一种RS485信道模拟检测装置的制作方法

技术特征：

1.一种RS485信道模拟检测装置，其特征在于，包括：输入端LIN、输出端LOUT、公共com端、公共com输出端、第一电阻R1、第一电容C4、第一电感L1、第一继电器K1C、第一二极管V2、第二电容C2、第一信道衰减矩阵电路SW1、第二信道衰减矩阵电路SW2、第二继电器K2C、第二电感L2、第三电感L3、第二电阻R2、第三电阻R3、第三电容C3、第二二极管V3以及示波器S；

所述第一电阻R1一端与所述公共com端连接，所述第一电阻R1另一端与所述第一继电器K1C的开关一端连接；

所述第一电容C4一端与所述公共com端连接，所述第一电容C4另一端与所述第一继电器K1C的开关一端连接；

所述第一电感L1一端与所述公共com端连接，所述第一电感L1另一端与所述第一继电器K1C的开关一端连接；

所述第一继电器K1C的开关另一端与所述输入端LIN连接；

所述第一继电器K1C接地；

所述第一信道衰减矩阵电路SW1与所述继电器KIC连接；

所述第一二极管V2出口端接地，所述第一二极管V2入口端与所述第一继电器K1C连接；

所述第二电容C2一端接地，所述第二电容C2另一端与所述第一继电器K1C连接；

所述输入端LIN与所述第二继电器K2C的开关一端连接；

所述输出端LOUT与所述第二继电器K2C的开关另一端连接；

所述第二电感L2一端与所述第二继电器K2C的开关另一端连接；

所述第二电感L2另一端与所述第二电阻R2的第一端连接；

所述第三电感L3一端与所述第二继电器K2C的开关另一端连接；

所述第三电感L3另一端与所述第三电阻R3的第一端连接；

所述第二电容C2一端所述第二电阻R2的第一端连接；

所述第二电容C2另一端与所述第三电阻R3的第一端连接；

所述第二电阻R2的第二端连接所述输出端LOUT；

所述第三电阻R3的第二端连接所述公共com输出端；

所述第二继电器K2C接地；

所述第二信道衰减矩阵电路SW2与所述第二继电器K2C连接；

所述第二二极管V3出口端接地，所述第二二极管V3入口端与所述第二继电器K2C连接；

所述第三电容C3一端接地，所述第三电容C3另一端与所述第二继电器K2C连接；

所述示波器S与所述输出端LOUT连接；

所述第一信道衰减矩阵电路SW1包括第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4、第五开关S5、第六开关S6、第七开关S7、第八开关S8以及9组电子元件；

所述电子元件由电阻、电容和电感并联组成；

所述电子元件一端与第二继电器K2C连接；

所述电子元件另一端与所述第一开关S1一端连接，所述开关另一端与所述电子元件一端连接；

所述电子元件另一端与所述第二开关S2一端连接，所述第二开关S2另一端与所述电子元件一端连接；

所述电子元件另一端与所述第三开关S3一端连接，所述第三开关S3另一端与所述电子元件一端连接；

所述电子元件另一端与所述第四开关S4一端连接，所述第四开关S4另一端与所述电子元件一端连接；

所述电子元件另一端与所述第五开关S5一端连接，所述第五开关S5另一端与所述电子元件一端连接；

所述电子元件另一端与所述第六开关S6一端连接，所述第六开关S6另一端与所述电子元件一端连接；

所述电子元件另一端与所述第七开关S7一端连接，所述第七开关S7另一端与所述电子元件一端连接；

所述电子元件另一端与所述第八开关S8一端连接，所述第八开关S8另一端与所述电子元件一端连接；

所述电子元件另一端接地。

2.如权利要求1所述的RS485信道模拟检测装置，其特征在于，所述第二信道衰减矩阵电路SW2包括第一开关S1、第二开关S2、第三开关S3、第四开关S4、第五开关S5、第六开关S6、第七开关S7、第八开关S8以及9组电子元件；

所述电子元件一端与第二继电器K2C连接；

所述电子元件另一端与所述第一开关S1一端连接，所述开关另一端与所述电子元件一端连接；

所述电子元件另一端与所述第二开关S2一端连接，所述第二开关S2另一端与所述电子元件一端连接；

所述电子元件另一端与所述第三开关S3一端连接，所述第三开关S3另一端与所述电子元件一端连接；

所述电子元件另一端与所述第四开关S4一端连接，所述第四开关S4另一端与所述电子元件一端连接；

所述电子元件另一端与所述第五开关S5一端连接，所述第五开关S5另一端与所述电子元件一端连接；

所述电子元件另一端与所述第六开关S6一端连接，所述第六开关S6另一端与所述电子元件一端连接；

所述电子元件另一端与所述第七开关S7一端连接，所述第七开关S7另一端与所述电子元件一端连接；

所述电子元件另一端与所述第八开关S8一端连接，所述第八开关S8另一端与所述电子元件一端连接。

3.如权利要求1所述的RS485信道模拟检测装置，其特征在于，所述第一二极管V2和所述第二二极管V3采用1N4007硅材料整流二极管。

4.如权利要求1所述的RS485信道模拟检测装置，其特征在于，所述第一继电器K1C和所述第二继电器K2C采用JW2ASN-12V型继电器。

5.如权利要求1所述的RS485信道模拟检测装置，其特征在于，所述第一电阻R1为12Ω，所述第二电阻R2和所述第三电阻R3为68Ω。