双偏振正交调制器的制造方法

双偏振正交调制器的制造方法
【专利摘要】一种双偏振正交调制器，其包括输入平面光波导(PLC)，其中所述输入平面光波导被配置为向包括多个电光(E-O)聚合物光调制波导的基底上聚合物装置传送相干光，其中所述电光(E-O)聚合物光调制波导被配置为各自相位调制相干光，并且E-O聚合物光调制波导向输出PLC输出调制的相干光，其中输出PLC被配置为将相位调制光的波导对结合为马赫增德尔干涉信号，将马赫增德尔干涉信号对结合成正交调制信号。偏振旋转器将来自其中一个正交调制信号的调制光旋转为正交调制。输出PLC结合正交调制光和旋转的正交调制光，以形成双偏振正交调制光信号。PLC和基底上聚合物装置被集成到了单个组装基底上。
【专利说明】双偏振正交调制器
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请根据35U.S.C. § 119(e)要求获得来自2011年11月11日提交的、序列号为 61/558, 767、题名为 "DUAL POLARIZATION QUADRATURE MODULATOR，，、由 Guomin Yu、Jonathan Mai lari、Eric Miller、Baoquin Chen以及Raluca Dinu发明的美国临时专利申请的优先权 权益，并且在与本申请不矛盾的程度上，通过引用将其并入本文。
[0003] 概述
[0004] 根据实施方式，双偏振正交光调制器包括输入平面光波导（PLC)、基底上薄膜聚合 物（TFPS)调制器、和/或输出平面光波导（PLC)的混合组装。输入PLC可以被配置为通 过多个输入界面波导划分和传送相干光。基底上薄膜聚合物（TFPS)调制器包括多个电光 (E-0)聚合物波导，每一个分别可操作地耦合来从多个输入界面波导的至少一部分中的每 一个接收被划分的相干光，E-0聚合物波导中的至少一部分被配置成调制接收到的相干光。 输出PLC包括多个输出界面波导，输出界面波导的至少一部分被可操作地耦合来接收来自 多个E-0聚合物波导的调制光。输出PLC可以被配置成将接收到的调制光结合到至少一个 输出波导。
[0005] 根据另一种实施方式，用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方 法，其包括接收相干TM平面偏振光并且使用输入PLC将相干光分离到八个输入界面波导。 八个相应的基底上薄膜聚合物（TFPS)电光（E-0)调制器波导接收并且传输来自八个输入 界面波导的相干光。在至少一个第一和至少一个第二相应的高速正弦电极上接收到了至少 一个第一和至少一个第二调制的电正弦数据信号，所述至少一个第一高速正弦电极被可操 作地耦合到第一对E-0调制器波导，并且所述至少一个第二高速正弦电极被可操作地耦合 到第三对E-0调制器波导。同时，在至少一个第一和至少一个第二相应的高速余弦电极上 接收到了至少一个第一和至少一个第二调制的电余弦数据信号，所述至少一个第一高速余 弦电极被可操作地耦合到第二对E-0调制器波导，并且所述至少一个第二高速余弦电极被 可操作地耦合到第四对E-0调制器波导。第一正弦和第一余弦调制电数据信号是正交的， 并且第二正弦和第二余弦调制电数据信号是正交的。由相应的高速电极产生的电场被施加 到八个E-0调制器波导，以引起通过其的相干TM平面偏振光中的八个相应的相移。然后， 使用具有输出PLC的八个输出界面波导接收了相移相干偏振光。输出PLC结合来自第一对 E-0调制器波导的光、结合来自第二对E-0调制器波导的光、结合来自第三对E-0调制器波 导的光、并且结合来自第四对E-0调制器波导的光，以形成相应的分别承载第一正弦调制、 第一余弦调制、第二正弦调制以及第二余弦调制的光的第一、第二、第三以及第四马赫增德 尔干涉仪调制的光数据信号。然后输出PLC将来自第一对E-0调制器波导和第一马赫增德 尔干涉仪的光与来自第二对E-0调制器波导和第二马赫增德尔干涉仪的光结合，以产生第 一正交调制的光数据信号。同时，输出PLC将来自第三对E-0调制器波导和第三马赫增德 尔干涉仪的光与来自第四对E-0调制器波导和第四马赫增德尔干涉仪的光结合，以产生第 二正交调制的光数据信号。偏振旋转器将来自第一和第二对E-0调制器波导的调制光的偏 振平面从TM平面偏振旋转到TE平面偏振。（可选择地，偏振旋转器可以在结合来自第一和 第二E-Ο调制器波导对的光之前将来自第一和第二对E-Ο调制器波导的光从TM平面偏振 旋转到TE平面偏振。）然后，输出PLC将来自第一正交调制的光数据信号（具有TE平面偏 振）的光与来自第二正交调制的光数据信号（具有TM平面偏振光）的光结合，以产生包括 正交调制的TE平面偏振光分量和正交调制的TM平面偏振光分量的输出调制光波长数据信 号。
[0006] 根据另一种实施方式，用于制造双偏振正交光调制器的方法包括将基底上薄膜聚 合物（TFPS)调制器模片安装到组装基底上，这样聚合物栈和E-0调制波导毗邻组装基底并 且TFPS基底通过聚合物栈远离了组装基底，其中所述TFPS调制器模片包括多个电光（E-0) 调制波导，所述电光（E-0)调制波导包括聚合物栈中的输入端和输出端。输入平面光波导 (PLC)模片被安装到组装基底上，所述输入PLC模片包括PLC基底上的波导层中的多个输入 界面波导，同时将多个输入界面波导对齐到TFPS的E-0调制波导的输入端。安装输入PLC， 使得输入PLC波导层毗邻组装基底并且PLC基底通过输入PLC波导层远离了组装基底。包 括PLC基底上的波导层中的多个输出界面波导的输出PLC模片被安装到组装基底上，同时 将多个输出界面波导对齐到TFPS的E-0调制波导的输出端，使得输出PLC波导层毗邻组装 基底并且PLC基底通过输出PLC波导层远离了组装基底。
[0007] 根据另一种实施方式，双偏振光正交调制器可以包括输入PLC，所述输入PLC具有 在同一个基底上与多个输入波导集成的一个或者多个光源装置。例如，所述一个或者多个 光源装置可以包括连续波激光器。
[0008] 根据另一种实施方式，双偏振正交光调制器可以包括输出PLC，所述输出PLC包括 了在同一个基底上与多个输出波导集成的一个或者多个光检测装置。
[0009] 附图简述
[0010] 图1是根据实施方式的双偏振正交调制器的示意图。
[0011] 图2A是根据实施方式的图1的双偏振正交调制器的侧截面图。
[0012] 图2B是根据另一个实施方式的双偏振正交调制器的侧截面图。
[0013] 图3是根据实施方式的示出了输入或者输出平面光波导（PLC)的输入波导或者输 出波导的对齐的电光（E-0)调制器波导的局部横断面视图。
[0014] 图4是示出了根据实施方式的关于操作图1-3的双偏振正交调制器的方法的流程 图。
[0015] 图5是示出了根据实施方式的关于制造图1-3的双偏振正交调制器的方法的流程 图。

【具体实施方式】
[0016] 在以下详细描述中，参考了形成本申请的一部分的附图。在附图中，除非上下文另 有规定，否则相似的符号通常标识相似的组件。可以使用其他实施方式和/或可以进行其 他变化而不背离本公开的原意和范围。
[0017] 图1是根据一种实施方式的双偏振正交调制器101的示意图。图2A是根据一种 实施方式的图1的双偏振正交调制器101的侧截面图。图2B是根据一种实施方式的图1 的双偏振正交调制器101的可替换的实施方式的侧截面图。可以参考图1、图2A和图2B理 解以下描述。
[0018] 双偏振正交光调制器101可以包括输入PLC (Planar Lightwave Circuit,平面光 波导）102,输入PLC102被配置成通过多个输入界面波导106a_h划分和传送相干光104。 TFPS(Thin Film Polymer on Substrate,基底上薄膜聚合物）调制器108可以包括多个 E-0 (electro-optic,电光）聚合物波导110a-h。多个E-0聚合物波导110a-h中的每一个 可以分别可操作地耦合来从多个输入界面波导l〇6a_h的至少一部分中的每一个接收被划 分的相干光104。E-0聚合物波导110a-h中的至少一部分可以被配置成调制接收到的相干 光 104。
[0019] 输出PLC112可以包括多个输出界面波导114a_h。输出界面波导114a_h的至少一 部分可以被可操作地耦合来接收来自多个E-0聚合物波导110a-h的调制光。输出PLC112 可以被配置成将接收到的调制光结合到至少一个输出波导116。
[0020] 如本文所用的，TFPS调制器可以指包括以光学叠加形式布置并且位于基底上的 聚合物光层的装置。该基底可以包括硅，并且出于清楚的原因，其在本文可以这样被引用。 TFPS基底可以可替换地包括其他材料或基本上由其他材料组成，例如玻璃、硅以外的半导 体、非晶硅、和/或柔性基底。"薄膜"聚合物光层通常可以通过旋涂一系列聚合物或混合硅 氧基/聚合物涂层、固化该涂层、光刻图案、蚀刻（湿和/或干）以及导体的电沉积来形成。 因而，TFPS中的术语"薄膜"可以包括不是如传统半导体工程师所理解的严格的薄膜的层。 下面结合图3描述了 TFPS调制器波导的示例性的横截面的结构。
[0021] TFPS调制器108可以包括多个第一相位偏置装置118a、118c、118e、118g，该 多个第一相位偏置装置118a、118c、118e、118g可操作地耦合到多个E-0聚合物波导 110a-h的至少一部分。多个第一相位偏置装置118a、118c、118e、118g可以包括第一 T-0 (thermo-optic,热光）相位偏置装置，该第一 T-0相位偏置装置被配置成修改其对应的 一部分的E-0聚合物波导110a-h的折射率。
[0022] 在TFPS调制器上放置第一相位偏置装置可以允许使用比可替换的第一相位偏置 更低的电压来执行T-0相位偏置并且所述T-0相位偏置被位于其中一个PLC上的T-0相位 偏置装置执行。
[0023] 每一个TFPS调制器108E-0聚合物波导110a-h可以包括通过切分基底211和薄 膜聚合物208形成的光输入面120和光输出面122。可替换地，可以通过刻划基底211并且 横跨薄膜聚合物208传播裂缝形成光输入面120和光输出面122。
[0024] 通过多个输入界面波导106a_h传送至TFPS调制器108的相干光104基本上可以 是TM平面偏振。双偏振正交光调制器101可以包括在输入PLC102中包括的或者可操作地 耦合到输入PLC102的TM平面偏振片124。可替换地，接收到的相干光104可以是TM平面 偏振的。
[0025] 根据实施方式，TFPS108E-0波导110a-h与TM平面偏振光（具有与输入PLC102、 TFPS108和输出PLC112的表面204、210、214正交的偏振平面的偏振光）比与TE平面偏振 光（具有与表面204、210、214平行的偏振平面的TE平面偏振光）有明显更高的耦合。对 于理想极化的（poled) E-0装置和完美的TE平面偏振光，TFPS E-0调制器基本上可以不对 光传播速率产生影响。出于这个原因 ，TFPS E-0波导110a-h的输入光优选TM平面偏振。
[0026] 输入PLC102可以包括输入波导126和被配置成从输入波导中分离输入相干光以 将相干光传送至输入界面波导中的每一个的多个输入界面波导分束器130a、130e、132a、 132c、132e、132g。例如，分束器 130a、130e、132a、132c、132e、132g 的每一个可以基本上提 供50:50的能量的分离。根据另一种实施方式，分束器130a、130e、132a、132c、132e、132g 中的一个或多个的功率分离可以不是50:50,以便例如适应通过波导、偏振旋转器134等的 损耗的系统变化。
[0027] 输出PLC112可以包括可操作地耦合到E-0聚合物波导110a-d的第一部分的偏振 旋转器134,偏振旋转器134被配置成将来自E-0聚合物波导110a-d的第一部分的TM调制 光旋转到TE平面偏振光。例如，偏振旋转器134可以包括薄膜装置或半波片。输出PLC112 可以被切分成两部分（如图2A所示），并且偏振旋转器134可以被安装在该两部分之间且 与E-0聚合物波导110a-d的第一部分对应的区域。可替换地，输出PLC112可以包括横跨 E-0聚合物波导110a-d的第一部分对应的输出PLC112的波导144部分而形成的凹槽（例 如通过DRIE (Deep Reactive Ion Etching,深反应离子蚀刻技术）），并且偏振旋转器134可 以被安装在该凹槽内。
[0028] 输出PLC112可以包括光合路器136,光合路器136可操作地耦合到E-0聚合物波 导110a-d的第一部分和E-0聚合物波导110e-h的第二部分，并且被配置成将来自E-0聚 合物波导ll〇a-d的第一部分和偏振旋转器134的TE平面偏振光与来自E-0聚合物波导 llOe-h的第二部分的TM平面偏振光合路。可操作地耦合到合路器136的输出波导116可 以被配置成承载合路的TE和TM平面偏振光。可操作地耦合到输出波导116的输出光耦合 器138可以被配置成将合路的TE和TM平面偏振光耦合到光纤或另一个波导装置（未示 出）。
[0029] 双偏振正交光调制器101还可以包括组装基底140。输入PLC102、TFPS调制器108 以及输出PLC112可以被安装在组装基底140上，并且输入PLC102、TFPS调制器108和输出 PLC112的各自的波导142、110a-h、144与组装基底140毗邻。这样，各个基底106、211、216 可以离开组装基底140来安装，并且通过各自的波导层202、208、212与组装基底140分开。 组装基底140可以被配置成在TFPS调制器108的波导110a-h与输入和输出PLC102、112 的波导142、144之间提供坚直对齐垂直准线。
[0030] 可以在不同的设备内或同一设备的不同区域内生产PLC102、112和TFPS108的 基底206、216以及211。PLC基底206、216和TFPS基底211可以具有稍微不同的厚度， 这是可能的。可替换地或另外，TFPS108可以包括具有多层导体和电介质的集成电路，或 者PLC102U12中的一个或两个都可以具有在其上形成的额外的层。类似地，例如底包层 厚度的光学叠加厚度可以在不同的模片之间变化。尽管在模片基底206、211、216和波导 结构142、110a-h、144之间的模片102、112、108厚度或电路厚度存在差异，然而通过轻击 PLC102U12以及TFPS调制器108并将它们自上而下（"上"是包括波导结构142、110a-h、 144的侧）安装到组装基底140上，PLC102、112以及TFPS调制器108的各自的波导可以在 坚直方向更好地对齐。
[0031] 例如，组装基底140可以由大体上1毫米厚的玻璃片形成。
[0032] 双偏振正交光调制器101可以包括被配置成协助形成第一 MZ干涉仪 (Mach-Zehnder interferometer，马赫一增德尔干涉仪）152a的结构。例如，第一MZ152a可 以包括第一输入中间波导146a、可操作地耦合到第一输入中间波导146a并被配置成将从 第一输入中间波导146a接收的相干光104分离到输入PLC102上的两个第一输入界面波导 106a、106b上的第一输入分束器132a。第一对E-0聚合物波导调制信道110a、110b可以分 别被对齐来从两个第一输入界面波导l〇6a、106b接收相干光。在输出PLC112上的两个第 一输出界面波导114a、114b可以被对齐来从第一对E-0聚合物波导调制信道110a、110b接 收被调制的相干光。可操作地耦合到两个第一输出界面波导114a、114b的第一输出合路器 148a可以被配置成将接收到的光合路到输出PLC112上的第一输出中间波导150a。
[0033] 类似地，第二输入中间波导146c、第二输入分束器132c、第二对E-0聚合物波导调 制信道ll〇c和110d、两个第二输出界面波导114c和114d、以及第二输出合路器148c可以 被配置成合作形成第二MZ152c ;其中，第二输入分束器132c耦合到第二中间波导146c并 且被配置成将从第二中间波导146c接收的相干光分离到输入PLC102上的两个第二输入界 面波导106c、106d上；第二对E-0聚合物波导调制信道110c、110d分别对齐来从两个第二 输入界面波导110c、110d接收相干光；输出PLC112上的两个第二输出界面波导114c、114d 被对齐来从第二对E-0聚合物波导调制信道110c、110d接收被调制的相干光；以及第二输 出合路器148c可操作地耦合到两个第二输出界面波导114c、114d并且被配置成将接收到 的光合路到输出PLC上的第二输出中间波导150c上。
[0034] 每一个]\^152&、152(3、1526、1528可以以推挽方式工作。例如，]\^152 &的第一条 "臂"可以包括增加折射率的E-0波导110a而第二条臂包括降低折射率的E-0波导110b以 便输出二进制的0。例如，在波导110a、110b上分别应用+ν π电压和-νπ电压可以导致从 Ε-0波导110a、110b输出的相干光之间的相位差为π (180°);当被合路器148a合路时，从 E-0波导110a、110b输出的相干光产生相消干涉而没有产生光输出。相反地，反转在波导 110&、11013上的+^电压和-^电压的符号可以产生相位差0(零）（=211)。当被合路器 148a合路时，反转的电压信号导致被调制的相干光的相长干涉而产生对应于二进制1的光 输出。可以可替换地使用跃迁、电压和/或发色团极化（Chromophorepoling)的其他组合 来调制来自MZ152a、152c、152e、152g的数据。
[0035] 第一和第二MZ干涉仪152a、152c可以被配置成协作形成第一 QPSK (Quadrature Phase Shift Keying，正交相移键控）或者 DQPSK (Differential Quadrature Phase Shift Keying，差分正交相移键控）光调制器154a。被布置在输入PLC102或者输出PLC112上并 可操作地耦合到第一或第二MZ干涉仪152a、152c中的一个的热光正交相位偏置装置156a， 其可以被配置成维持第一和第二MZ干涉仪152a、152c之间的正余弦（正交的）相位关系 以便保持QPSK或DQPSK光调制器154a同相。
[0036] 热光正交相位偏置装置156a、156e可以由可操作地耦合到输入PLC102或输出 PLC112上的中间波导的热电极形成。对中间波导的加热改变了它的折射率，这可以被用于 延迟来自一个MZ干涉仪152a的光，以保持该光与来自另一个MZ干涉仪152c的光同相（相 干）。
[0037] 双偏振正交光调制器101还可以包括在输入PLC102、TFPS调制器108以及输出 PLC112上形成的第三和第四MZ干涉仪152e、152g ;并且第三和第四MZ干涉仪152e、152g 被配置成用作第二QPSK或DQPSK光调制器154e。可操作地耦合到第一 QPSK或DQPSK光 调制器154a的输出波导156a的偏振旋转器134可以被配置成将第一 QPSK或DQPSK调制 的相干光的偏振从TM平面偏振旋转到TE平面偏振。合路器136可以被配置成将来自第一 QPSK或DQPSK光调制器154a的TE平面偏振光与来自第二QPSK或DQPSK光调制器154e的 TM平面偏振光合路，以在输出波导116上形成包括两个可分离的QPSK或DQPSK调制光信号 的单个光信号。
[0038] 双偏振正交光调制器101可以包括（T-0)偏振相位偏置装置158,其被配置成偏 移来自第一或第二QPSK或DQPSK光调制器154a、154e的光的相位，以匹配另一个QPSK或 DQPSK光调制器的相位。
[0039] 双偏振正交光调制器101可以包括可操作地耦合到各个E-0调制波导110a-h的 相应的高速电极（例如，见图3的310)。相干光104基本上可以由单个波长构成。例如，相干 光104可以包括位于大约1510至1620纳米波长的C或L频带中的光。根据一种实施方式， 光的波长大约是1550纳米。例如，相干光104可以包括从C或L数据传输WDM (Wavelength Division Multiplexed，波分复用）频带选择的多个WDM信道中的一个WDM信道。可选地，双 偏振正交光调制器101可以被配置成接收多个波长，并且输入PLC102可以包括滤波器（未 示出），该滤波器被配置成分离多个波长并且将选择的波长传送到各个正交调制器或者双 偏振正交调制器对154a、154e。
[0040] 图2A和图2B中示出了可替换的实施方式101和10Γ。双偏振正交光调制器101 可以包括偏振旋转器134'（如图2B示出），偏振旋转器134'被安装在TFPS调制器108和 输出PLC112之间且与E-0聚合物波导110a-d的一部分对应的区域中。偏振旋转器134' 可以被配置成在光进入输出PLC112之前将从E-0聚合物波导110a-d的一部分接收的TM 平面偏振光旋转成TE平面偏振光。因为在TFPS调制器108和输出PLC112之间安装偏振 旋转器134'的这种布置利用了输出PLC112的各部件之间存在的接口而不是在输出PLC112 的各部分之间插入专用接口（例如槽或缝），故其可以简化组装，降低部件数量，和/或减少 损耗。
[0041] 在实施方式101或实施方式10Γ中，输入PLC102的波导142、TFPS调制器108的 E-0调制波导110a-h以及输出PLC112的波导144(通过图1中的组装基底140示出了可 见的表面）可以各自在与各个基底206、211、216上的表面204、210、214毗邻的相应的波导 层202、208、212中形成。通过将表面204、210、214毗邻组装基底140安装可以使波导142、 110a-h以及144在Z轴（坚直方向，如图2A和图2B示出）上相互对齐。安装基底218可 以被配置成承载输入PLC102、TFPS调制器108、输出PLC112和组装基底140。安装基底218 可以被配置成承载双偏振正交光调制器101，以便可操作地与封装件（未示出）、热沉（未 示出）中的至少一个耦合，或者与一个或多个其他波导装置（未示出）耦合。热垫片或热 凝胶220可以被配置成至少将TFPS光调制器108热耦合到安装基底218。可选地，热垫片 或热胶体220可以被配置成将输入PLC102和/或输出PLC112与安装基底218热耦合。
[0042] 作为上面描述的实施方式的可替换方式，由于从双偏振正交光调制器输出的TE 和TM光没有采用同偏振的正交调制光相互作用的方式进行相长或相消干涉，故通过双偏 振正交调制器101接收到的相干光可以被可操作地耦合到两个不同的相干光源或者可以 包括两个不同的相干光源，一个提供输出为TM光的TM光，以及另一个提供输出为TE光的 TM光。
[0043] 可选地，输入PLC102可以包括在同一个基底106上与多个输入波导142集成的一 个或多个光源装置（未示出）。例如，该一个或多个光源装置可以包括连续波激光器。可 选地，输入PLC102可以包括其他装置，例如多模干涉（MMI，multimode interference) f禹合 器、定向耦合器、复用单元和/或解复用单元。
[0044] 可选地，输出PLC112可以包括在同一基底216上与多个输出波导144集成的一个 或多个光检测装置（未示出）。可选地，输出PLC112可以包括多模干涉（MMI)耦合器、定向 耦合器、复用单元和/或解复用单元。
[0045] 根据可替换的实施方式，光调制器101可以包括偏振信道，但是省略正交信道。例 如，可以使用第一单一 MZ干涉仪152a形成第一（TE)偏振信道，以及使用第二单一 MZ干涉 仪152e形成第二（TM)偏振信道。可以省略第二和第四MZ干涉仪152c、152g。当省略正交 MZ干涉仪152c、152g时，还可以省略正交调制器154a、154e。例如，光调制器101可以被操 作来作为相移键控（PSK)或差分相移键控（DPSK)调制器。
[0046] 图3是根据一种实施方式的示出与输入PLC102或输出PLC112的输入界面波导 106和/或输出界面波导114对齐的E-0调制器波导110的部分横截面图。半导体或绝缘 基底211可以支持至少一个在基底211上成型并被配置作为接地电极302的导体层。平坦 化层（未示出）可以被可选地布置在接地电极302上并且至少部分地与接地电极302共面。 光聚合物栈303 (在本文也被称为如在TFPS中的"薄膜聚合物"）可以被布置在基底211和 接地电极302上。根据可替换的实施方式，平坦化层（未示出）可以被忽略，并且可以通过 光聚合物栈303的一部分来提供平坦化功能。
[0047] 顶部导体层可以被布置在光聚合物栈303上并且成型来形成高速电极310,该高 速电极310被配置成与接地电极302协作以通过E-0波导110应用脉冲电场。
[0048] 例如，顶部导体层可以被形成为包括金属层、超导层或导电聚合物。顶部导体可以 被电镀来增加它的厚度。高速电极可以被可操作地耦合来从正交驱动器（未示出）接收电 信号。根据实施方式，接地电极302可以被布置成与高速电极310平行。包括E-0波导110 的光聚合物栈303的作用区312可以定位成接收来自高速电极310和接地电极302的调制 信号。作用区312包括被形成为极化区的E-0成分，该极化区包括至少一个二阶非线性光 发色团。下面更加全面地描述了发色团和电光成分。
[0049] 光聚合物栈303被配置成支撑作用区312。光聚合物栈303可以包括至少一个底 部覆层304和至少一个顶部覆层308,其分别被布置在电光层306之下和之上。可选地与光 偏振层协作，底部覆层304和顶部覆层308被配置成沿着在电光层306的平面内的路径引 导插入的光104。在光聚合物栈303内形成了导光结构110,以沿着通过电光层306的一个 或更多个光传播路径引导光104。在图3的实施方式中，引导结构110被形成为沟槽波导， 沟槽波导包括在至少一个底部覆层304内的蚀刻的路径。可选的，可以使用其它波导结构。 例如，可以单独或结合使用拟沟槽（quasi-trench)、肋状物、拟肋状物、侧面覆层等来提供 导光功能。
[0050] 根据一种实施方式，TFPS108可以包括速率匹配层（未不出）。电光聚合物层306 可以具有通过它的光的变化的光传输速率，光传输速率可以例如依赖于由高速电极310与 接地电极302联合提供的电场。高速电极310可以被布置在顶部覆层308上方和速率匹配 层（未示出）下方，高速电极310具有通过它的电脉冲的电传播速率。速率匹配层可以被 配置成使得通过高速电极310的电传播速率与通过电光聚合物层306的光传播速率近似。 顶部覆层308可以被布置在电光聚合物层306上方和速率匹配层（未示出）下方，并且可 以被配置成引导相干光，以使其基本上通过E-0聚合物层306。对于通常的波导应用，顶部 覆层308可以被配置成传递部分光能量，该部分光能量名义上通过电光聚合物层306。根据 可替换的实施方式，可以在高速电极310下方和顶部覆层308上方形成速率匹配层（未示 出）。
[0051] 根据另一种实施方式，可以选择组装基底140,使其具有提供单独的速率匹配层的 速率匹配功能的介电常数。
[0052] 为了提供速率匹配，可以选择速率匹配层（未示出）的介电常数来使得通过高速 电极310的电传播速率与通过电光聚合物层306、且具体地说是通过电光波导芯110的光传 播速率近似。根据一种实施方式，速率匹配层包括由单体、低聚物构成的聚合物或者包括单 体的单体和低聚物混合物。
[0053]

【权利要求】
1. 一种光调制器，包括： 输入平面光波导（PLC)，其被配置为通过多个输入界面波导划分和传送相干光； 基底上薄膜聚合物（TFPS)调制器，其包括多个电光E-0聚合物波导，每一个电光E-0 聚合物波导分别可操作地耦合来接收来自所述多个输入界面波导的至少一部分的每一个 输入界面波导的被划分的相干光，所述E-0聚合物波导的至少一部分被配置成调制所接收 到的相干光；以及 输出平面光波导，其包括多个输出界面波导，所述多个输出界面波导的至少一部分被 可操作地耦合来接收来自所述多个电光聚合物波导的调制光，所述输出平面光波导被配置 成将所接收到的调制光结合到至少一个输出波导。
2. 如权利要求1所述的光调制器，其中所述基底上薄膜聚合物调制器包括多个第一相 位偏置装置，所述多个第一相位偏置装置被可操作地耦合到所述多个电光聚合物波导的至 少一部分。
3. 如权利要求2所述的光调制器，其中所述多个第一相位偏置装置包括第一热光 (T-Ο)相位偏置装置，所述第一热光（T-Ο)相位偏置装置被配置为修改与其对应的所述电 光聚合物波导的一部分的折射率。
4. 如权利要求1所述的光调制器，其中所述基底上薄膜聚合物调制器的电光聚合物波 导中的每一个包括光输入面和光输出面，其中所述光输入面和光输出面通过刻划基底并且 横跨所述基底和所述薄膜聚合物传播裂缝来形成。
5. 如权利要求1所述的光调制器，其中通过所述多个输入界面波导被传送到所述基底 上薄膜聚合物的相干光基本上是TM平面偏振的； 其中TM平面偏振光包括以偏离所述输入平面光波导、所述基底上薄膜聚合物调制器、 以及所述输出平面光波导的表面平面90度取向的电横波。
6. 如权利要求1所述的光调制器，还包含： 在所述输入平面光波导中包括的或者被可操作地耦合到所述输入平面光波导的TM平 面偏振片。
7. 如权利要求1所述的光调制器，其中所述输入平面光波导还包含： 输入波导；以及 多个输入界面波导分束器，所述多个输入界面波导分束器被配置为分离来自所述输入 波导的输入相干光，以便向每一个所述输入界面波导传送相干光。
8. 如权利要求1所述的光调制器，还包含： 偏振旋转器，其被可操作地耦合到所述电光聚合物波导的第一部分，所述偏振旋转器 被配置为将来自所述电光聚合物波导的第一部分的TM调制光旋转到TE平面偏振光； 其中TE平面平面偏振光包括以平行所述输入平面光波导、所述基底上薄膜聚合物调 制器、以及所述输出平面光波导的表面平面取向的电横波。
9. 如权利要求8所述的光调制器，其中所述输出平面光波导还包含： 光合路器，其被可操作地耦合到所述电光聚合物波导的第一部分以及所述电光聚合物 波导的第二部分，并且被配置为将来自所述电光聚合物波导的第一部分和所述偏振旋转器 的TE平面偏振光与来自所述电光聚合物波导的第二部分的TM平面偏振光结合；以及 输出波导，其被可操作地耦合到所述光合路器并且被配置为承载所结合的TE和TM平 面偏振光。
10. 如权利要求9所述的光调制器，还包含： 输出光耦合器，其被可操作地耦合到所述输出波导并且被配置为将所结合的TE和TM 平面偏振光耦合到光纤或者另一个波导装置。
11. 如权利要求1所述的光调制器，还包含： 组装基底；以及 其中在所述组装基底上安装了所述输入平面光波导、所述基底上薄膜聚合物调制器、 以及所述输出平面光波导，并且它们相应的波导毗邻所述组装基底且远离所述组装基底安 装了各个基底。
12. 如权利要求11所述的光调制器，其中所述组装基底被配置为提供在所述基底上薄 膜聚合物调制器的波导与所述输入和输出平面光波导之间的坚直对齐。
13. 如权利要求11所述的光调制器，其中所述组装基底包含： 大体上1毫米厚的载玻片。
14. 如权利要求1所述的光调制器，还包含： 第一马赫增德尔干涉仪，所述第一马赫增德尔干涉仪在所述输入平面光波导上包括： 第一输入中间波导； 两个第一输入界面波导；以及 第一输入分束器，其被可操作地耦合到所述第一中间波导并且被配置为将从所述第一 输入中间波导接收到的相干光分到所述两个第一输入界面波导上； 所述第一马赫增德尔干涉仪还在所述基底上薄膜聚合物调制器上包括： 第一对电光聚合物波导调制信道，其分别被对齐来接收来自所述两个第一输入界面波 导的相干光；以及 所述第一马赫增德尔干涉仪还在所述输出平面光波导上包括： 两个第一输出界面波导，其被对齐来接收来自所述第一对电光聚合物波导调制信道的 调制相干光； 第一输出合路器，其被可操作地耦合到两个第一输出界面波导并被配置为结合所接收 到的光；以及 第一输出中间波导，其被配置为接收来自所述第一输出合路器的结合的光。
15. 如权利要求14所述的光调制器，还包含： 第二马赫增德尔干涉仪，所述第二马赫增德尔干涉仪在所述输入平面光波导上包括： 第二输入中间波导； 两个第二输入界面波导；以及 第二输入分束器，其被可操作地耦合到所述第二中间波导并且被配置为将从所述第二 输入中间波导接收到的相干光分到所述两个第二输入界面波导上； 所述第二马赫增德尔干涉仪还在所述基底上薄膜聚合物调制器上包括： 第二对电光聚合物波导调制信道，其分别被对齐来接收来自所述两个第二输入界面波 导的相干光；以及 所述第二马赫增德尔干涉仪还在所述输出平面光波导上包括： 两个第二输出界面波导，其被对齐来接收来自所述第一对电光聚合物波导调制信道的 调制相干光； 第二输出合路器，其被可操作地耦合到两个第二输出界面波导并被配置为结合所接收 到的光；以及 第二输出中间波导，其被配置为接收来自所述第二输出合路器的结合的光。
16. 如权利要求15所述的光调制器，其中所述第一马赫增德尔干涉仪和第二马赫增德 尔干涉仪被配置为合作以形成第一正交相移键控（QPSK)或者差分正交相移键控（DQPSK) 光调制器。
17. 如权利要求16所述的光调制器，还包含： 热光正交相位偏置装置，其被布置在所述输入平面光波导或者所述输出平面光波导 上，并被可操作地耦合到所述第一马赫增德尔干涉仪或者所述第二马赫增德尔干涉仪中的 一个上，并且被配置为维持所述第一马赫增德尔干涉仪和第二马赫增德尔干涉仪之间的正 余弦相位关系，以使所述正交相移键控或者正交差分相移键控光调制器基本上保持在合适 的相位对齐。
18. 如权利要求17所述的光调制器，还包含： 第三马赫增德尔干涉仪和第四马赫增德尔干涉仪，其在所述输入平面光波导、所述基 底上薄膜聚合物调制器、以及所述输出平面光波导上形成，并且被配置作为可操作来调制 所述相干光的第二正交相移键控或者正交差分相移键控光调制器。
19. 如权利要求18所述的光调制器，还包含： 偏振旋转器，其被可操作地耦合到所述第一正交相移键控或者正交差分相移键控光调 制器的输出波导，并且被配置为将所述第一正交相移键控或者正交差分相移键控调制的相 干光的偏振从TM平面偏振旋转到TE平面偏振；以及 合路器，其被配置为将来自所述第一正交相移键控或者正交差分相移键控光调制器的 TE平面偏振光与来自所述第二正交相移键控或者正交差分相移键控光调制器的TM平面偏 振光结合，以在输出波导上形成包括两个单独的正交相移键控或者正交差分相移键控调制 光信号的单个光信号。
20. 如权利要求19所述的光调制器，还包含： 偏振相位偏置装置，其被配置为偏移来自所述第一正交相移键控或者正交差分相移键 控光调制器或者所述第二正交相移键控或者正交差分相移键控光调制器的光的相位，以与 另一个正交相移键控或者正交差分相移键控光调制器的相位匹配。
21. 如权利要求1所述的光调制器，其中所述基底上薄膜聚合物调制器包括被可操作 地耦合到每个电光调制波导的相应的高速电极。
22. 如权利要求1所述的光调制器，其中所述相干光主要由单个波长构成。
23. 如权利要求1所述的光调制器，其中所述相干光包括多个波分复用（WDM)信道中的 一个，其中所述波分复用（WDM)信道从C或者L数据传输波分复用频带中选择。
24. 如权利要求1所述的光调制器，还包含： 偏振旋转器，其在对应于所述电光聚合物波导的一部分的区域中被安装在所述基底上 薄膜聚合物调制器和所述输出平面光波导之间，并且被配置为将从所述电光聚合物波导的 所述一部分接收到的TM平面偏振光旋转为TE平面偏振光。
25. 如权利要求1所述的光调制器，其中所述输入平面光波导的波导、所述基底上薄膜 聚合物调制器的电光调制波导、以及所述输出平面光波导的波导是在毗邻相应的基底上的 顶部表面的相应的波导层中各自形成的，并且通过毗邻所述组装基底安装所述波导层而在 Z轴上保持互相对齐。
26. 如权利要求1所述的光调制器，还包含： 安装基底，其被配置为承载所述输入平面光波导、所述基底上薄膜聚合物调制器、所述 输出平面光波导、以及组装基底；并且被配置为承载所述双偏振正交光调制器，以便可操作 地与封装件、热沉或者与一个或者多个额外的波导装置中的至少一个耦合。
27. 如权利要求26所述的光调制器，还包含： 热垫片或者热凝胶，其被配置为至少将所述基底上薄膜聚合物光调制器热耦合到所述 安装基底。
28. 如权利要求1所述的光调制器，其中所述输入平面光波导、所述基底上薄膜聚合物 调制器、以及所述输出平面光波导被配置为合作来用作以下中的一个或者多个：双偏振正 交光调制器、正交相移键控（QPSK)光调制器、差分相移键控（DPSK)光调制器、差分正交相 移键控（DQPSK)光调制器、归零差分正交相移键控（RZ-DQPSK)光调制器、正交幅度调制器 (QAM)或者多电平光调制器。
29. 如权利要求1所述的光调制器，其中所述基底上薄膜聚合物调制器的电光聚合物 波导中的每一个包括光输入面和光输出面，所述光输入面和光输出面通过使用切分锅切分 所述基底和薄膜聚合物而形成。
30. 如权利要求1所述的光调制器，其中所述输入平面光波导还包含： 多模干涉（MMI)耦合器、定向耦合器、复用单元或者解复用单元中的一个或者多个。
31. 如权利要求1所述的光调制器，其中所述输入平面光波导还包含： 被配置为产生所述相干光的激光器。
32. 如权利要求1所述的光调制器，其中所述输出平面光波导还包含： 多模干涉（MMI)耦合器、定向耦合器、复用单元或者解复用单元中的一个或者多个。
33. 如权利要求1所述的光调制器，其中所述输出平面光波导还包含： 一个或者多个光电探测器。
34. -种用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方法，所述方法包 含： 接收相干TM平面偏振光； 将所述相干光分离到具有输入平面光波导的八个输入界面波导内； 接收来自所述八个输入界面波导的相干光并且通过八个相应的基底上薄膜聚合物电 光调制器波导传输相干光的八个相应的信道； 将至少一个第一调制的电正弦数据信号和至少一个第二调制的电正弦数据信号接收 到相应的至少一个第一高速正弦电极和相应的至少一个第二高速正弦电极上，所述至少一 个第一高速正弦电极被可操作地耦合到第一对所述电光调制器波导，并且所述至少一个第 二高速正弦电极被可操作地耦合到第三对所述电光调制器波导； 将至少一个第一调制的电余弦数据信号和至少一个第二调制的电余弦数据信号接收 到相应的至少一个第一高速余弦电极和相应的至少一个第二高速余弦电极上，所述至少一 个第一高速余弦电极被可操作地耦合到第二对所述电光调制器波导，并且所述至少一个第 二高速余弦电极被可操作地耦合到第四对所述电光调制器波导； 其中所述第一正弦调制的电数据信号和第一余弦调制的电数据信号基本上是正交的， 并且所述第二正弦调制的电数据信号和第二余弦调制的电数据信号基本上是正交的； 将由所述相应的高速电极产生的电场施加到八个电光调制器波导，以在通过其的相干 TM平面偏振光中产生八个相应的相移； 使用具有输出平面光波导的八个输出界面波导接收所述相移相干偏振光； 结合来自所述第一对电光调制器波导的光、结合来自所述第二对电光调制器波导的 光、结合来自所述第三对电光调制器波导的光、以及结合来自所述第四对电光调制器波导 的光，以形成相应的分别承载第一正弦调制、第一余弦调制、第二正弦调制以及第二余弦调 制的光的第一、第二、第三以及第四马赫增德尔干涉仪调制光数据信号； 将来自所述第一对电光调制器波导和所述第一马赫增德尔干涉仪的光与来自所述第 二对电光调制器波导和所述第二马赫增德尔干涉仪的光结合，以产生第一正交调制的光数 据信号； 将来自所述第三对电光调制器波导和所述第三马赫增德尔干涉仪的光与来自所述第 四对电光调制器波导和所述第四马赫增德尔干涉仪的光结合，以产生第二正交调制的光数 据信号 将来自所述第一对电光调制器波导和第二对电光调制器波导的调制光的偏振平面从 TM平面偏振旋转到TE平面偏振；以及 将来自所述第一正交调制的光数据信号的光与来自所述第二正交调制的光数据信号 的光结合，以产生包括正交调制的TE平面偏振光分量和正交调制的TM平面偏振光分量的 输出调制的光波长数据信号。
35. 如权利要求34所述的用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方 法，还包含： 接收多个马赫增德尔偏置信号；以及 加热所述电光调制波导的一半的一部分，以将每个马赫增德尔干涉仪波导对调到。
36. 如权利要求34所述的用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方 法，还包含： 接收多个正交偏置信号；以及 加热所述输入平面光波导的波导或者所述输出平面光波导的波导的一部分，以使相互 正交的马赫增德尔干涉仪达到相干光相位对齐。
37. 如权利要求34所述的用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方 法，还包含： 接收偏振偏置信号；以及 加热输入平面光波导的波导或者输出平面光波导的波导，以将所述ΤΕ平面偏振光分 量与所述ΤΜ平面偏振光分量时间对齐或者相位对齐。
38. 如权利要求34所述的用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方 法，其中接收来自所述八个输入界面波导的相干光并且通过八个相应的基底上薄膜聚合物 电光调制器波导传输相干光的八个相应的信道包括通过所述薄膜聚合物中的边缘面接收 光，其中所述边缘面通过使用切分锯从晶片切分所述基底和所述薄膜聚合物来形成。
39. 如权利要求34所述的用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方 法，其中使用具有输出平面光波导的八个输出界面波导接收所述相移相干偏振光包括通过 所述薄膜聚合物中的边缘面发射光，其中所述边缘面通过使用切分锯从晶片切分所述基底 和所述薄膜聚合物来形成。
40. 如权利要求34所述的用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方 法，其中将来自所述第一对电光调制器波导和第二对电光调制器波导的调制光的偏振平面 从TM平面偏振旋转到TE平面偏振包括通过偏振旋转器传递正交调制光信号，其中所述偏 振旋转器被布置在所述输出平面光波导上或者被布置在所述输出平面光波导的部分之间。
41. 如权利要求34所述的用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方 法，其中将来自所述第一对电光调制器波导和第二对电光调制器波导的调制光的偏振平面 从TM平面偏振旋转到TE平面偏振包括在由所述输出平面光波导接收来自所述基底上薄膜 聚合物调制器波导的一部分的相位调制光之前通过偏振旋转器传递所述相位调制光。
42. 如权利要求34所述的用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方 法，还包含： 将接收到的相干光偏振到TM平面偏振。
43. 如权利要求34所述的用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方 法，其中接收所述相干光包括接收与第一正交调制器对应的相干光的第一信道以及接收与 第二正交调制器对应的相干光的第二信道； 其中所述相干光的第一信道和第二信道是彼此不相干的。
44. 如权利要求34所述的用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方 法，还包含： 产生用于调制所述电光调制器的正弦数据和余弦数据。
45. 如权利要求34所述的用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方 法，其中接收至少一个第一正弦调制的电信号和至少一个第一余弦调制的电信号包括接收 正交幅度调制（QAM)、正交相移键控（QPSK)、或者差分正交相移键控（DQPSK)调制。
46. 如权利要求34所述的用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方 法，其中接收至少一个第一正弦调制的电信号和至少一个第一余弦调制的电信号包括接收 差分相移键控（DPSK)调制。
47. 如权利要求34所述的用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方 法，其中接收来自所述八个输入界面波导的相干光并且通过八个相应的基底上薄膜聚合物 电光调制器波导传输相干光的八个相应的信道包括通过所述薄膜聚合物中的边缘面接收 光，其中所述边缘面通过刻划所述基底上薄膜聚合物的基底，并且横跨所述基底和所述薄 膜聚合物传播裂缝来形成。
48. 如权利要求34所述的用于使用双偏振正交光调制器将数据调制到光波长上的方 法，其中使用具有输出平面光波导的八个输出界面波导接收所述相移相干偏振光包括通过 所述薄膜聚合物中的边缘面发射光，其中所述边缘面通过刻划所述基底上薄膜聚合物的基 底，并且横跨所述基底和所述薄膜聚合物传播裂缝来形成。
49. 一种用于制造双偏振正交光调制器的方法，所述方法包含： 将基底上薄膜聚合物调制器模片安装到组装基底上，其中所述基底上薄膜聚合物调制 器模片包括含有聚合物栈中的输入端和输出端的多个电光调制波导，使得所述聚合物栈和 所述电光调制波导是与所述组装基底毗邻的，并且所述基底上薄膜聚合物调制器的基底通 过所述聚合物栈与所述组装基底隔开； 将输入平面光波导模片安装到所述组装基底上，其中所述输入平面光波导模片包括平 面光波导基底上的波导层中的多个输入界面波导，同时将所述多个输入界面波导与所述基 底上薄膜聚合物的电光调制波导的输入端对齐，使得所述输入平面光波导的波导层毗邻所 述组装基底，并且所述平面光波导基底通过所述输入平面光波导的波导层与所述组装基底 隔开；以及 将输出平面光波导模片安装到所述组装基底，其中所述输出平面光波导模片包括平面 光波导基底上的波导层中的多个输出界面波导，同时将所述多个输出界面波导与所述基底 上薄膜聚合物调制器的电光调制波导的输出端对齐，使得所述输出平面光波导的波导层毗 邻所述组装基底，并且所述平面光波导基底通过所述输出平面光波导的波导层与所述组装 基底隔开。
50. 如权利要求49所述的用于制造双偏振正交光调制器的方法，其中通过使用粘合剂 将所述输入平面光波导模片、所述基底上薄膜聚合物调制器模片、以及所述输出平面光波 导模片粘附到所述组装基底来将这些模片安装到所述组装基底上。
51. 如权利要求50所述的用于制造双偏振正交光调制器的方法，其中所述粘合剂包括 光粘合剂。
52. 如权利要求50所述的用于制造双偏振正交光调制器的方法，还包含： 使用紫外光固化所述粘合剂。
53. 如权利要求49所述的用于制造双偏振正交光调制器的方法，还包含： 在所述输出平面光波导模片中对应于一个或者多个波导的位置处形成沟槽，其中所述 一个或者多个波导被配置为承载通过所述电光调制波导的第一部分之后的光；以及 在所述沟槽中安装偏振旋转器。
54. 如权利要求53所述的用于制造双偏振正交光调制器的方法，其中在将所述输出平 面光波导模片安装到所述组装基底上之前，执行了形成所述沟槽和安装所述偏振旋转器。
55. 如权利要求49所述的用于制造双偏振正交光调制器的方法，其中所述输出平面光 波导模片包括两个输出平面光波导模片；并且所述方法还包含 ： 在所述两个输出平面光波导模片之间对应于一个或者多个波导的位置处安装偏振旋 转器，其中所述一个或者多个波导被配置为承载通过所述电光调制器波导的第一部分之后 的光。
56. 如权利要求49所述的用于制造双偏振正交光调制器的方法，还包含： 在将所述输出平面光波导模片安装到所述组装基底上之前，Btt邻所述电光调制器波导 的第一部分的输出端安装偏振旋转器；以及 其中安装所述输出平面光波导模片包括毗邻所述偏振旋转器安装所述输出平面光波 导模片。
57. 如权利要求56所述的用于制造双偏振正交光调制器的方法，还包含： 在将所述输出平面光波导模片安装到所述组装基底上之前，安装具有与所述偏振旋转 器基本上相同的厚度的非偏振旋转窗，其中所述非偏振旋转窗毗邻没有被所述偏振旋转器 对向的电光调制器波导的第二部分的输出端。
58. 如权利要求49所述的用于制造双偏振正交光调制器的方法，还包含： 将组装好的组装基底、输入平面光波导模片、基底上薄膜聚合物模片、以及输出平面光 波导模片安装到安装基底上，使得所述输入平面光波导模片、基底上薄膜聚合物模片、以及 输出平面光波导模片是与所述安装基底毗邻的，并且所述组装基底通过相应的输入平面光 波导、基底上薄膜聚合物、以及输出平面光波导基底和波导层与所述安装基底隔开。
59. 如权利要求58所述的用于制造双偏振正交光调制器的方法，其中将组装好的组装 基底、输入平面光波导模片、基底上薄膜聚合物模片、以及输出平面光波导模片安装到安装 基底包括：在相应的输入平面光波导模片、基底上薄膜聚合物模片、以及输出平面光波导模 片基底与所述安装基底之间放置热垫片或者热凝胶。
60. 如权利要求49所述的用于制造双偏振正交光调制器的方法，其中所述组装基底包 括对应于所述电光调制器波导的多个高速电极；以及 其中将所述基底上薄膜聚合物模片安装到所述组装基底上包括将所述电光调制器波 导与所述高速电极对齐。
61. 如权利要求49所述的用于制造双偏振正交光调制器的方法，还包含： 从基底上薄膜聚合物晶片切分所述基底上薄膜聚合物模片，从而通过切分锯形成所述 电光调制器波导的输入面和输出面。
62. 如权利要求49所述的用于制造双偏振正交光调制器的方法，还包含： 从基底上薄膜聚合物晶片形成所述基底上薄膜聚合物模片，使得通过刻划所述基底上 薄膜聚合物晶片并且通过所述基底和所述薄膜聚合物传播裂缝形成所述电光调制器波导 的输入面和输出面。
【文档编号】H04L27/18GK104054311SQ201280066816
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2012年11月11日 优先权日:2011年11月11日
【发明者】余国民, 乔纳森·马利亚里, 埃里克·米勒, 宝群·陈, 拉卢卡·迪努 申请人:吉高迅公司