插入充电母座(Pl，P2)时，充电母座Pl端AC_L为正，充电母座P2端AC_N为负，此时，根据MOS管开关特性，MOS管Q3和MOS管Q2同时关闭，MOS管Ql和MOS管Q4同时打开，这时电流流向为:ACJ^MOS管Q1—正输出接口 VCHG—负载—负输出接口 GND—M0S管Q4—AC_N;同样的，当接口为负方向接入时，AC_L为负，AC_N为正，此时，根据MOS管开关特性，MOS管Q3和MOS管Q2同时打开，MOS管Ql和MOS管Q4同时关闭，这时电流流向为:AC_N—M0S管Q3—正输出接口 VCHG—负载—负输出接口 GND—M0S管Q2—AC_L ；经过本实用新型调整后，正反充电接口插入时，就会在VCHG和GND之间形成两个正向的半周给到充电1C，以达到外部接口可以任意方向插入。
[0014]本实用新型的技术方案是一种低电压、高效率、可正反接的充电处理电路，解决了便携设备在充电接口方面需要方向防呆和接口体积过大的问题，满足便携设备在充电接口的优化，可以减少充电接口的设计复杂度和成本，减少便携设备损毁风险的同时，可以方便老人家和小孩的使用。本实用新型使用MOS管同步整流方式，MOS管成本低且性价比高，导通内阻可达毫欧数量级，无大电流整流产生的压降引起的发热和功率损失问题，MOS管损失电压是毫伏级，损失功率也是毫伏安级，而传统桥式整流采用压降0.5v的二极管，损失的电压IV，损失功率IVA，并会带来发热问题。
[0015]注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。
【主权项】
1.一种用于便携设备的充电接口处理电路，其特征在于，包括充电母座P1、电阻Rl、MOS管Ql、MOS管Q2、正输出接口 VCHG、负输出接口 GND、MOS管Q3、MOS管Q4、电阻R2及充电母座P2 ；所述充电母座Pl连接电阻Rl的一端、MOS管Ql漏极、MOS管Q2源极、MOS管Q3栅极、MOS管Q4栅极，电阻Rl的另一端与MOS管Ql源极、正输出接口 VCHG、M0S管Q3源极连接，MOS管Q2漏极连接负输出接口 GND、M0S管Q4漏极、电阻R2的一端，电阻R2的另一端与MOS管Ql栅极、MOS管Q2栅极、MOS管Q3漏极、MOS管Q4源极、充电母座P2连接。2.根据权利要求1所述的用于便携设备的充电接口处理电路，其特征在于，所述MOS管.01、]?03管03均选用？沟道祖)3管，]\?)3管02、]\?)3管04均选用咐勾道祖)3管。
【文档编号】H02J7/00GK205595821SQ201620161557
【公开日】2016年9月21日
【申请日】2016年3月2日
【发明人】孟令志
【申请人】无锡久源软件科技有限公司