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NFC近场通讯结构及电子设备的制作方法
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来源:国知局
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NFC近场通讯结构及电子设备的制作方法与工艺
技术总结
本发明提供了一种NFC近场通讯结构及电子设备,包括线圈,所述线圈呈多圈环路形式,且部分作为主辐射体,剩余部分作为非主辐射体,所述主辐射体所产生的磁场强于非主辐射体产生的磁场,用以产生NFC通讯所需磁场。
技术研发人员:
黄参;姚天明
受保护的技术使用者:
上海安费诺永亿通讯电子有限公司
文档号码:
201611044949
技术研发日:
2016.11.22
技术公布日:
2017.02.22
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