具有翻盖的显示终端的制作方法
【专利摘要】本发明涉及具有翻盖的显示终端，其包括具有霍尔传感器的第一本体和具有磁元件的第二本体。所述磁元件的区域可对应于第二本体的最大水平移动距离和最大垂直移动距离。
【专利说明】具有翻盖的显示终端
[0001]相关申请的交叉参考
[0002]本申请要求于2013年8月29日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2013-0102846号的根据35USC119(a)的权益，为了所有目的通过引用将该申请的全部内容合并在本文中。
【技术领域】
[0003]下面的描述涉及具有翻盖的显示终端，通过翻盖的滑动来确定内部磁元件区域。
【背景技术】
[0004]韩国实用新型登记第20-0167871号描述了一种装置，其检测包括PCB(印刷电路板，Printed Circuit Board)、磁传感器以及翻盖的翻盖式无绳电话的翻盖是打开还是关闭。PCB安装在本体内并且通过选择按钮可访问。
[0005]通常，采用的是使用霍尔元件来检测翻盖是打开还是关闭，但是既不采用检测机构也不采用磁元件区域。
【发明内容】
[0006]本
【发明内容】
被提供以便以简化的形式引入在下面的【具体实施方式】部分中进一步描述的概念的选择。本
【发明内容】
并不意在标识所要求的主题的关键特征或本质特征，也不意在用来帮助确定所要求的主题的范围。
[0007]在一个总的方面，一种装置包括:第一本体，其包括霍尔传感器；第二本体，其包括具有最小区域的磁元件，其中，磁元件的最小区域对应于至少所述第二本体的最大水平移动距离和最大垂直移动距离。
[0008]该装置可以是显示终端，霍尔传感器的区域可以是L*M，以及磁元件的最小区域可以是LXmaX*LYmaX，其中，L表示霍尔传感器的水平长度，M表示霍尔传感器的垂直长度，LXmax表示第二本体的最大水平移动距离，以及LYmax表示第二本体的最大垂直移动距离。
[0009]LXmax和LYmax分别基于第二本体的直线移动距离和旋转移动距离的总值来获得。
[0010]LXmax和LYmax可以分别还基于霍尔传感器的水平或垂直长度来获得。
[0011]LXmax可通过下式来确定:LXmax = Max (A, Xe, Xd)+L+B,其中,A表示第二本体的左水平滑动距离，B表示第二本体的右水平滑动距离，Xe表示通过第二本体的顺时针旋转的水平滑动距离，Xd表示通过第二本体的逆时针旋转的水平滑动距离；以及MAX (A，Xe，Xd)表示A、Xc以及Xd之中的最大值。
[0012]LYmax可通过下式来确定:LYmax = Yc+M+Yd,其中,Yc表示通过第二本体的顺时针旋转的垂直滑动距离；以及Yd表示通过第二本体的逆时针旋转的垂直滑动距离。
[0013]第二本体的在顺时针或逆时针旋转上的水平滑动距离通过下式来确定:Xc =sin( Θ /2)*(sin( Θ /2)*R*2) ；Xd = sin( Θ ’ /2)*(sin( Θ ’ /2)*R*2)，其中，Θ 表示第二本体的顺时针旋转角，Θ’表示第二本体的逆时针旋转角；以及R表示第二本体的旋转半径。
[0014]由第二本体的顺时针或逆时针旋转引起的垂直旋转滑动的距离可由下式确定:Yc=cos ( Θ /2)*(sin( Θ /2)*R*2) ,Yd = cos ( Θ ’ /2)*(sin( Θ ’ /2)*R*2)，其中，Y表示第二本体的垂直旋转滑动的距离；Θ表示第二本体的顺时针旋转角度；Θ ’表示第二本体的逆时针旋转角度；以及R表示第二本体的旋转半径。
[0015]磁元件的最小长度和宽度可以大于霍尔传感器的长度和宽度。
[0016]磁元件可以具有矩形形状。
[0017]磁元件布置成使得磁元件的区域不与相对的霍尔传感器的区域重叠。
[0018]在另一总的方面，一种装置，包括:第一本体；霍尔传感器，该霍尔传感器布置在第一本体上；第二本体，该第二本体具有最大滑动区域；以及磁元件，该磁元件布置在第二本体中并且覆盖最大滑动区域。
[0019]该装置可以是显示终端，霍尔传感器可配置为检测磁场，以及第二本体可连接至第一本体。
[0020]最大滑动区域可基于水平滑动距离和旋转滑动距离来计算。
[0021]水平滑动距离可使用第二本体的水平滑动距离来计算。
[0022]旋转滑动距离可使用第二本体的顺时针或逆时针旋转半径和旋转角来计算。
[0023]旋转滑动距离划分为水平旋转滑动距离和垂直旋转滑动距离。
[0024]最大滑动区域的水平长度可以基于水平旋转滑动距离和垂直旋转滑动距离的最大值来计算。
[0025]最大滑动区域的垂直长度可以基于所有顺时针旋转和逆时针旋转的垂直旋转滑动距离来计算。
[0026]磁元件可响应于显示器终端关闭来覆盖霍尔传感器的区域。
[0027]最大滑动区域的水平长度还可以基于霍尔传感器的水平长度来计算。
[0028]最大滑动区域的垂直长度还可以基于霍尔传感器的垂直长度来计算。
【专利附图】
【附图说明】
[0029]图1是例示显示终端和翻盖的示例的示意图；
[0030]图2是例示关闭翻盖的示例的示意图；
[0031]图3是例示磁元件位置和霍尔传感器的相关位置的示例的示意图；
[0032]图4是例示翻盖的水平滑动的示例的示意图；
[0033]图5是例示翻盖的顺时针旋转滑动的示例的示意图；
[0034]图6是例示翻盖的逆时针旋转滑动的示例的示意图；
[0035]图7是例示磁体基于霍尔传感器区域的最大移动距离的示例的示意图；
[0036]图8是例示磁元件的最小区域的示例的示意图；
[0037]图9是例示根据磁元件或磁体形状的磁场的示例的示意图。
【具体实施方式】
[0038]提供下列详细描述以帮助读者全面理解本文所描述的方法、装置和/或系统。然而，本文所描述的系统、装置和/或方法的各种修改、变化以及等效对本领域的普通技术人员而言是显见的。所描述的处理步骤和/或操作的顺序是示例；然而，处理步骤和/或操作的顺序不限于本文所给出的，而是除了必须以确定的顺序出现的步骤和/或操作之外，可以如现有技术中所知的进行变化。另外，为了更清楚简洁，可以省去本领域中的技术人员所熟知的功能和结构的描述。
[0039]本文所描述的特征可以以不同的形式来体现，但是不能理解为受限于本文所描述的示例。而是，已经提供本文所描述的示例，使得本公开将更全面和完整，并且将公开的整个范围传达给本领域中的普通技术人员。
[0040]图1是例示显示终端和翻盖或保护盖的示例的示意图。
[0041]参考图1，显示终端100包括对应于第一本体的主体120和布置在主体120中的霍尔传感器110。翻盖(或保护盖)200对应于第二本体并且包括磁元件210和覆盖单元220。仅根据其功能来命名显示终端100和翻盖200，而在其他示例中，显示终端100和覆盖200可以集成地实现。例如，翻盖200可以直接耦接至显示终端100或者耦接至电池盖的后面。
[0042]显示终端100可对应于包括显示功能的装置。例如,显示终端100包括用于无线通信的装置，诸如，手机、智能手机、平板电脑或双向无线电广播。显示终端100可以包括霍尔传感器110和主体120。
[0043]霍尔传感器110可以检测由翻盖200的磁元件210产生的磁场。霍尔传感器110可以集成到霍尔传感器芯片中。例如，霍尔传感器芯片包括多个霍尔元件、逻辑电路以及存储器。霍尔传感器和霍尔传感器芯片可以无差别地使用并且这种无差别不应限制权利要求范围。
[0044]霍尔传感器110可以实现为矩形并且可以包括在该霍尔传感器110内部的一个或更多个霍尔元件。霍尔元件可以在霍尔传感器110的角处彼此对称地分隔开。霍尔传感器110可以覆盖比实现为单个霍尔元件的霍格传感器更大的区域。因此，霍尔传感器110可以以比实现为单个霍尔元件的霍尔元件更大的能力来检测磁场。
[0045]应理解的是，霍尔兀件利用霍尔效应来测量磁场的方向和大小。霍尔效应是横切导体中的电流和垂直于电流的磁场，在导体的两端产生电压差(霍尔电压)。霍尔电压与电流和磁场的量成正比，并且在电流的量是常数时，霍尔电压与磁场成正比。
[0046]主体120可以包括显示装置和用于无线通信的无线收发机。
[0047]翻盖200可以对应于用于保护显示终端100的显示器和外观的装置并且可以保护显示终端100免受由于坠落而造成的划痕或损坏。翻盖200可以包括用于产生磁场的磁元件210和用于覆盖显示终端100的前面的覆盖单元220。翻盖200的打开和关闭可以在磁元件210周围产生磁场的变化并且通过显示终端100的霍尔传感器110可以检测到磁场上的这种变化。
[0048]磁元件210可以在霍尔传感器110周围产生磁场。磁元件210附接至覆盖单元220并且根据覆盖单元220的移动而移动。因此，霍尔传感器110周围的磁场根据覆盖单元220的移动而变化。
[0049]覆盖单元220可以保护显示终端100的前面并且可在内部或在外部包括磁元件210。覆盖单元220的移动距离可根据用户使用装置的风格或翻盖200的老化沿着上、下、左或右方向变化。覆盖单元220在上、下、左或右方向上的移动可影响与覆盖单元220相连接的磁元件210的移动方向和移动距离。当磁元件210的移动距离的变化产生时，霍尔传感器所检测到的磁场会变化。
[0050]图2是例示关闭翻盖的示例的示意图。
[0051]参考图2，当显示终端100覆盖翻盖200时，磁元件210可以靠近霍尔传感器110布置。
[0052]在示例中，当显示终端100覆盖翻盖200时，磁元件210可以布置在不与霍尔传感器110重叠的位置。当磁元件210布置在这样的位置时，由霍尔传感器110内的一个或更多个霍尔元件中的每一个所检测的磁场分别可以不相同，并且一个或更多个霍尔元件中的每一个之间所检测的磁场的差异可以增加检测翻盖的移动的精确度。可根据霍尔传感器110中的一个或更多个霍尔元件中的每一个与磁元件210之间的距离来确定由霍尔传感器110检测的磁场。
[0053]霍尔传感器110可基于磁场来区分翻盖类型。当折叠显示终端并且磁元件210与霍尔传感器110重叠时，由于通过布置在霍尔传感器110的角上的一个或更多个霍尔元件中的每一个不能区分开磁场，所以霍尔传感器110可能会错误地检测翻盖类型。因为在霍尔传感器110中的一个或多个霍尔元件实际上可能会与单个霍尔元件相同，这会造成问题。
[0054]在示例中，磁元件210可靠近地布置在相对的霍尔传感器区域的上侧、下侧、左侧或右侧中的一侧上。在另一示例中，磁体可靠近地布置在相对的霍尔传感器区域的至少一个角上。
[0055]图3是例示磁体位置和霍尔传感器的相关位置的示例的示意图。
[0056]图3例示了磁元件(磁体)210可靠近地布置在相对的霍尔传感器区域的上侧、下侦U、左侧或右侧的示例。在图3中，磁元件210的N极或S极可靠近霍尔传感器110布置。图3a例示了磁元件210的N极靠近地布置在相对区域的上侧、下侧、左侧或右侧的示例，而图3b例示了磁元件210的S极靠近地布置在相对区域的上侧、下侧、左侧或右侧的示例。
[0057]图4是例示了翻盖的水平滑动的示例的示意图。
[0058]在翻盖200中可产生左或右水平滑动。水平滑动可以由于用于移动翻盖200的铰链420而产生或者由于翻盖200的老化而造成。
[0059]参考图4a，可在翻盖200中产生左滑动距离A。左滑动可改变相对的霍尔传感器区域的位置(例如，将相对的霍尔传感器区域的位置从410改变至410a)。
[0060]参考图4b，可在翻盖200中产生右滑动距离B。这可将相对的霍尔传感器区域的位置从410改变至410b并且改变相对的霍尔传感器区域的位置。
[0061]图5是例示翻盖200的顺时针旋转滑动的示例的示意图。
[0062]参考图5，可以产生翻盖200的顺时针旋转滑动。通过用于移动翻盖200的铰链420或者通过翻盖200的老化来产生旋转滑动。
[0063]翻盖200可在顺时针方向上产生旋转角Θ。旋转半径(Re)可对应于在铰链420的顶部处的开始点与相对的霍尔传感器区域之间的距离。对应的旋转滑动可将相对的霍尔传感器区域的位置改变C (例如，将相对的霍尔传感器区域的位置从510a改变至510b)。移动距离C的X轴或Y轴分量和C的笛卡尔坐标系可通过下列数学等式I来确定。
[0064][数学等式I]
[0065]C = sin ( Θ /2)*Rc*2
[0066]Xe = sin( Θ/2)*C
[0067]Yc = cos( Θ/2)*C
[0068]C:旋转滑动距离
[0069]θ:旋转角
[0070]Re:旋转半径
[0071]Xe:C的X轴分量
[0072]Yc:C的Y轴分量
[0073]图6是例示翻盖的逆时针旋转滑动的示例的示意图。
[0074]参考图6，可在翻盖200中产生逆时针旋转滑动。旋转滑动可以由用于移动翻盖200的铰链420产生或者可以由翻盖200的老化而造成。翻盖200可在逆时针方向上产生旋转角Θ ’。旋转半径(Rd)可对应于在铰链420的底部处的开始点与相对的霍尔传感器区域之间的距离。对应的旋转滑动将相对的霍尔传感器区域的位置改变D(例如，将相对的霍尔传感器区域的位置从610a改变至610b)。移动距离D的X轴或Y轴分量和D的笛卡尔坐标系可通过下列数学等式2来确定。
[0075][数学等式2]
[0076]D = sin ( Θ ’ /2)*Rc*2
[0077]Xd = sin( Θ，/2)*C
[0078]Yd = cos ( Θ ’ /2)*C
[0079]D:旋转滑动距离
[0080]Θ ’:旋转角
[0081]Rd:旋转半径
[0082]Xd:D的X轴分量
[0083]Yd:D的Y轴分量
[0084]当在翻盖200中产生顺时针或逆时针旋转滑动时，可通过下列的数学等式统一地确定旋转滑动距离。
[0085][数学等式3]
[0086]X = sin ( Θ/2) * (sin ( Θ/2) *R*2)
[0087]Y = cos ( θ/2) * (sin ( θ/2) *R*2)
[0088]X:水平旋转滑动距离(在第一方向上的旋转滑动距离)
[0089]Y:垂直旋转滑动距离(在第二方向上的旋转滑动距离)
[0090]Θ:旋转角
[0091]R:旋转半径
[0092]图7是例示磁体基于霍尔传感器区域的最大移动距离的示例的示意图。
[0093]在该示例中，假设霍尔传感器110实现为矩形，霍尔传感器110的水平和垂直长度分别对应于L和M。因此，霍尔传感器110(或者传感器芯片)的区域可对应于区域L*M。
[0094]在图7a，磁元件210可通过翻盖200的水平滑动或旋转滑动移动至左方或右方。磁元件210可沿着向左的方向移动A、Xc或Xd的最大值范围并且可沿着向右的方向移动一个值B(A:左侧水平滑动距离，B:右侧水平滑动距离，Xe:通过顺时针旋转的水平滑动距离，以及Xd:通过逆时针旋转的X轴滑动距离)。
[0095]当磁元件210靠近地布置在霍尔传感器110的上方或下方时，磁元件210的最大移动距离可通过下列数学等式4来确定。
[0096][数学等式4]
[0097]LXmax = Max (A, Xe, Xd) +L+B
[0098]LXmax:磁体的最大水平移动距离
[0099]L:霍尔传感器的水平长度
[0100]A:左水平滑动距离
[0101]B:右水平滑动距离
[0102]Xe:通过顺时针旋转的水平滑动距离
[0103]Xd:通过逆时针旋转的水平滑动距离
[0104]Max (A, Xe, Xd):A值、Xe值以及Xd值之中的最大值
[0105]如在数学等式4中所例示的，最大水平移动距离LXmax可基于水平滑动距离和旋转滑动距离来获得。例如，水平移动距离可由于磁元件210的X轴方向移动而产生。水平滑动距离A或B根据第二本体(即，翻盖)的水平滑动距离来计算。如在数学等式I至3中所例示的，旋转滑动距离Xe或Xd可根据旋转半径R和旋转角Θ或Θ’来计算。这里，Xe表示由顺时针旋转引起的水平旋转滑动距离，Xd表示由逆时针旋转引起的水平旋转滑动距离。Xe和Xd可对应于通过向量分解获得的旋转的水平分量。
[0106]最大水平移动距离LXmax基于水平滑动距离A、水平旋转滑动距离Xe以及水平旋转滑动距离Xd的最大值来计算。在一个示例中，当向左水平滑动时，可选择水平滑动距离A。然而，在另一实施例中，当向右水平滑动时，可选择水平滑动距离B。最大移动距离LXmax还考虑霍尔传感器的水平长度L,这是因为磁元件210应覆盖霍尔传感器110。
[0107]参考图7b，磁元件210可由于旋转滑动而在向上或向下方向上移动。磁元件210可在向上方向上移动一范围Yd并且可在向下方向上移动一范围Yc (Yc:通过顺时针旋转的Y轴滑动距离，Yd:通过逆时针旋转的Y轴滑动距离)。
[0108]因此，当磁体靠近地布置在霍尔传感器110的左方或右方时，磁元件210的最大移动距离可通过下列的数学等式5来确定。
[0109][数学等式5]
[0110]LYmax = Yc+M+Yd
[0111]LYmax:磁体的最大垂直移动距离
[0112]M:霍尔传感器的垂直距离
[0113]Yc:通过顺时针旋转的垂直滑动距离
[0114]Yd:通过逆时针旋转的垂直滑动距离
[0115]如数学等式5中所例示的，磁元件210的最大垂直移动距离可根据霍尔传感器110的垂直长度和霍尔传感器110的垂直旋转滑动距离Yc或Yd来计算。水平滑动距离可根据第二主体(或翻盖200)的水平滑动距离来计算。如在数学等式I至3中所例示的，旋转滑动距离Yc或Yd可根据旋转半径R和旋转角Θ或Θ ’来计算。Yc表示通过顺时针旋转的垂直旋转滑动距离，而Yd表示通过逆时针旋转的垂直旋转滑动距离。Yc和Yd可对应于通过向量分解获得的旋转的垂直分量。
[0116]因此，最大垂直移动距离LYmax基于所有的由顺时针旋转得到的垂直旋转滑动距离Yc和由逆时针旋转得到的垂直旋转滑动距离Yd来计算。最大垂直移动距离LYmax还考虑霍尔传感器M的垂直长度，这是因为磁元件210应覆盖霍尔传感器110。
[0117]如通过数学等式4和5计算的最大水平移动距离LXmax和最大垂直滑动距离LYmax相乘的值LXmax*LYmax可对应于最大移动区域或最大滑动区域。磁体区域大于最大滑动区域。即，最大滑动区域对应于磁元件210的最小区域。LXmax对应于最大滑动区域的水平长度，而LYmax对应于最大滑动区域的垂直长度。
[0118]图8例示了磁体的最小区域的示例的示意图。
[0119]当翻盖200没有向左方或右方移动时，磁元件210的最小区域对应于霍尔传感器区域。在这种情况下，如通过数学等式所例示的Xc、Xd、Yc和Yd的值是O。例如，假设磁元件210实现为矩形，磁元件210的水平最小长度大于LXmax并且垂直最小长度大于LYmax。因此,磁元件210的最小区域对应于LXmax*LYmax。这考虑了左移动距离、右移动距离、上移动距离、下移动距离。
[0120]为了即使磁元件210水平滑动而霍尔传感器110所接收的磁场仍在预定范围内变化，磁元件210的最小水平长度可确定为最大水平移动距离LXmax。
[0121]为了即使磁元件210垂直滑动而霍尔传感器110所接收的磁场仍在预定范围内变化，磁元件210的最小垂直长度可确定为磁元件210的最大垂直移动距离LYmax。
[0122]当磁体区域对应于作为最小区域的LXmax*LYmax时,可以使由通过滑动引起的翻盖移动造成的检测误差的电势最小化。
[0123]当磁元件210在上、下、左或右滑动或旋转过程中与霍尔传感器110重叠时，可以使由通过滑动引起的翻盖移动所造成的检测误差的电势最小化。当磁元件210和霍尔传感器110远离超出旋转滑动或水平滑动的预定范围时，霍尔传感器110不能准确地检测磁场。因此，当磁元件210的水平和垂直长度对应于如数学等式4和5中例示的最小水平长度和最小垂直长度时，通过霍尔传感器110所检测的磁场不降低。另外，磁元件210的区域越小，则霍尔传感器110所检测的磁场越微弱。
[0124]图9是例示根据磁体形状的磁场的示例的示意图。
[0125]参考图9a，当圆形磁体910与霍尔传感器110靠近地布置时，圆形磁体910向霍尔传感器I1提供不同的相应磁场。例如，磁场的幅度和方向在整个霍尔传感器110的长度和宽度上变化。
[0126]参考图％，当矩形磁体920与霍尔传感器110靠近地布置时，矩形磁体920可向霍尔传感器110提供相似的磁场。因此，当矩形磁体920与霍尔传感器110靠近地布置时，由布置在相距磁元件210相同距离处的一个或更多个霍尔元件所检测的磁场可根据预定范围来变化。显示终端100可以比较由布置在相距矩形磁体920相同距离处的一个或更多个霍尔元件所收集的磁场。
[0127]上述的各种单元、模块、元件以及方法可利用一个或更多个硬件部件、一个或更多个软件部件或一个或更多个硬件部件和一个或更多个软件部件的组合来实现。
[0128]硬件部件可以是例如物理上执行一个或多个操作的物理装置，但是不限于此。硬件部件的示例包括麦克风、放大器、低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、模数转换器、数模转换器以及处理装置。
[0129]软件部件例如可以通过受软件或指令控制以执行一个或多个操作的处理装置来实现，但是不限于此。计算机、控制器或其他控制装置可使处理装置运行软件或执行指令。一个软件部件可以通过一个处理装置来实现，或者两个或更多个软件部件可以通过一个处理装置来实现，或者一个软件部件可以通过两个或更多个处理装置来实现，或者两个或更多个软件部件可以通过两个或更多个处理装置来实现。
[0130]处理装置可利用一个或更多个通用或专用计算机来实现，例如，处理器、控制器以及算术逻辑单元、数字信号处理器、微计算机、现场可编程阵列、可编程逻辑单元、微处理器、或能够运行软件或执行指令的任何其他装置。处理装置可运行操作系统(OS，operatingsystem)，并且可运行在OS下操作的一个或更多个软件应用程序。处理装置在运行软件或执行指令时可访问、存储、操纵、处理以及创建数据。为了简化，在说明书中可使用单数术语“处理装置”，但本领域的技术人员将认识到处理装置可包括多个处理元件并且多种类型的处理元件。例如，处理装置可包括一个或更多个处理器，或一个或更多个处理器和一个或更多个控制器。另外，可以有不同的处理配置，诸如，并行处理器或多核处理器。
[0131]配置为实现软件部件以执行操作A的处理装置可包括这样的处理器，其编程为运行软件或执行指令以控制该处理器执行操作A。另外，配置为实现软件部件以执行操作A、操作B以及操作C的处理装置可具有各种配置，例如，配置为实现执行操作A、B以及C的软件部件的处理器；配置为实现执行操作A的软件部件的第一处理器和配置成实现执行操作B和C的软件部件的第二处理器；配置为实现执行操作A和B的软件部件的第一处理器和配置为实现执行操作C的软件部件的第二处理器；配置为实现执行操作A的软件部件的第一处理器，配置为实现执行操作B的软件部件的第二处理器，以及配置为实现执行操作C的软件部件的第三处理器；配置为实现执行操作A、B和C的软件部件的第一处理器，配置为实现执行操作A、B和C的软件部件的第二处理器，或均实现操作A、B和C中的一个或更多个的一个或更多个处理器的任何其他配置。尽管这些示例涉及三个操作A、B、C，但可实现的操作的数量不限于三个，而可以是实现期望的结果或执行期望的任务所需的任何数量的操作。
[0132]用于控制处理装置以实现软件部件的软件或指令可包括计算机程序、一段代码、指令或其一些组合，用于单独地或共同地指示或配置处理装置以执行一个或更多个期望操作。软件或指令可包括可通过处理装置直接执行的机器代码(例如，通过编译器产生的机器代码)和/或可通过处理装置利用解释器所执行的高级代码。软件或指令以及任何相关的数据、数据文件和数据结构可永久地或暂时地体现在任何类型的机器、部件、物理或虚拟的装置、计算机存储介质或装置，或能够将指令或数据提供至处理装置或能够通过处理装置来解释的传播信号波中。软件或指令以及任何相关的数据、数据文件和数据结构也可分布在连接网络的计算机系统上，使得软件或指令以及任何相关的数据、数据文件和数据结构以分布的方式来存储并且执行。
[0133]例如，软件或指令以及任何相关的数据、数据文件和数据结构可记录、存储或固定在一个或多个非易失性计算机可读存储介质中。非易失性计算机可读存储介质可以是能够存储软件或指令以及任何相关的数据、数据文件和数据结构使得它们能够被计算机系统或处理装置读取的任何数据存储装置。非易失性计算机可读存储介质的示例包括只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、闪存、CD-ROM、CD-R、CD+R、CD-RW、CD+RW、DVD-ROM、DVD-R、DVD+R、DVD-RW、DVD+RW、DVD-RAM、BD-ROM、BD-R、BD-R LTH、BD-RE、磁带、软盘、磁光数据存储装置、光数据存储装置、硬盘、固态盘或本领域普通技术人员所知的任何其他非易失性计算机可读存储介质。
[0134]本领域的普通程序员能够基于如本文所给出的附图和其对应描述来容易地构建出用于实现本文所公开的示例的与这些示例相关的功能程序、代码和代码段。
[0135]尽管本公开包括特定的示例，但是对本领域的普通技术人员显见的是，在不偏离权利要求和其等效例的精神和范围的情况下可对这些示例进行形式和细节上的各种修改。本文所描述的示例仅被认为是描述意义上的并且不是为了限制。在每个示例中的特征或方面的描述被认为可应用于在其他示例中的类似特征或方面。如果所描述的技术以不同的顺序来执行，和/或如果在描述的系统、架构、装置或电路中的部件以不同的方式结合，和/或由其他部件或其等同物来替代或补充，可以实现合适的结果。因此，本公开的范围并不通过详细的描述来限定，而是通过权利要求和其等效例来限定，并且在权利要求范围内的变化和其等同物被理解为包括在本公开中。
【权利要求】
1.一种装置，包括: 第一本体，所述第一本体包括霍尔传感器； 第二本体，所述第二本体包括具有最小区域的磁元件， 其中，所述磁元件的最小区域对应于至少所述第二本体的最大水平移动距离和最大垂直移动距离。
2.根据权利要求1所述的装置，其中， 所述装置是显示终端； 所述霍尔传感器的区域是L*M ；以及 所述磁元件的最小区域是LXmax*LYmax, 其中，L表示所述霍尔传感器的水平长度，M表示所述霍尔传感器的垂直长度，LXmax表示所述第二本体的最大水平移动距离，以及LYmax表示所述第二本体的最大垂直移动距离。
3.根据权利要求2所述的装置，其中LXmax和LYmax分别基于所述第二本体的直线移动距离和旋转移动距离的总值来获得。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，LXmax和LYmax还分别基于所述霍尔传感器的水平或垂直长度来获得。
5.根据权利要求4所述的装置，其中，LXmax通过下式来确定:
LXmax = Max(A, Xe, Xd)+L+B, 其中，A表示所述第二本体的左水平滑动距离； B表示所述第二本体的右水平滑动距离； Xe表示通过所述第二本体的顺时针旋转的水平滑动距离； Xd表示通过所述第二本体的逆时针旋转的水平滑动距离；以及 MAX (A，Xe，Xd)表示A、Xe以及Xd之中的最大值。
6.根据权利要求4所述的装置，其中LYmax通过下式来确定:
LYmax = Yc+M+Yd, 其中，Yc表示通过所述第二本体的顺时针旋转的垂直滑动距离；以及 Yd表示通过所述第二本体的逆时针旋转的垂直滑动距离。
7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第二本体的在顺时针旋转或逆时针旋转上的所述水平滑动距离通过下式来确定:
Xe = sin ( Θ /2)*(sin( Θ /2)*R*2)
Xd = sin ( Θ，/2)* (sin ( Θ，/2)*R*2)， 其中，Θ表示所述第二本体的顺时针旋转角； θ'表示所述第二本体的逆时针旋转角；以及 R表示所述第二本体的旋转半径。
8.根据权利要求5所述的装置，其中，由所述第二本体的顺时针旋转或逆时针旋转引起的垂直旋转滑动的距离由下式确定:
Yc = cos ( Θ /2)*(sin( Θ /2)*R*2)
Yd = cos ( θ，/2)*(sin(θ，/2)*R*2) 其中，Yc和Yd表示所述第二本体的垂直旋转滑动的距离； θ表示所述第二本体的顺时针旋转角度； θ'表示所述第二本体的逆时针旋转角度；以及 R表示所述第二本体的旋转半径。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述磁元件的最小长度和宽度大于所述霍尔传感器的长度和宽度。
10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述磁元件具有矩形形状。
11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述磁元件布置为使得所述磁元件的区域不与相对的所述霍尔传感器的区域重叠。
12.一种装置，包括: 第一本体； 霍尔传感器，所述霍尔传感器布置在所述第一本体中； 第二本体，所述第二本体具有最大滑动区域；以及 磁元件，所述磁元件布置在所述第二本体中并且覆盖所述最大滑动区域。
13.根据权利要求12所述的装置，其中， 所述装置是显示终端； 所述霍尔传感器配置为检测磁场；以及 所述第二本体连接至所述第一本体。
14.根据权利要求12所述的装置，其中，基于水平滑动距离和旋转滑动距离来计算所述最大滑动区域。
15.根据权利要求14所述的装置，其中，使用所述第二本体的水平滑动距离来计算所述水平滑动距离。
16.根据权利要求14所述的装置，其中，使用所述第二本体的顺时针旋转半径或逆时针旋转半径和旋转角来计算所述旋转滑动距离。
17.根据权利要求16所述的装置，其中，所述旋转滑动距离划分为水平旋转滑动距离和垂直旋转滑动距离。
18.根据权利要求17所述的装置，其中，基于所述水平旋转滑动距离和所述垂直旋转滑动距离的最大值来计算所述最大滑动区域的水平长度。
19.根据权利要求17所述的装置，其中，基于所述顺时针旋转和逆时针旋转的所有垂直旋转滑动距离来计算所述最大滑动区域的垂直长度。
20.根据权利要求12所述的装置，其中，所述磁元件响应于所述显示终端关闭来覆盖所述霍尔传感器的区域。
21.根据权利要求18所述的装置，其中，还基于所述霍尔传感器的水平长度来计算所述最大滑动区域的所述水平长度。
22.根据权利要求19所述的装置，其中，还基于所述霍尔传感器的垂直长度来计算所述最大滑动区域的垂直长度。
【文档编号】H04M1/02GK104427045SQ201410205574
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年5月15日 优先权日:2013年8月29日
【发明者】陈炯男, 朴承焕 申请人:美格纳半导体有限公司