专利名称：：使用MRSensor进行状态识别的手机的制作方法
技术领域：
：本实用新型涉及一种手机，特别是涉及一种基于MRSensor进行手机开合盖状态识别的手机。
背景技术：
：如今电子产品外观设计要求越来越高，结构越来越复杂，如手机，手机中央处理器需要得到手机状态的状态，从而对应不同的界面。传统的手机状态识别方法有二种一种采用接近传感器依靠红外线的发射与发射来判断是否有物体靠近，从而识别手机的状态。其缺点结构复杂，成本非常高，且使用场合受限。第二种是采用霍尔器件即利用垂直于霍尔器件的磁场来判断磁铁是否靠近，从而识别手机的状态。但这种方法也存在成本较高，使用场合受限的缺点。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是为了克服现有手机等电子产品在进行状态识别时存在识别成本高且使用场合受限的缺陷，提供一种识别灵敏度高，且成本很低、使用场合也不受限的基于识别的手机。本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的一种使用MRSensor进行状态识别的手机，其包括一设于该手机内的一中央处理器，其特征在于，其还包括至少分别设于该手机上下盖上的一磁铁及一MRSensor，其中，当手机处于合盖状态时，该磁铁的磁力线水平穿过该MRSensor。其中，该磁铁的磁场强度为大于或等于1.5Mt。其中，该MRSensor与该中央处理器电连接。本实用新型的积极进步效果在于由于当磁场水平穿过MRSensor(英文全称Magnet-Resistancesensor，磁阻传感器)时，MRSensor就会产生中断信号，因此本实用新型利用MRSensor感应是否有水平磁力线穿过，进行磁铁靠近或远离的判断，从而有效识别手机开、合盖的状态。本实用新型不仅识别灵敏度高，且其制造成本低，使用方便，可以解决各种型号手机的开、合盖状态的识别与判断。图1为本实用新型第一较佳实施例的MRSensor的基本应用原理图。图2为本实用新型第二较佳实施例的合盖状态下翻盖手机的结构图。图3为本实用新型第二较佳实施例的开盖状态下翻盖手机的结构图。图4为本实用新型第三较佳实施例的正向合盖状态下的旋屏手机的图。图5为本实用新型第三较佳实施例的反向合盖状态下的旋屏手机的图。具体实施方式以下结合附图给出本实用新型的多个较佳实施例，以详细说明本实用新型的技术方案。本实用新型提供一种使用MRSensor进行手机状态识别的手机，其至少包括一设于该手机内的中央处理器，一分别设于该手机上下盖上的一磁铁及一MRSensor,由于MRSensor器件的特点是当磁场水平穿过MRSensor时，MRSensor就会产生中断信号，因此，当手机处于合盖状态时，该磁铁的磁力线水平穿过该MRSensor0其中，该MRSensor与该中央处理器电连接。MRSensor与中央处理器电连接部分及中央处理器的工作原理部分为现有技术，在此不作赘述。本实用新型的基于MRSensor进行手机状态识别的方法，包括以下步骤Si、将MRSensor设于手机上盖的靠近边缘的底端；S2、将磁铁置于手机下盖的靠近边缘处的底端，并使磁铁的磁力线能水平穿过该MRSensor；该磁铁的磁场强度为大于或等于1.5Mt。即1.5Mt磁场强度为磁场感应的最低识别门限。S3、当手机上、下盖开合状态发生变化时，该MRSensor进行相应的磁场感应检测；当手机处于开启状态时，该MRSensor感应到无磁力线；当手机处于合盖状态时，该MRSensor感应到有磁力线。S4、该MRSensor将感应的检测信号反馈至中央处理器。结合不同款式的手机，具体实施方式如下实施例1如图1所示，图1为MRSensor基本应用原理图。磁铁1的位置可以在MRSensor2的上方，也可以和MRSensor2在同一水平面上，甚至磁铁1和MRSensor2略微错开也可以识别。实施例2如图2，图3所示的一翻盖手机4，图2为MRSensor应用于合盖状态下翻盖手机的结构图，图3为MRSensor应用于开盖状态下翻盖手机的结构图。将磁铁3的极性水平放置在翻盖手机4的上盖401的靠边缘的底端，磁铁3的N极或S极朝向板尾，S极或N极远离板尾，靠所示磁力线301水平穿过MRSensor5，来感应翻盖手机4的开、合盖状态。状态识别对应表为<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>此方案特点在于翻盖手机4为合盖状态下，打开小角度后，通过MRSensor5反馈的信号辨认为翻盖手机4处于开盖的状态。实施例3[0028]旋屏手机6有正向合盖和开盖，反向合盖三个状态。状态识别判断方案如图4，图5所示，图4为MRSensor方案在正向合盖状态下的旋屏手机上的应用结构图。图5为MRSensor方案在反向合盖状态下的旋屏手机上的应用结构图。磁铁8竖直放置在手机屏601上，磁极一极朝向板尾，一极远离板尾，靠所示磁力线801与第一MRSensor7与第二MRSensor9来感应正向合盖状态。状态识别对应表为<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>同理，本实用新型还可以广泛适用于旋盖或滑盖式手机的开、合盖状态识别。本实用新型的应用原理为当磁场水平穿过MRSensor(MRSensor，英文全称Magnet-Resistancesensor)时，MRSensor就会产生中断信号，因此根据MRSensor的特性，即可进行手机开、合盖状态的识别。采用本实用新型的基于MRSensor进行手机开、合盖状态识别的方法，不仅可以节约成本，还可以提高识别的灵敏度。同时，采用本实用新型的识别方法的手机，成本低廉，性能灵敏，也将更受市场用户的亲睐。虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，在不背离本实用新型的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改。因此，本实用新型的保护范围由所附权利要求书限定。权利要求一种使用MRSensor进行状态识别的手机，其包括一设于该手机内的一中央处理器，其特征在于，其还包括至少分别设于该手机上下盖上的一磁铁及一MRSensor，其中，当手机处于合盖状态时，该磁铁的磁力线水平穿过该MRSensor。2.如权利要求1所述的使用MRSensor进行状态识别的手机，其特征在于，该磁铁的磁场强度为大于或等于1.5Mt。3.如权利要求1或2所述的手机，其特征在于，该MRSensor与该中央处理器电连接。专利摘要本实用新型公开了一种使用MRSensor进行状态识别的手机，该手机包括一设于该手机内的中央处理器，至少分别设于该手机上下盖上的一磁铁及一MRSensor，其中，当手机处于合盖状态时，该磁铁的磁力线水平穿过该MRSensor。本实用新型不仅识别灵敏度高，且其制造成本低，使用方便，用于各种样式的手机的开、合盖状态的识别与判断。文档编号H04M1/02GK201577108SQ200920215410公开日2010年9月8日申请日期2009年12月31日优先权日2009年12月31日发明者黄颖申请人:上海晨兴希姆通电子科技有限公司