一种气动式单体结构的制作方法

文档序号:11012590阅读:566来源:国知局
一种气动式单体结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种气动式单体结构,包括:一振膜层、一第一导电结构以及一第二导电结构。所述的第一导电结构设置在振膜层的第一面上,且第一导电结构从位于第一侧的一第一接触点迂回地绕设至位于振膜层第二侧的一第二接触点。所述的第二导电结构设置在振膜层的第二面上,且第二导电结构系从第二接触点以与第一导电结构对称的方式迂回地绕设至位于第二面第一侧的一第三接触点,使得第一导电结构与第二导电结构重迭的部分的电流方向相同。振膜层经折迭数次后设置于固定侧壁之间,借此形成该气动式单体结构。
【专利说明】
一种气动式单体结构
技术领域
[0001]本实用新型是关于一种单体结构,更详而言之,本实用新型是关于一种气动式单体结构。【背景技术】
[0002]根据结构以及发声的原理不同,发声装置的种类可以分为动圈式喇叭、压电喇叭、 陶瓷压电喇叭、纸喇叭以及气动式喇叭等许多种类。其中,气动式喇叭是一种采用气动式高音单体的喇叭。图1中显示的为现有的气动式单体的结构。如图1所示,现有的气动式单体1 的结构包括一振膜2以及一固定壁4。振膜2可以是由塑料薄膜所制成,且振膜2的其中一表面上设置有如铝膜等可以导电的结构。设置有导电结构的振膜2经反复折迭后被固定于固定壁4中,借此构成现有的气动式单体结构。上述的气动式单体1被放置于一磁场中。当振膜 2上的线路通电时,折迭的振膜2便会因为磁场而产生动作,借此透过振膜的振动推动空气而朝图1中箭头标示的上、下方向发出声音。[〇〇〇3]此种现有的气动式单体的优点在于发声面积大,因此其可以推动空气的量也较多;此外,这种气动式单体也具有振膜质量轻、频率响应宽,以及反应速度快等优点。然而, 由于如上所述的现有的气动式单体1的振膜2上仅有一面设置有可以导电的线路,因此,此种现有气动式单体在声音表现性能上仍然有改良的空间存在。【实用新型内容】
[0004]基于上述理由,本实用新型的目的在于提供一种气动式单体结构,其借由在振膜的两个表面上设置导电结构来充分利用振膜的面积,借此在不增加单体尺寸的情况下增加振膜的磁通量,达到增进单体效率、改善中频延伸并且更进一步增进高频表现等目的。
[0005]为达成前述目的,本实用新型提供一种气动式单体结构,包括:一振膜层、一第一导电结构以及一第二导电结构。所述的振膜层具有一第一面以及一第二面,并且具有彼此相对的一第一侧以及一第二侧。所述的第一导电结构设置在振膜层的第一面上,且第一导电结构从位于第一侧的一第一接触点迂回地绕设至位于振膜层第二侧的一第二接触点。所述的第二导电结构设置在振膜层的第二面上,且第二导电结构于第二接触点穿透振膜层与第一导电结构电性连接。其中,第二导电结构从第二接触点以与第一导电结构对称的方式迂回地绕设至位于第二面第一侧的一第三接触点,使得第一导电结构与第二导电结构重迭的部分的电流方向相同。设置有第一导电结构与第二导电结构的上述振膜层经折迭数次后夹固于固定侧壁之间,借此形成该气动式单体结构。
[0006]根据本实用新型的一实施例,所述的振膜层具有长方形的形状,而第一导电结构与第二导电结构相对于振膜层两个短边的中心点相连的中心线对称地设置。
[0007]根据本实用新型的一实施例,第一导电结构与第二导电结构以连续上下颠倒的n 字型迂回地绕设于振膜层上。
[0008]本实用新型的上述技术方案的有益效果如下:
[0009]上述方案中,所述气动式单体结构通过在振膜的两个表面上设置导电结构来充分利用振膜的面积,借此在不增加单体尺寸的情况下增加振膜的磁通量,达到增进单体效率、 改善中频延伸并且更进一步增进高频表现等目的。【附图说明】

[0010]图1为现有气动式单体的结构示意图;
[0011]图2A为本实用新型一实施例的振膜层的第一面的平面示意图;
[0012]图2B为本实用新型一实施例的振膜层的第二面的平面示意图;
[0013]图3为本实用新型一实施例的气动式单体结构的平面示意图;
[0014]图4为本实用新型一实施例的气动式单体结构的剖视示意图。[〇〇15][附图标记说明]
[0016]1-气动式单体,2-振膜,4-固定壁,10-气动式单体结构,20-振膜层,21-第一面, 22-第二面,23-第一侧,24-第二侧,31-第一导电结构,32-第二导电结构,331-第一接触点, 332-第二接触点,333-第三接触点,40-固定侧壁,A-中心线。【具体实施方式】
[0017]以下配合图式及组件符号对本实用新型的实施方式做更详细的说明,俾使熟习该项技艺者在研读本说明书后能据以实施。
[0018]图2A为显示本实用新型的气动式单体结构的振膜层第一面的平面示意图;图2B为显示本实用新型的气动式单体结构的振膜层第二面的平面示意图。如图2A以及图2B所示, 本实用新型的气动式单体结构10,主要包括一振膜层20、一第一导电结构31以及一第二导电结构32。[〇〇19]所述的振膜层20具有一第一面21、一第二面22,以及彼此相对的一第一侧23以及一第二侧24。在本实用新型的实施例中,第一导电结构31是一导电的线圈,其设置在振膜层 21的第一面上23,并且是以连续上下颠倒的n字型迂回地从第一侧23的第一接触点331绕设至第二侧24的第二接触点332,如图2A所示。
[0020]第二导电结构32与第一导电结构31同样为一导电的线圈,其设置在振膜层21的第二面22上,并且于第二接触点332处穿透振膜层20与第一导电结构电性连接。如图2B所示, 第二导电结构32具有与第一导电结构31相同的形状,但是第二导电结构32是以与第一导电结构31对称的方式设置。在此实施例中,由于第一导电结构31具有连续上下颠倒的n字型, 因此,第二导电结构32同样是以连续上下颠倒的n字型迂回地从第二接触点332绕设至第二面22第一侧23的第三接触点333。
[0021]图3显示的为本实用新型的气动式单体结构的平面示意图。在图3中,为了方便进行说明,设置于第一面21的第一导电结构31是以实线的方式表示,而设置于第二面22的第二导电结构32则是以虚线的方式表示。如图3所示,第一导电结构31与第二导电结构32以相对于振膜层20两个短边的中心点相连的中心线A对称的方式配置,使得第一导电结构31与第二导电结构32的n字型的两个平行边重迭,但第二导电结构32的n字型开口的方向与第一导电结构31的n字型开口的方向相反。此外,如图3中箭头所标示的电流方向所示,第一导电结构31与第二导电结构32被配置为使得两者重迭的部分电流方向相同,借此避免分别设置在不同表面的两者互相干扰。
[0022]具有上述配置的第一导电结构31与第二导电结构32的振膜层20,在折迭数次后被设置于固定侧壁40之间,借此形成气动式单体结构,如图4所示。固定侧壁40可以为一方型盒体的其中两个侧壁。图4中振膜层20的折迭次数仅为示例,并非用于限制本实用新型的范围。
[0023]值得一提的是,虽然在本实用新型的实施例中第一导电结构与第二导电结构配置为连续上下颠倒的n字型,但在不脱离本实用新型保护的范畴与精神的条件下,其也可以为任何其他适合的形状;举例来说,第一导电结构与第二导电结构也可以为连续上下颠倒的U字型、W字型、Z字型等常见的线圈配置形状。
[0024]本实用新型的气动式单体结构由于在振膜层的两个表面上都设置了导电结构,因此当气动式单体通电发声时,可以大幅的增加单体的磁通量,进而使得气动式单体的效率提升,单体中频的延伸改善,并且使得高频的音质更为细腻。更具体来说,本实用新型的气动式单体结构的带宽比现有的气动式单体结构更宽,且本实用新型的气动式单体结构的高音音频也比现有的气动式单体结构更高。
[0025]由以上实施例可知,本实用新型所提供的气动式单体结构确具产业上的利用价值,惟以上的叙述仅为本实用新型的较佳实施例说明,凡精于此项技艺者可依据上述的说明而作其它种种的改良,惟这些改变仍属于本实用新型的精神及以下所界定的专利范围中。
【主权项】
1.一种气动式单体结构,其特征在于,包括:一振膜层,具有一第一面以及一第二面,且该振膜层具有彼此相对的一第一侧以及一 第二侧;一第一导电结构,设置在该振膜层的该第一面上,且该第一导电结构从位于该第一侧 的一第一接触点迂回地绕设至位于该振膜层该第二侧的一第二接触点;以及一第二导电结构,设置在该振膜层的该第二面上,且该第二导电结构从该第二接触点 穿透该振膜层与该第一导电结构电性连接,其中,该第二导电结构从该第二接触点以与该 第一导电结构对称的方式迂回地绕设至位于该第二面该第一侧的一第三接触点,使得该第 一导电结构与该第二导电结构重迭的部分的电流方向相同;其中,设置有该第一导电结构与该第二导电结构的该振膜层经折迭后设置于固定侧壁 之间,形成该气动式单体结构。2.根据权利要求1所述的气动式单体结构,其特征在于,该振膜层具有长方形的形状。3.根据权利要求1或2所述的气动式单体结构,其特征在于,该第一导电结构与该第二 导电结构相对于该振膜层两个短边的中心点相连的中心线对称地设置。4.根据权利要求1所述的气动式单体结构,其特征在于,该第一导电结构与该第二导电 结构以连续上下颠倒的n字型迂回地绕设于该振膜层上。
【文档编号】H04R7/02GK205726365SQ201620570764
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年6月14日
【发明人】邓克忠
【申请人】邓克忠
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