用于NFC或RFID装置的动态发射器信号包络整形控制的制作方法

所描述的实施例大体上涉及用于nfc(近场通信)或rfid(射频识别)的装置和方法，且更具体地说，涉及提供用于nfc或rfid装置的动态发射器信号包络整形控制的装置和方法。

背景技术：

无线通信技术，例如用于nfc或iso14443装置的那些，在近距离内经由磁场感应与彼此通信。每一装置具有天线。主要装置(“读取器”或“启动器”)产生可用于为类似无源应答器的辅助装置供电的磁场。应用于磁场的调制方案用于装置之间的通信目的。

主要装置使用发射器以产生所发射的射频(rf)场。匹配电路用于转换和适配对发射装置的发射器的天线阻抗。

对大功率传输的需求可限制高数据速率通信中的nfc或rfid读取器。更确切地说，当主要装置和辅助装置之间的耦合增加，根据耦合因数和主要装置的谐振电路的失调度，两个(或更多)耦合的电路的总体q(品质)因数改变。所传输的信号的所得包络涉及所耦合的系统的所得q因数。

因为此类所耦合的系统的q因数可能变化极大，所以用于发射器的一个单静态配置设置可能不足以解决q因数的这种广泛变化和所得的所传输的信号的包络形状。取决于辅助装置相对于主要装置的距离/位置，可发生应用系统不符合发射器信号整形。具体地说，发射器包络形状可能不符合标准。

因此，期望具有可以提供用于nfc或rfid装置的动态发射器信号包络整形控制的装置和方法。

技术实现要素：

发射器(tx)调制包络参数在rf标准(例如，iso14443、nfc论坛、emvco)中限定。这些包络参数包括上升/下降时间、上升/下降沿、过冲、下冲、调制指数、调制宽度等。对于标准符合性，这些包络参数必须在对整个操作体积的相应限制内，并且必须在非接触的接口上测量。例如，整形参数受到利用类似于卡或移动电话的对应装置使天线失调的影响，或受到匹配网络上的热影响的影响。本发明描述能够检测和测量天线上的失调和/或匹配网络改变的nfc或rfid装置。具有了此信息，nfc或rfid装置可动态地控制包络的整形参数，而不是依赖于用于发射器的一个单静态配置设置。具体地说，q(品质)因数的改变用于动态地控制发射器信号包络形状，从而补偿天线失调和/或匹配网络变化的影响。

可使用各种方法实施例来实现q因数估计。在第一方法实施例中，实现q因数估计可通过感测天线和匹配网络的电流和/或电压，并接着比较那个结果和参考电流和/或电压电平以确定q因数。在一个实施例中，参考电流和/或电压电平可为天线和匹配网络不耦合到任何对应装置(即，卸载情况中的读取器)的情况(或状态)中的电流和/或电压电平。在第二方法实施例中，实现q因数估计可通过感测天线和匹配网络的电流和/或电压，并接着另外感测发射器的tx电流和/或电压以确定q因数。

在一个实施例中，公开了用于动态控制发射器(tx)信号包络形状的方法。所述方法包括：(1)感测发射器的tx电流和/或电压，(2)感测天线和匹配网络的匹配电流和/或电压，(3)基于tx电流和/或电压与匹配电流和/或电压，确定q(品质)因数，以及(4)基于q因数，动态地控制发射器(tx)信号包络形状。在一个实施例中，动态地控制发射器(tx)信号包络形状包括：(1)执行tx信号包络的数字预失真，以及(2)执行tx信号包络的模拟信号整形。在一个实施例中，tx信号包络的模拟信号整形由预驱动器控制，并且实际上通过改变输出驱动器中的输出电阻来实现。在一个实施例中，发射器(tx)信号包络形状由具有变化的振幅的多个时钟脉冲限定。在一个实施例中，基于以下包络整形参数中的一个或多个控制发射器(tx)信号包络形状：下降时间、上升时间、下降沿、上升沿、过冲、下冲、调制指数、调制宽度。在一个实施例中，包络整形参数在rf(射频)标准中限定。在一个实施例中，rf(射频)标准是以下标准中的一个：iso14443、nfc论坛、emvco。在一个实施例中，通过使用多个预设信号形状配置来控制发射器(tx)信号包络形状。在一个实施例中，多个预设信号形状配置存储在存储器中。在一个实施例中，感测天线和匹配网络的匹配电流和/或电压包括感测在天线和匹配网络的一个或多个节点处的匹配电流和/或电压。在一个实施例中，基于tx电流除以匹配电流的比率，或基于tx电压除以匹配电压的比率，确定q因数。在一个实施例中，发射器是近场通信(nfc)发射器或射频识别(rfid)发射器。

在一个实施例中，公开了用于动态控制发射器(tx)信号包络形状的装置。所述装置包括被配置成由对应于tx电压的tx电流驱动的天线和匹配电路、被配置成感测tx电流和/或电压的第一传感器、被配置成感测天线和匹配网络的匹配电流和/或电压的第二传感器，以及控制单元。在一个实施例中，控制单元被配置成基于tx电流和/或电压与匹配电流和/或电压，确定q(品质)因数，并基于q因数，动态地控制发射器(tx)信号包络形状。所述装置另外包括被配置成执行tx信号包络的数字预失真的数字驱动器、预驱动器和输出驱动器。在一个实施例中，预驱动器和输出驱动器被配置成一起执行tx信号包络的模拟信号整形。在一个实施例中，通过改变输出驱动器中的输出电阻来实现tx信号包络的模拟信号整形。在一个实施例中，通过使用多个预设信号形状配置来控制发射器(tx)信号包络形状。在一个实施例中，所述装置是近场通信(nfc)装置或射频识别(rfid)装置。

在一个实施例中，公开了用于动态控制发射器(tx)信号包络形状的方法。所述方法包括感测天线和匹配网络的匹配电流和/或电压。所述方法还包括基于相比于参考电流和/或电压电平的匹配电流和/或电压，确定q(品质)因数。所述方法另外包括基于q因数，动态地控制发射器(tx)信号包络形状。在一个实施例中，参考电流和/或电压电平与天线和匹配网络不耦合到任何对应装置的情况相关联。在一个实施例中，天线和匹配网络与近场通信(nfc)装置或射频识别(rfid)装置相关联。

以上概述并不希望表示当前或未来的权利要求书的范畴内的每一示例实施例。额外示例实施例论述于以下图式和具体实施方式内。

附图说明

参考结合附图采取的以下描述可最优地理解所描述的实施例和其优点。这些图式决不限制由本领域的技术人员在不脱离所描述的实施例的精神和范畴的情况下对所描述的实施例作出的形式和细节上的任何变化。

图1示出了根据一些示例实施例的用于动态地控制nfc或rfid装置的发射器(tx)信号包络形状的概念。

图2示出了根据一些示例实施例的用于2种不同情况(1.读取器不耦合到对应装置，以及2.读取器耦合到对应装置)下的q(品质)因数估计的方法。

图3示出了根据一些示例实施例的被配置成用于动态地控制nfc或rfid装置的发射器(tx)信号包络形状的读取器装置。

图4示出了根据一些示例实施例，读取器装置(例如，图3中示出的一个)可以如何动态地控制发射器(tx)信号包络形状。

图5a示出了根据一些示例实施例的从读取器装置(例如，图3中示出的一个)输出的发射器(tx)信号的例子。

图5b示出了根据一些示例实施例的在匹配网络和天线处的对应的信号。

图6示出了根据一些示例实施例的发射器(tx)信号包络整形参数中的一些。

图7示出了根据一些示例实施例，用于q(品质)因数估计的方法和用于通过使用多个预设信号形状配置来动态地控制发射器(tx)信号包络形状的方法。

图8示出了根据一些示例实施例的用于动态控制发射器(tx)信号包络形状(通过感测以下两者：(1)发射器的tx电流和/或电压，以及(2)天线和匹配网络的匹配电流和/或电压，针对q因数的改变)的方法步骤的流程图。

图9示出了根据一些示例实施例的用于动态控制发射器(tx)信号包络形状(通过(1)感测天线和匹配网络的匹配电流和/或电压，以及(2)将其与参考电流和/或电压电平进行比较，针对q因数的改变)的方法步骤的流程图。

具体实施方式

在此部分中描述根据本申请案的代表性装置和方法。提供这些例子以仅添加上下文并辅助理解所描述的实施例。因此，对于本领域的技术人员将显而易见的是，所描述的实施例可在没有这些特定细节中的一些或全部的情况下实践。在其它情况下，未详细描述众所周知的工艺步骤以免不必要地混淆了所描述的实施例。其它实施例是可能的，使得以下例子不应被视为限制性的。

在以下详细描述中，参考附图，附图形成描述的一部分且其中借助于说明示出了根据所描述的实施例的具体实施例。尽管这些实施例被足够详细地描述以使本领域的技术人员能够实践所描述的实施例，但应理解，这些例子并非限制性的；使得可以使用其它实施例，且在不偏离所描述的实施例的精神和范畴的情况下可以作出改变。

当主要装置(例如，读取器)和辅助(例如，对应)装置之间的耦合增加，根据耦合系数和主要装置的谐振电路的失调度，两个(或更多)耦合的电路的总体q(品质)因数改变。所传输的信号的所得包络涉及所耦合的系统的所得q因数。因为此类所耦合的系统的q因数可能变化极大，所以用于发射器(即，读取器)的一个单静态配置设置可能不足以解决q因数的这种广泛变化和所得的所传输的信号的包络形状。

具体地说，发射器(tx)调制包络参数在rf(射频)标准(例如，iso14443、nfc论坛、emvco)中限定。这些包络参数包括上升/下降时间、过冲和下冲，以及调制指数。对于标准符合性，这些包络参数必须在对整个操作体积的相应限制内，并且必须在非接触的接口上测量。例如，整形参数受到利用类似于卡或移动电话的对应装置使天线失调的影响，或受到匹配网络上的热影响的影响。

本发明描述能够检测和测量天线上的失调和/或匹配网络改变的nfc或rfid装置。具有了此信息，nfc或rfid装置可动态地适配包络的整形参数。换句话说，nfc或rfid装置可检测天线失调和/或匹配网络变化。基于此信息，动态地控制发射器信号包络形状，从而补偿天线失调和/或匹配网络变化的影响。具体地说，q(品质)因数的改变可用于检测天线失调和/或匹配网络变化。因此，q因数估计可用于动态地控制发射器信号包络形状，从而补偿天线失调和/或匹配网络变化的影响。反过来，对于全部情况下的发射器(tx)调制包络参数，这将允许nfc或rfid装置符合rf标准。

如此，图1示出了根据一些示例实施例的用于动态地控制nfc或rfid装置的发射器(tx)信号包络形状的关键概念。具体地说，图1示出了q因数估计可用于信号整形调节。或者换句话说，q因数估计可用于动态地控制发射器(tx)信号包络形状。

可使用各种方法实施例来实现q因数估计。在第一方法实施例中，实现q因数估计可通过感测天线和匹配网络的电流和/或电压，并接着比较那个结果和参考电流和/或电压电平以确定q因数。在一个实施例中，参考电流和/或电压电平可为限定的参考状态，例如卸载情况中的读取器。在一个实施例中，参考电流和/或电压电平可为天线和匹配网络不耦合到任何对应装置的情况(或状态)中的电流和/或电压电平。在一个实施例中，可通过感测在天线和匹配网络的一个或多个节点处的匹配电流和/或电压来实现感测天线和匹配网络的匹配电流和/或电压。

在第二方法实施例中，实现q因数估计可通过感测天线和匹配网络的电流和/或电压，并接着另外感测发射器的tx电流和/或电压以确定q因数。

对于信号整形调节(其包括动态地控制发射器(tx)信号包络形状)，整形调节包括所传输的信号的数字和模拟预失真。它还包括输出驱动器的模拟调节(例如，改变输出驱动器的供应电压和/或输出电阻)。

图2示出了根据一些示例实施例的用于2种不同情况(1.读取器不耦合到对应装置，以及2.读取器耦合到对应装置)下的q(品质)因数估计的方法。具体地说，图2示出了包括读取器250、匹配网络230、天线240、对应装置260和对应天线270的系统200。在图2中，读取器250是产生磁场的主要装置，所述磁场可用于为例如对应装置260(例如，其可为无源应答器)的辅助装置供电。应用于磁场的调制方案用于读取器250和对应部分260之间的通信目的。在图2中，每一装置具有天线。因此，天线240与读取器250相关联，而天线270与对应部分260相关联。主要装置，即读取器250，使用发射器以产生所发射的射频(rf)场。示出为匹配网络230的匹配电路用于转换和适配对发射装置的发射器的天线阻抗。读取器250包括传感器1(210)和传感器2(220)。传感器1(210)用于感测属于读取器250的发射器的tx电流和/或电压。图2中未明确示出发射器，但是发射器的tx电流和电压分别标示为itx和vtx。传感器2(220)用于感测天线和匹配网络的匹配电流和/或电压。匹配电流和电压分别标示为i匹配和v匹配。针对系统的每一情况(或状态)，还存在对应的q(品质)因数和匹配网络阻抗(z匹配)。

图2示出了两种不同的情况(或状态)。在情况一(或状态一)中，读取器250不耦合到对应部分260。在一个实施例中，情况一(或状态一)可被称作参考状态。具体地说，情况一(或状态一)可为用于确定q因数的限定的参考状态。因此，对于情况一(或状态一)，对应的q因数和匹配网络阻抗标示为qref和z匹配,ref。

在情况二(或状态二)中，读取器250耦合到对应部分260。此处，读取器250和对应部分260之间存在耦合k(280)。因此，对于此状态，对应的q因数和匹配网络阻抗标示为qk和z匹配,k。品质因数qk还取决于辅助装置天线(即，对应天线270)相对于主要装置天线(即，读取器天线240)的距离/位置(即，距离290)。从检测的角度来说，可示出qk与itx/i匹配或vtx/v匹配成比例。换句话说：

qk∝itx/i匹配∝vtx/v匹配

图2示出了q(品质)因数估计可通过感测tx电流和/或电压来实现。在一个实施例中，只监测tx电流，以使得通过tx电流的改变检测出q因数改变。在一个实施例中，只监测tx电压，以使得通过tx电压的改变检测出q因数改变。这是因为q因数改变可引起tx电流和电压都改变。在一个实施例中，同时监测tx电流和电压，以使得通过tx电流和电压二者的改变检测出q因数改变。这是因为通过监测tx电流和电压二者的改变可更佳地检测q因数改变。在一个实施例中，可通过监测以下各者来检测q因数改变：(1)仅仅tx电流，(2)仅仅tx电压，或(3)tx电流和电压两者。所选定的检测方法可取决于检测的精确度和速度，以及检测和实施方案的容易度和成本。

图2还示出了q(品质)因数估计可通过感测天线和匹配网络230的匹配电流和/或电压来实现。在一个实施例中，只感测天线和匹配网络的电流，以使得通过天线和匹配网络的电流的改变检测出q因数改变。在一个实施例中，只感测天线和匹配网络的电压，以使得通过天线和匹配网络的电压的改变检测出q因数改变。在一个实施例中，同时感测天线和匹配网络的电流和电压，以使得通过天线和匹配网络的电流和电压二者的改变检测出q因数改变。这是因为通过监测天线和匹配网络的电流和电压二者的改变可更佳地检测q因数改变。在一个实施例中，可通过监测以下各者来检测q因数改变：(1)仅仅电流，(2)仅仅电压，或(3)天线和匹配网络的电流和电压二者。所选定的检测方法可取决于检测的精确度和速度，以及检测和实施方案的容易度和成本。

在一个实施例中，传感器2(标记为220)感测在天线和匹配网络的一个节点处的匹配网络的电流和电压。在一个实施例中，传感器2(标记为220)感测在天线和匹配网络的一个或多个节点处的匹配网络的电流和电压。

图3示出了根据一些示例实施例的被配置成用于动态地控制nfc或rfid装置的发射器(tx)信号包络形状的读取器装置350。在图3中，读取器350是产生磁场的主要装置，所述磁场可用于为类似对应装置360(例如，其可为无源应答器)的辅助装置供电。应用于磁场的调制方案用于读取器350和对应部分360之间的通信目的。在图3中，每一装置具有天线。因此，天线340与读取器350相关联，而天线370与对应部分360相关联。主要装置，即读取器350，使用发射器以产生所发射的射频(rf)场。示出为匹配网络330的匹配电路用于转换和适配对发射装置的发射器的天线阻抗。读取器装置350包括传感器1(310)、传感器2(320)、控制器352、数字驱动器354、预驱动器356、输出驱动器358和时钟信号产生器355。

图3示出了在一个实施例中，传感器1(311)可包括于输出驱动器358中。传感器1(311)用于感测属于读取器350的发射器的tx电流和/或电压。发射器的tx电流和电压可分别标示为itx和vtx，但在图3中未示出。传感器2(320)用于感测与读取器350相关联的匹配网络330的匹配电流和/或电压。匹配电流和电压可分别标示为i匹配和v匹配，但在图3中未示出。还存在对应的品质因数qk(标记为336)和匹配网络阻抗(z匹配)，它们未在图3中示出。

读取器350耦合到对应部分360，所以读取器350和对应部分360之间存在耦合k(380)。因此，对应的q(品质)因数标示为qk。这个品质因数qk还取决于辅助装置天线(即，对应天线370)相对于主要装置天线(即，读取器天线340)的距离/位置(即，距离390)。还存在对应的匹配网络阻抗，其可标示为z匹配,k，但z匹配,k未在图3中示出。

如先前在图2中描述，传感器1(310)可感测itx和vtx，而传感器2(320)可感测i匹配和v匹配。随后将itx/vtx和i匹配/v匹配输入到控制单元352中。接着，控制单元352可使用itx/vtx和i匹配/v匹配来确定q因数(qk)。在一个实施例中，可使用下列等式：

qk∝itx/i匹配∝vtx/v匹配

因此，在一个实施例中，基于tx电流除以匹配电流的比率，或基于tx电压除以匹配电压的比率，确定q因数。

控制单元352可另外建立用于动态控制发射器(tx)信号包络形状的配置设置。在一个实施例中，这通过到数字驱动器354和预驱动器356的输入来实现。

数字驱动器354可提供数字预失真和基带数字信号。数字驱动器354中信号的例子在图3中示出。预驱动器356可提供模拟信号整形控制。预驱动器356中信号的例子在图3中示出。另外，可由时钟信号产生器355提供时钟信号。

在图3的读取器装置350中，输出驱动器358包括传感器1(310)和内电阻(即，rout1、rout2)。在图3中，内电阻示出为rout1(311)、rout2(312)。输出驱动器358可通过改变供电电压或内电阻(即，rout1、rout2)来调节tx信号包络。供电电压或内电阻(即，rout1、rout2)的这个改变将反过来使输出电压(即，vtx)改变。在一个实施例中，内电阻可为任何发射器内电阻，其可用于调节tx信号包络。在一个实施例中，供电电压可为任何发射器供应电压，其可用于调节tx信号包络。

在一个实施例中，预驱动器356提供放大，而输出驱动器358提供衰减。在一个实施例中，输出驱动器358是提供主动衰减的主动衰减器。输出驱动器358不是放大器。输出驱动器358主动地衰减来自预驱动器356的输入信号，而输入信号在预驱动器356中放大(增强)。具体地说，输出驱动器358的最大输出电压电平通过改变供应电压或输出电阻来调节。在一个实施例中，通过降低供电电压或通过改变nmos(rout)的数目来获得衰减，其中nmos是n通道mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)。在一个实施例中，nmos或pmos晶体管可提供调节tx电流所需要的内电阻(即，rout1、rout2)。在这点上，在一个实施例中，rout1、rout2可为晶体管阵列，该阵列可打开或关闭以产生所需要的电阻。

因此，在一个实施例中，tx信号包络的模拟信号整形由预驱动器控制，并且实际上通过改变输出驱动器中的输出电阻来实现。

此外，由输出驱动器358传输的信号的例子在图3中示出。天线340和天线370之间传输的信号的例子在图3中示出。

图4示出了根据一些示例实施例，读取器装置(例如，图3中示出的一个)可以如何动态地控制发射器(tx)信号包络形状。在一个实施例中，数字驱动器354可向包络提供数字预失真，以产生经数字预失真的包络。随后，由时钟信号产生器355提供时钟信号，而预驱动器356可提供模拟信号整形控制。应注意，在模拟信号整形之后可保持残留水平。

图5a示出了根据一些示例实施例的从读取器装置(例如，图3中示出的一个)输出的发射器(tx)信号的例子。图5b示出了根据一些示例实施例的在匹配网络和天线处的对应的信号。动态控制发射器(tx)信号包络形状的目标中的一个是为了使nfc或rfid装置可以符合针对全部情况下的发射器(tx)调制包络参数的rf标准。在一个实施例中，这些rf标准包括以下各者中的一个或多个：iso14443、nfc论坛，以及emvco。在一个实施例中，包络整形参数可包括以下各者中的一个或多个：下降时间、上升时间、下降沿、上升沿、过冲、下冲、调制指数，和调制宽度、残留水平，以及残留载波。在一个实施例中，基于以下包络整形参数中的一个或多个来控制发射器(tx)信号包络形状：下降时间、上升时间、下降沿、上升沿、过冲、下冲、调制指数、调制宽度、残留水平，以及残留载波。因此，从预驱动器和输出驱动器输出的信号的例子在图5a中示出。在图5a中，这些包络整形参数标记为：下降时间510、上升时间520、下降沿530、上升沿540、调制宽度580，以及残留载波570。还可示出其它包络整形参数，但没有进行标记。

可限定不同信号形状设置(用于数字和模拟tx信号预失真)以适应变化的负载情况。这些信号形状设置中的每一个可映射到特定的q因数估计。在一个实施例中，如果实施aqc(自适应q因数控制器)，那么可设置若干阻尼电阻器以适应变化的负载/失调情况。

对于特定的q因数，设置不同的vn电平，以便构建tx信号的包络。举例来说，在“下降时间”内设置不同的vn电平(1,2,3,…n)允许用户限定最终tx信号包络的下降沿。在“上升时间”内设置不同的vn电平(1,2,3…n)允许用户限定最终tx信号包络的上升沿。在图5a中，vr限定残留载波。因此，在一个实施例中，发射器(tx)信号包络形状由具有变化的振幅的多个时钟脉冲限定。

图5b示出了根据一些示例实施例的对应于图5a中示出的信号的在匹配网络和天线处的信号。在图5b中，这些包络整形参数标记为：下降时间510、上升时间520，以及残留载波vr。还可示出下降沿、上升沿和调制宽度，以及其它包络整形参数，但是不进行标记。

图6示出了根据一些示例实施例的发射器(tx)信号包络整形参数中的一些。如早先所描述，在一个实施例中，包络整形参数可包括下降时间、上升时间、下降沿、上升沿、过冲、下冲、调制指数，和调制宽度、残留水平，以及残留载波。在图6中，这些包络整形参数标记为：下降时间tf、上升时间tr、下降沿(tf的起点和tf的终点之间)、上升沿(tr的起点和tr的终点之间)、过冲hr和下冲hf。还可示出其它包络整形参数，但是不进行标记。在图6中，pcd表示近接耦合装置。参数h表示等效均质磁场强度。参数h初始表示未调制的rf场的场强度。参数b表示调制后的信号振幅和初始信号振幅之间的比率，b型。参数t表示时间。

图7示出了根据一些示例实施例，用于q(品质)因数估计的方法和用于通过使用多个预设信号形状配置来动态地控制发射器(tx)信号包络形状的方法。

图7示出了在一个实施例中，用于感测的方法是感测tx电流和/或电压，以及感测在匹配网络的一个节点上的电流和/或电压。在一个实施例中，用于感测的方法是只感测tx电流和/或电压。在一个实施例中，用于感测的方法是感测在匹配网络的一个节点上的电流和/或电压。

图7示出了控制单元可：(a)使用感测结果来执行q因数估计，以及(b)基于q因数估计，设置信号形状配置。

图7示出了用于基于q因数估计来设置信号形状配置的一个实施例。在此实施例中，限定若干信号形状配置设置(用于数字和模拟tx信号预失真)以适应变化的负载情况。这些信号形状配置设置中的每一个可映射到q因数估计的特定范围上。在此实施例中，存在“离散”信号形状配置设置的有限集，以使得q因数估计的范围映射到每一个“离散”信号形状配置设置上。因此，在一个实施例中，通过使用多个预设信号形状配置来控制发射器(tx)信号包络形状。此外，在一个实施例中，多个预设信号形状配置存储在存储器中。在另一实施例中，多个预设信号形状配置存储在非易失性存储器中。

在另一个实施例(图7中未示出)中，可存在信号形状配置设置的连续集，所以每一q因数估计映射到其自身单独的信号形状配置设置上。因此，理论上，可存在“连续”信号形状配置设置的无限集。

图8示出了根据一些示例实施例的用于动态控制发射器(tx)信号包络形状(通过感测以下两者：(1)发射器的tx电流和/或电压，以及(2)天线和匹配网络的匹配电流和/或电压，针对q因数的改变)的方法步骤的流程图。如图8中所示，方法800开始于步骤810，其中方法感测发射器的tx电流和/或电压。随后，方法前进到步骤820。在步骤820中，方法感测天线和匹配网络的匹配电流和/或电压。然后，在步骤830，方法基于tx电流和/或电压与匹配电流和/或电压，确定q(品质)因数。最后，在步骤840，方法基于q因数，动态地控制发射器(tx)信号包络形状。

图9示出了根据一些示例实施例的用于动态控制发射器(tx)信号包络形状(通过(1)感测天线和匹配网络的匹配电流和/或电压，以及(2)将其与参考电流和/或电压电平进行比较，针对q因数的改变)的方法步骤的流程图。如图9中所示，方法900开始于步骤910，其中方法感测天线和匹配网络的匹配电流和/或电压。随后，方法前进到步骤920。在步骤920中，方法基于相比于参考电流和/或电压电平的匹配电流和/或电压，确定q(品质)因数。最后，在步骤930，方法基于q因数，动态地控制发射器(tx)信号包络形状。

在本说明书中,已经依据选定细节集合呈现示例实施例。然而，本领域的普通技术人员将理解，可实践包括这些细节的不同选定集合的许多其它示例实施例。希望所附权利要求书涵盖所有可能的示例实施例。

可单独地或以任何组合形式使用所描述的实施例的各个方面、实施例、实施方案或特征。所描述的实施例的各个方面可通过软件、硬件或硬件与软件的组合实施。

出于解释的目的，前述描述使用特定命名法以提供对所描述的实施例的透彻理解。然而，对本领域技术人员将显而易见的是，不需要特定细节以实践所描述的实施例。因此，出于说明和描述的目的而呈现特定实施例的前述描述。其并不希望为穷尽性的或将所描述的实施例限制为所公开的精确形式。对本领域的普通技术人员将显而易见的是，鉴于以上教示，许多修改和变化是可能的。