一种原位生长双介电体阻挡放电的电极结构的制作方法

1.本发明涉及臭氧发生器及等离子体发生器制造领域，具体地说，是涉及一种原位生长双介电体阻挡放电的电极结构。


背景技术：

2.现有技术的臭氧发生器及等离子发生器的单介质放电电极采用金属和玻璃或金属和陶瓷装配而成，一般分为管式和板式两种结构，如图3、图4所示。
3.图3是很常见的单介质放电装配电极结构，特点是结构简单，作为第一电极12的金属材料与介电体13组成装配电极，与作为第二电极14的金属保持一定气隙7。空气或氧气10通过此气隙7时第一电极12与第二电极14之间通电，由于介电体13的阻挡作用产生放电，从而产生臭氧与空气或臭氧与氧气的混合气体。该装配电极初期使用性能良好，使用一段时间后第二电极14会产生电腐蚀剥离脱落，在第一电极12、介电体13、第二电极14的表面产生污染物堆积，降低了放电效率。
4.图4是经过改良的双介质放电装配电极结构，作为第一电极12、第二电极14的金属材料与分别与两个介电体13组成装配电极，两个介电体13保持一定气隙7。空气或氧气10通过此气隙7时第一电极12与第二电极14之间通电，由于介电体13的阻挡作用产生放电，从而产生臭氧与空气或臭氧与氧气的混合气体。该装配电极由于采用了双介电体结构，会减少第一电极12与第二电极14的电腐蚀剥离脱落，但是还不能完全避免。第一电极12与介电体13之间的装配面、第二电极14与介电体13之间的装配面会有间隙，所以该装配面也会产生污染物堆积。
5.以上两种技术的电极分别由金属和玻璃(或陶瓷)两种材料装配组成。都不可避免的产生金属电腐蚀剥离脱落堆积在电极表面，影响正常放电，会导致电极局部击穿损坏。
6.为了提高电极的寿命及降低电极维护时的破损率，减轻维护人员的工作量，我们采用一种金属及其原位生长陶瓷介电体的一体化双电极结构，取代金属和玻璃或金属和陶瓷的装配电极。


技术实现要素：

7.本发明的目的在于克服上述传统技术的不足之处，提供一种原位生长双介电体阻挡放电的电极结构，可有效解决上述技术问题，适于推广应用。
8.本发明的目的是通过以下技术措施来达到的：一种原位生长双介电体阻挡放电的电极结构，包括相对设置的第一电极与第二电极，所述第一电极与第二电极之间留有气隙，其特征在于：所述第一电极与第二电极设置有介电体，所述介电体位于第一电极与第二电极相对应的侧壁，所述介电体将第一电极与第二电极的两端端部包覆。
9.作为一种优选方案，所述介电体为陶瓷介电体，所述陶瓷介电体包括依次设置有过渡层、致密层与疏松层。
10.作为一种优选方案，所述陶瓷介电体与第一电极、第二电极紧密贴合在一起，所述
过渡层与第一电极或第二电极贴合在一起，所述疏松层位于过渡层远离第一电极或第二电极的一侧，所述致密层位于过渡层与疏松层之间。
11.由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，本发明的优点是：本发明提供了一种原位生长双介电体阻挡放电的电极结构，与现有的装配电极技术比较，金属及其原位生长陶瓷介电体一体化电极是一体结构，陶瓷介电体因为在金属表面原位生长不会有间隙，所以原位生长一体化结构电极不会产生金属电腐蚀剥离脱落。用原位生长双介电体阻挡放电的电极可以产生高纯度无污染的臭氧，可以用于芯片制造、医药制造、精细化工等生产洁净度要求高的行业。
12.下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。
附图说明
13.附图1是本发明一种原位生长双介电体阻挡放电的电极结构的陶瓷介电体的结构示意图。
14.附图2是本发明一种原位生长双介电体阻挡放电的电极结构示意图的结构示意图。
15.附图3是背景技术中常见的单介质放电装配电极结构示意图。
16.附图4是背景技术中经过改良的双介质放电装配电极结构。
具体实施方式
17.实施例：如附图1、2所示，一种原位生长双介电体阻挡放电的电极结构，包括相对设置的第一电极5与第二电极8，第一电极5与第二电极8之间留有气隙7，第一电极5与第二电极8设置有介电体6，介电体6位于第一电极5与第二电极8相对应的侧壁，且介电体6将第一电极5与第二电极8的两端端部包覆。
18.第一电极5与第二电极8的电极母材外表面9无介电体设置。
19.本实施例中，介电体6为陶瓷介电体，陶瓷介电体包括依次设置有过渡层2、致密层3与疏松层4。
20.陶瓷介电体与第一电极5、第二电极8紧密贴合在一起，过渡层2与第一电极5或第二电极8贴合在一起，疏松层4位于过渡层2远离第一电极5或第二电极8的一侧，致密层3位于过渡层2与疏松层4之间。
21.本实施例中，第一电极5与第二电极8为金属母材1，申请号cn202022653023.6的专利已经详细介绍了该电极的情况，在此就不在赘述。
22.具体的，空气或氧气10通过此气隙7时第一电极5与第二电极8之间通过臭氧电源11通电，由于介电体6的阻挡作用产生放电，从而产生臭氧与空气或臭氧与氧气的混合气体。由于该电极采用了双一体化介电体结构，放电区域全部是介电体材质，所以避免了金属电腐蚀剥离脱落，杜绝了污染物堆积。
23.对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有
变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
24.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。


技术特征：
1.一种原位生长双介电体阻挡放电的电极结构，包括相对设置的第一电极与第二电极，所述第一电极与第二电极之间留有气隙，其特征在于：所述第一电极与第二电极设置有介电体，所述介电体位于第一电极与第二电极相对应的侧壁，所述介电体将第一电极与第二电极的两端端部包覆。2.根据权利要求1所述的一种原位生长双介电体阻挡放电的电极结构，其特征在于：所述介电体为陶瓷介电体，所述陶瓷介电体包括依次设置有过渡层、致密层与疏松层。3.根据权利要求2所述的一种原位生长双介电体阻挡放电的电极结构，其特征在于：所述陶瓷介电体与第一电极、第二电极紧密贴合在一起，所述过渡层与第一电极或第二电极贴合在一起，所述疏松层位于过渡层远离第一电极或第二电极的一侧，所述致密层位于过渡层与疏松层之间。

技术总结
本发明提供了一种原位生长双介电体阻挡放电的电极结构，包括相对设置的第一电极与第二电极，第一电极与第二电极之间留有气隙，第一电极与第二电极设置有介电体，介电体位于第一电极与第二电极相对应的侧壁，且介电体将第一电极与第二电极的两端端部包覆。由于该电极采用了双一体化介电体结构，放电区域全部是介电体材质，所以避免了金属电腐蚀剥离脱落，杜绝了污染物堆积。绝了污染物堆积。绝了污染物堆积。


技术研发人员：宋布杰 包龙 范超 崔振兴
受保护的技术使用者：青岛大田环境科技有限公司
技术研发日：2022.04.20
技术公布日：2022/7/8