专利名称：比较器的前级差分放大电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种差分放大电路，尤其是一种用于比较器前级的差分放大电路。
背景技术：
比较器是电路里常用到的电路。现有技术的比较器对的两个输入端的差分值都有一个最小值点，当两个输入端的差值小于该最小差值时便不能工作，是的在电路中识别较小值时受到极大的限制
实用新型内容
本实用新型的发明目的在于针对上述存在的问题，提供一种比较器的前级差分放大电路，可以将较小的差值先放大再通过比较器进行处理。本实用新型采用的技术方案是这样的一种比较器的前级差分放大电路，该电路的第一输出端和第二输出端连接比较器的两个输入端，所述前级差分放大电路包括第一PMOS晶体管、第二 PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第一 NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管。所述第一PMOS晶体管的源极连接电压源，栅极连接第二PMOS晶体管的栅极，漏极连接第一 NMOS晶体管的漏极；所述第二 PMOS晶体管的源极连接电压源，漏极连接第二输出端、第三NMOS晶体管的漏极和第四NMOS晶体管的漏极；所述第三PMOS晶体管的源极连接电压源，栅极连接第四PMOS晶体管的栅极，漏极连接第二 NMOS晶体管的漏极；所述第四PMOS晶体管的源极连接电压源，漏极连接第一输出端、第五NMOS晶体管的漏极和第六NMOS晶体管的漏极；所述第一 NMOS晶体管的栅极连接第一输入端，源极通过恒流源接地；所述第二NMOS晶体管的栅极连接第二输入端，源极通过恒流源接地；所述第三NMOS晶体管的栅极连接第五NMOS晶体管的栅极，源极接地；所述第四NMOS晶体管的栅极连接第六NMOS晶体管的栅极，源极接地；第五NMOS晶体管的源极和第六NMOS晶体管的源极均接地。作为优选，所述的第一 PMOS晶体管、第二 PMOS晶体管、第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管为参数相同的PMOS晶体管。作为优选，所述的第一 NMOS晶体管和第二 NMOS晶体管为参数相同的NMOS晶体管。作为优选，所述的第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管、第五NMOS晶体管和第六NMOS晶体管为参数相同的NMOS晶体管。综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是该电路可以将输入到比较器的差分信号放大，避免了比较器的盲区，使得比较器的工作范围更宽，适用范围更广。
[0010]图I是本实用新型比较器的前级差分放大电路的电路原理图。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型作详细的说明。为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。如图I所示，是本实用新型比较器的前级差分放大电路的电路原理图。本实用新型的一种比较器的前级差分放大电路，该电路是置于比较器的前级电路的，即该电路的第一输出端OUTl和第二输出端0UT2连接比较器的两个输入端。本实用新 型的所述前级差分放大电路包括第一 PMOS晶体管P1、第二 PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第四PMOS晶体管P4、第一 NMOS晶体管NI、第二 NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4、第五NMOS晶体管N5和第六NMOS晶体管N6。其中所述的第一PMOS晶体管P1、第二 PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3和第四PMOS晶体管P4采用参数相同的PMOS晶体管，所述的第一 NMOS晶体管NI和第二 NMOS晶体管N2采用参数相同的NMOS晶体管，所述的第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4、第五NMOS晶体管N5和第六NMOS晶体管N6采用参数相同的NMOS晶体管。下面结合图I对本实用新型上述的各元器件之间的连接关系做进一步详细说明所述第一 PMOS晶体管Pl的源极连接电压源VDD，栅极连接第二 PMOS晶体管P2的栅极，漏极连接第一 NMOS晶体管NI的漏极；所述第二 PMOS晶体管P2的源极连接电压源VDD，漏极连接第二输出端0UT2、第三NMOS晶体管N3的漏极和第四NMOS晶体管N4的漏极；所述第三PMOS晶体管P3的源极连接电压源VDD，栅极连接第四PMOS晶体管P4的栅极，漏极连接第二 NMOS晶体管N2的漏极；所述第四PMOS晶体管P4的源极连接电压源VDD，漏极连接第一输出端0UT1、第五NMOS晶体管N5的漏极和第六NMOS晶体管N6的漏极；所述第一 NMOS晶体管NI的栅极连接第一输入端NI，源极通过恒流源I接地；所述第二 NMOS晶体管N2的栅极连接第二输入端N2，源极通过恒流源I接地；所述第三NMOS晶体管N3的栅极连接第五NMOS晶体管N5的栅极，源极接地；所述第四NMOS晶体管N4的栅极连接第六NMOS晶体管N6的栅极，源极接地；第五NMOS晶体管N5的源极和第六NMOS晶体管N6的源极均接地。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种比较器的前级差分放大电路，其特征在于，该电路的第一输出端(OUTl)和第二输出端(0UT2)连接比较器的两个输入端，所述前级差分放大电路包括第一 PMOS晶体管(P1)、第二 PMOS晶体管(P2)、第三PMOS晶体管(P3)、第四PMOS晶体管(P4)、第一 NMOS晶体管(NI)、第二NMOS晶体管(N2)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和第六NMOS晶体管(N6); 所述第一 PMOS晶体管(Pl)的源极连接电压源(VDD)，栅极连接第二 PMOS晶体管(P2)的栅极，漏极连接第一 NMOS晶体管(NI)的漏极；所述第二 PMOS晶体管(P2)的源极连接电压源(VDD)，漏极连接第二输出端(0UT2)、第三NMOS晶体管(N3)的漏极和第四NMOS晶体管(N4)的漏极；所述第三PMOS晶体管(P3)的源极连接电压源(VDD)，栅极连接第四PMOS晶体管(P4)的栅极，漏极连接第二 NMOS晶体管(N2)的漏极；所述第四PMOS晶体管(P4)的源极连接电压源(VDD)，漏极连接第一输出端(0UT1)、第五NMOS晶体管(N5)的漏极和第六NMOS晶体管(N6)的漏极； 所述第一 NMOS晶体管(NI)的栅极连接第一输入端(NI)，源极通过恒流源(I)接地；所述第二 NMOS晶体管(N2)的栅极连接第二输入端(N2)，源极通过恒流源(I)接地；所述第三NMOS晶体管(N3)的栅极连接第五NMOS晶体管(N5)的栅极，源极接地；所述第四NMOS晶体管(N4)的栅极连接第六NMOS晶体管(N6)的栅极，源极接地；第五NMOS晶体管(N5)的源极和第六NMOS晶体管(N6)的源极均接地。
2.根据权利要求I所述的比较器的前级差分放大电路，其特征在于，所述的第一PMOS晶体管(P1)、第二 PMOS晶体管(P2)、第三PMOS晶体管(P3)和第四PMOS晶体管(P4)为参 数相同的PMOS晶体管。
3.根据权利要求I所述的比较器的前级差分放大电路，其特征在于，所述的第一NMOS晶体管(NI)和第二匪OS晶体管(N2)为参数相同的NMOS晶体管。
4.根据权利要求I所述的比较器的前级差分放大电路，其特征在于，所述的第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和第六NMOS晶体管(N6)为参数相同的NMOS晶体管。
专利摘要本实用新型公开了一种比较器的前级差分放大电路。该电路的第一输出端(OUT1)和第二输出端(OUT2)连接比较器的两个输入端，所述前级差分放大电路包括第一PMOS晶体管(P1)、第二PMOS晶体管(P2)、第三PMOS晶体管(P3)、第四PMOS晶体管(P4)、第一NMOS晶体管(N1)、第二NMOS晶体管(N2)、第三NMOS晶体管(N3)、第四NMOS晶体管(N4)、第五NMOS晶体管(N5)和第六NMOS晶体管(N6)。本实用新型的有益效果是该电路可以将输入到比较器的差分信号放大，避免了比较器的盲区，使得比较器的工作范围更宽，适用范围更广。
文档编号H03F3/45GK202798591SQ20122047276
公开日2013年3月13日 申请日期2012年9月17日 优先权日2012年9月17日
发明者王纪云, 余力, 王晓娟 申请人:郑州单点科技软件有限公司