dpc围坝陶瓷基板
技术领域
1.本实用新型涉及陶瓷基板领域技术，尤其是指一种dpc围坝陶瓷基板。
背景技术：
2.对于目前要求气密性封装的光器件来说，通常需要在陶瓷基板上设置有围坝，利用围坝所围构形成的容置空间可填充封装胶水，从而实现更好的气密性。现有技术中，采用dpc工艺制作3d围坝时，为了陶瓷基板整体不变形或者变形量符合标准，背面线路通过加厚来平衡正面应力，这种产品结构整体厚度太厚，满足不了一些特需领域用的3d围坝陶瓷基板的整体厚度要求。
3.因此，需要研究一种新的技术方案来解决上述问题。
技术实现要素：
4.有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种dpc围坝陶瓷基板，其主要是通过工艺边框加厚层的设计，有效解决了传统技术中，背面线路结构厚度太厚，满足不了一些特需领域用的3d围坝陶瓷基板的整体厚度要求的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：
6.一种dpc围坝陶瓷基板，包括有dpc陶瓷基板，所述dpc陶瓷基板具有相对侧设置的正面和背面，所述dpc陶瓷基板上设置有上线路层和下线路层，所述上线路层、下线路层分别设置于dpc陶瓷基本的正面和背面，所述dpc陶瓷基板具有线路层布置区和环绕线路层布置区的工艺边框区，所述上线路层和下线路层位于线路层布置区，所述上线路层的上表面设置有若干间距排布的金属围坝，所述dpc陶瓷基板的背面对应工艺边框区设置有工艺边框加厚层，所述工艺边框加厚层高于背面金属层。
7.作为一种优选方案，所述工艺边框区为环形区域。
8.作为一种优选方案，所述工艺边框加厚层为环形结构。
9.作为一种优选方案，所述dpc陶瓷基板为氮化铝陶瓷或氧化铝陶瓷或氮化硅陶瓷或铝硅碳陶瓷。
10.作为一种优选方案，所述工艺边框加厚层的外周侧面与dpc陶瓷基板的工艺边框区的外周侧面齐平。
11.作为一种优选方案，所述工艺边框加厚层为金属镀层。
12.本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言,由上述技术方案可知，其主要是通过所述工艺边框加厚层的设计，利用工艺边框加厚层来平衡dpc陶瓷基板的正面应力，不需像传统技术那样对背面线路加厚，减薄了背面线路，使得产品结构整体厚度减薄，有效解决了传统技术中，背面线路结构厚度太厚，满足不了一些特需领域用的3d围坝陶瓷基板的整体厚度要求的问题。
13.为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
附图说明
14.图1是本实用新型之实施例的立体示图；
15.图2是本实用新型之实施例的正视图；
16.图3是本实用新型之实施例的另一立体示图；
17.图4是本实用新型之实施例的仰视图；
18.图5是本实用新型之实施例的截面图。
19.附图标识说明：
20.10、dpc陶瓷基板
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11、上线路层
21.12、下线路层
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13、线路层布置区
22.14、工艺边框区
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15、工艺边框加厚层
23.16、金属围坝。
具体实施方式
24.请参照图1至图5所示，其显示出了本实用新型之实施例的具体结构。
25.在本实用新型的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语
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上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本实用新型的具体保护范围。
26.一种dpc围坝陶瓷基板，包括有dpc陶瓷基板10，所述dpc陶瓷基板10具有相对侧设置的正面和背面，所述dpc陶瓷基板10上设置有上线路层11和下线路层12，所述上线路层11、下线路层12分别设置于dpc陶瓷基本10的正面和背面，其特征在于：所述dpc陶瓷基板10具有线路层布置区13和环绕线路层布置区13的工艺边框区14，所述上线路层11和下线路层12位于线路层布置区13，所述上线路层11的上表面设置有若干间距排布的金属围坝16，所述dpc陶瓷基板10的背面对应工艺边框区14设置有工艺边框加厚层15，所述工艺边框加厚层15高于背面金属层。
27.优选地，所述dpc陶瓷基板10为氮化铝陶瓷或氧化铝陶瓷或氮化硅陶瓷或铝硅碳陶瓷或其他陶瓷。
28.在本实施例中，所述工艺边框区14为环形区域, 所述工艺边框加厚层15为金属镀层，所述工艺边框加厚层15为环形结构, 所述工艺边框加厚层15的外周侧面与dpc陶瓷基板10的工艺边框区14的外周侧面齐平。
29.所述金属围坝16的坝体对应所述凹槽的位置变薄，依据力学原理：开槽后，金属围坝16的应力增大；在相同开槽宽度下，随着开槽深度的增加，金属围坝16的应力呈递增趋势；在相同的开槽深度下，随着开槽宽度的增加，所测金属围坝16的应力也是呈递增趋势。在进行100℃4小时预考释放应力，通过最传统的方法，把工件放进热时效炉中进行热处理，慢慢消除应力。
30.详述本实施例的工艺流程如下：
31.在dpc陶瓷基板10上镀上一层金属；接着，进行金属围坝16和背面工艺边框加厚（一般为金属镀层）形成工艺边框加厚层15，然后，进行100℃4小时预烤释放应力，之后，切割下工艺边框加厚层15，最后进行阻焊制作。
32.本实用新型的设计重点在于，其主要是通过所述工艺边框加厚层的设计，利用工艺边框加厚层来平衡dpc陶瓷基板的正面应力，不需像传统技术那样对背面线路加厚，减薄了背面线路，使得产品结构整体厚度减薄，有效解决了传统技术中，背面线路结构厚度太厚，满足不了一些特需领域用的3d围坝陶瓷基板的整体厚度要求的问题。
33.以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
技术特征：
1.一种dpc围坝陶瓷基板，包括有dpc陶瓷基板，所述dpc陶瓷基板具有相对侧设置的正面和背面，所述dpc陶瓷基板上设置有上线路层和下线路层，所述上线路层、下线路层分别设置于dpc陶瓷基本的正面和背面，其特征在于：所述dpc陶瓷基板具有线路层布置区和环绕线路层布置区的工艺边框区，所述上线路层和下线路层位于线路层布置区，所述上线路层的上表面设置有若干间距排布的金属围坝，所述dpc陶瓷基板的背面对应工艺边框区设置有工艺边框加厚层，所述工艺边框加厚层高于背面金属层。2.根据权利要求1所述的dpc围坝陶瓷基板，其特征在于：所述工艺边框区为环形区域。3.根据权利要求2所述的dpc围坝陶瓷基板，其特征在于：所述工艺边框加厚层为环形结构。4.根据权利要求1所述的dpc围坝陶瓷基板，其特征在于：所述dpc陶瓷基板为氮化铝陶瓷或氧化铝陶瓷或氮化硅陶瓷或铝硅碳陶瓷。5.根据权利要求3所述的dpc围坝陶瓷基板，其特征在于：所述工艺边框加厚层的外周侧面与dpc陶瓷基板的工艺边框区的外周侧面齐平。6.根据权利要求1所述的dpc围坝陶瓷基板，其特征在于：所述工艺边框加厚层为金属镀层。
技术总结
本实用新型公开一种DPC围坝陶瓷基板，包括有DPC陶瓷基板，DPC陶瓷基板具有相对侧设置的正面和背面，DPC陶瓷基板上设置有上线路层和下线路层，DPC陶瓷基板具有线路层布置区和环绕线路层布置区的工艺边框区，上线路层和下线路层位于线路层布置区，上线路层的上表面设置有若干间距排布的金属围坝，DPC陶瓷基板的背面对应工艺边框区设置有工艺边框加厚层，工艺边框加厚层高于背面金属层,通过工艺边框加厚层的设计，利用工艺边框加厚层来平衡DPC陶瓷基板的正面应力，减薄了背面线路，使得产品结构整体厚度减薄。结构整体厚度减薄。结构整体厚度减薄。
技术研发人员：袁广 罗素扑 黄嘉铧
受保护的技术使用者：惠州市芯瓷半导体有限公司
技术研发日：2021.11.22
技术公布日：2022/5/25