一种通讯电路的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种通讯电路，包括第一通讯器件、第二通讯器件、通讯线路、分压模块、MOS管双向数据传输模块、电源模块。所述通讯线路包括时钟信号线SCL、数据线SDA，电源模块包括第一电源VCC_A、第二电源VCC_B。所述时钟信号线SCL的一端SCL_A与第一通讯器件连接，另一端SCL_B与第二通讯器件连接，所述分压模块接在时钟信号线SCL的SCL_A端和SCL_B端之间，所述数据线SDA的一端SDA_A与第一通讯器件连接，另一端SDA_B与第二通讯器件连接，所述MOS管双向数据传输模块接在数据线SDA的SDA_A端和SDA_B端之间；所述第一通讯器件与第一电源VCC_A连接，所述第二通讯器件与第二电源VCC_B连接。采用分压模块和MOS管双向数据传输模块代替高速隔离光耦应用，节约资源，缩小体积。
【专利说明】
—种通讯电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电路，尤其涉及一种通讯电路。
技术背景
[0002]现在许多第一通讯器件(主控器件)与第二通讯器件之间的通讯都用到I2C总线，I2C总线是由数据线SDA和时钟信号线SCL构成的串行总线，可发送和接收数据，在CPU与被控IC之间、IC与IC之间进行双向传送。当第一通讯器件与第二通讯器件使用不同电源电压~0:_4和VCC_B)时，一般通过采用高速隔离光耦来联系它们之间的通讯，如图1所示，图1为现有技术的一种通讯电路原理图，该电路包括第一通讯器件1、第二通讯器件2、I2C总线、电源模块5、隔离传输模块6，第一通讯器件I和第二通讯器件2通过I2C总线进行通讯，第一通讯器件I和第二通讯器件2使用不同电源电压(VCC_A和VCC_B)，通过隔离传输模块6采用高速隔离光耦ADUM1250芯片来联系它们之间的通讯。但高速隔离光耦价格昂贵且体积大，难以满足生产中低成本体积小的需求。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种通讯电路，利用简单电路，替代高速隔离光耦应用，节约资源，缩小体积。
[0004]本发明的技术方案如下:一种通讯电路，其特征在于，包括第一通讯器件、第二通讯器件、通讯线路、分压模块、MOS管双向数据传输模块、电源模块；所述通讯线路包括时钟信号线SCL、数据线SDA，电源模块包括第一电源VCC_A、第二电源VCC_B ；
所述时钟信号线SCL的一端SCL_A与第一通讯器件连接，另一端SCL_B与第二通讯器件连接，所述分压模块接在时钟信号线SCL的SCL_A端和SCL_B端之间；所述数据线SDA的一端SDA_A与第一通讯器件连接，另一端SDA_B与第二通讯器件连接，所述MOS管双向数据传输模块接在数据线SDA的SDA_A端和SDA_B端之间；所述第一通讯器件与第一电源VCC_A连接，所述的第二通讯器件与第二电源VCC_B连接。
[0005]进一步地，所述分压模块包括电阻R1、电阻R2 ;所述电阻Rl的一端与时钟信号线SCL的SCL_A端连接到第一通讯器件，所述电阻Rl的另一端与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端接地，所述电阻R1、电阻R2的连接端与时钟信号线SCL的SCL_B端连接到第二通讯器件。
[0006]进一步地，所述MOS管双向数据传输模块包括NMOS管Ql，电阻R3，电阻R4，电阻R5 ；
所述NMOS管Ql的栅极通过通过电阻R3与第二电源VCC_B连接，所述NMOS管Ql的源极通过电阻R4与第二电源VCC_B连接，所述NMOS管Ql的源极还与数据线SDA的SDA_B端连接到第二通讯器件，所述NMOS管Ql的漏极通过电阻R5与第一电源VCC_A连接，所述NMOS管Ql的漏极还与数据线SDA的SDA_A端连接到第一通讯器件。
[0007]本发明的有益效果是:提供了一种通讯电路，采用分压模块和MOS管双向数据传输模块代替高速隔离光耦应用，节约资源，缩小体积。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为现有技术的一种通讯电路原理图；
图2为本发明一种通讯电路框图；
图3为本发明实施例一种通讯电路原理图。
【具体实施方式】
[0009]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。
[0010]参考图2，图2为本发明一种通讯电路框图，该电路包括第一通讯器件1、第二通讯器件2、通讯线路、分压模块3、M0S管双向数据传输模块4、电源模块5。一般第一通讯器件I为主控器件、第二通讯器件2为主控器件的外围智能芯片，主控器件和外围智能芯片采用不同电压的电源供电，分压模块3和MOS管双向数据传输模块4连接于二者之间，实现二者通讯。
[0011]本实施例中，主控器件和外围智能芯片之间通讯线路采用I2C总线形式。I2C总线由时钟信号线SCL、数据线SDA组成，主控器件I采用5V电源VCC_A供电、外围智能芯片采用3.3V电源VCC_B供电。时钟信号线SCL的一端SCL_A与主控器件I连接，另一端SCL_B与外围智能芯片2连接；分压模块3连接在时钟信号线SCL的SCL_A端和SCL_B端之间；数据线SDA的一端SDA_A与主控器件I连接，另一端SDA_B与外围智能芯片2连接，MOS管双向数据传输模块4接在数据线SDA的SDA_A端和SDA_B端之间。
[0012]参考图3所示，图3为本发明实施例一种通讯电路原理图。其中，分压模块2由电阻R1、电阻R2串联构成；所述电阻Rl的一端与时钟信号线SCL的SCL_A端连接到主控器件1，所述电阻Rl的另一端与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端接地，所述电阻R1、电阻R2的连接端与时钟信号线SCL的SCL_B端连接到外围智能芯片2。时钟线SCL经5V的第一电源VCC_A供电芯片端口输出，经分压后得到VCC_B即幅值为3.3V的时钟信号连接到外围智能芯片，这样时钟信号的高低电平完全对应。
[0013]所述MOS管双向数据传输模块4包括NMOS管Q1，电阻R3，电阻R4，电阻R5 ;所述NMOS管Ql的栅极通过通过电阻R3与第二电源VCC_B连接，所述NMOS管Ql的源极通过电阻R4与第二电源VCC_B连接，所述NMOS管Ql的源极还与数据线SDA的SDA_B端连接到外围智能芯片2，所述NMOS管Ql的漏极通过电阻R5与第一电源VCC_A连接，所述NMOS管Ql的漏极还与数据线SDA的SDA_A端连接到主控器件I。
[0014]现在的MOS管大多数具有内置二极管，本发明中可选用沟道电阻小，开关响应时间快的NMOS管。当SDA_B端低电平时，MOS管导通，SDA_A端也连接到低电平；iSDA_B端高电平时，MOS管不导通，SDA_B端因上拉电阻R5存在也保持高电平，实现了 SDA_B端到SDA_A端的电平传输。当SDA_A端低电平时，因MOS管内部二极管的存在，SDA_B端电压会拉低致使MOS管导通，从而让30八_8端连接到低电平；当SDA_A端高电平时，内部二极管也不能拉低SDA2端电压，MOS管不导通，SDA_B端因上拉电阻存在也保持高电平，实现了 SDA_A端到30八_8端的电平传输。
[0015]因此，分压模块和MOS管双向数据传输模块可代替高速隔离光耦应用，节约资源，缩小体积。
[0016]显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种通讯电路，其特征在于，包括第一通讯器件、第二通讯器件、通讯线路、分压模块、MOS管双向数据传输模块、电源模块；所述通讯线路包括时钟信号线SCL、数据线SDA，电源模块包括第一电源VCC_A、第二电源VCC_B ； 所述时钟信号线SCL的一端SCL_A与第一通讯器件连接，另一端SCL_B与第二通讯器件连接，所述分压模块接在时钟信号线SCL的SCL_A端和SCL_B端之间；所述数据线SDA的一端SDA_A与第一通讯器件连接，另一端SDA_B与第二通讯器件连接，所述MOS管双向数据传输模块接在数据线SDA的SDA_A端和SDA_B端之间；所述第一通讯器件与第一电源VCC_A连接，所述第二通讯器件与第二电源VCC_B连接。
2.根据权利要求1所述的一种通讯电路，其特征在于，所述分压模块包括电阻R1、电阻R2 ； 所述电阻Rl的一端与时钟信号线SCL的SCL_A端连接到第一通讯器件，所述电阻Rl的另一端与所述电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端接地，所述电阻R1、电阻R2的连接端与时钟信号线SCL的SCL_B端连接到第二通讯器件。
3.根据权利要求1所述的一种通讯电路，其特征在于，所述MOS管双向数据传输模块包括NMOS管Ql，电阻R3，电阻R4，电阻R5 ； 所述NMOS管Ql的栅极通过通过电阻R3与第二电源VCC_B连接，所述NMOS管Ql的源极通过电阻R4与第二电源VCC_B连接，所述NMOS管Ql的源极还与数据线SDA的SDA_B端连接到第二通讯器件，所述NMOS管Ql的漏极通过电阻R5与第一电源VCC_A连接，所述NMOS管Ql的漏极还与数据线SDA的SDA_A端连接到第一通讯器件。
【文档编号】H03K19/0175GK104378100SQ201410622222
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年11月7日 优先权日:2014年11月7日
【发明者】刘飞, 文锋, 阮旭松, 龚敏明, 徐国彬 申请人:惠州市亿能电子有限公司