一种图像采集芯片及物体成像识别设备的制作方法

本实用新型涉及成像及物体识别设备技术领域，尤其涉及一种图像采集芯片及物体成像识别设备。

背景技术：

成像光谱学

成像光谱学是一种将光谱探测和成像有机结合的技术，能够对某一物体进行不同光谱下的成像，同时获得被探测物体的几何形状信息和光谱特征，在电磁波的紫外、可见光、近红外和中红外区域，获取许多非常窄且光谱连续的图像数据的技术。经过三十多年的发展，成像光谱技术已经成为对地观测和深空探测的重要手段，被广泛应用于农牧林生产、矿产资源勘查、文物检测、海洋遥感、环境监测、防灾减灾、军事侦察等领域。

随着搭载平台的逐步小型化，如小卫星、无人机等小型平台，以及野外应用的续航需求，对图像采集设备小型化、轻量化的需求越来越突出。传统的图像采集设备通常为成像光谱仪，成像光谱仪有三种成像方式，其中光机扫描式具有运动部件，重量重体积大；推帚成像式光学系统复杂；凝视成像式空间分辨率及光谱通道数受限。这三者都无法满足小型化、轻量化的需求。

技术实现要素：

(一)要解决的技术问题

本实用新型实施例提供了一种图像采集芯片及物体成像识别设备，用以解决现有的图像采集设备中的成像光谱仪不能满足小型化、轻量化需求的缺陷。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种图像采集芯片，包括光调制层、图像传感层以及至少两组像素确认模块，所述光调制层位于图像传感层的上面，每组所述像素确认模块均包括调制单元和感应单元，每个所述调制单元和每个所述感应单元分别上下对应的设置在所述光调制层和图像传感层上；其中，每个所述调制单元内分别设有至少一个调制子单元，每个所述调制子单元内分别设有若干个穿于所述光调制层内的调制孔，同一所述调制子单元内的各个所述调制孔排布成一具有特定排布规律的二维图形结构。

在部分实施例中，所述二维图形结构的特定排布规律包括：

同一所述二维图形结构内的所有所述调制孔同时具有相同的特定截面形状，各个所述调制孔按照结构参数大小渐变顺序成阵列排布；和/或

同一所述二维图形结构内的各个所述调制孔分别具有特定截面形状，各个所述调制孔按照特定截面形状进行组合排列。

在部分实施例中，各个所述调制孔按照特定截面形状进行组合排列时，所述排列的顺序为按照预设周期顺序逐行或逐列排布。

在部分实施例中，每个所述调制单元中的同一位置的所述调制子单元内不设有调制孔。

在部分实施例中，所述调制孔的底部穿透所述光调制层或是不穿透所述光调制层。

在部分实施例中，还包括信号处理电路层，连接在所述图像传感层的下面，并将各个所述感应单元之间电连接。

在部分实施例中，所述感应单元包括至少一个感应子单元，各个所述感应子单元成矩阵排列，每个所述感应子单元内分别设有至少一个图像传感器，所有的所述感应子单元之间分别通过所述信号处理电路层电连接。

在部分实施例中，还包括透光介质层，所述透光介质层位于所述光调制微纳结构与图像传感层之间。

本实用新型还提供了一种物体成像识别设备，包括：

光源，用于向待成像物体发射光谱，以使所述光谱经过所述待成像物体后，作为入射光射入图像采集芯片上；以及

如上所述的图像采集芯片，与所述光源同时设置在所述待成像物体的同一侧，所述图像采集芯片用于利用各组像素确认模块分别对所述入射光进行光调制以得到至少两个调制后的光谱，并对各个所述调制后的光谱的光强分别进行感应探测，从而分别确定各个像素点。

(三)有益效果

本实用新型的上述技术方案具有以下有益效果：

1、本实用新型所述的图像采集芯片包括光调制层、图像传感层以及至少两组像素确认模块，光调制层位于图像传感层的上面，每组像素确认模块均包括调制单元和感应单元，每个调制单元和每个感应单元分别上下对应的设置在光调制层和图像传感层上，利用各组像素确认模块分别对光谱进行光强感应探测，从而分别确定各像素点的像素数据，进而整合所有像素数据以构成最终的输出图像。该图像采集芯片能取代现有的物体成像识别设备中的复杂精密的分光元件和过多的图像传感器，利用调制单元和感应单元分别对光谱进行调制并感应光强，从而实现了精确的图像重构过程，使得图像采集芯片能在不需要光栅、棱镜、反射镜或其他类似空间分光元件的情况下进行光强感应工作，进而大大缩小了物体成像识别设备的体积，同时提高了光强感应的精密性，使得物体成像识别设备具有测量精度高、便携性好、可实时在线检测、操作简单、性能稳定、制造成本低等优点。该芯片在小型平台如小卫星、无人机等上的应用有广阔的前景。

2、该图像采集芯片中每个调制单元内分别设有至少一个调制子单元，每个调制子单元内分别设有若干个穿于光调制层内的调制孔，同一调制子单元内的各个调制孔排布成一具有特定排布规律的二维图形结构。该芯片基于光电子学中的调制单元阵列对不同波长光的调制作用，且每个调制单元中对应嵌套有多个调制子单元，从而能同时采集多个光谱的待成像物体图像信息，极大提高了光谱识别率、降低误识率。该芯片可用于虹膜识别，通过同时获得多个波长下的虹膜图像信息，提高识别率，并且能有利于活体检测用于防伪，增大破解、伪造难度，同时还可以减小隐形眼镜、美瞳和不同光照条件下造成的干扰。该芯片克服了现有物体成像识别设备价格昂贵且无法小型化的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例的物体成像识别设备的成像原理图；

图2为本实用新型实施例的物体成像识别设备对虹膜进行成像的工作原理图；

图3为本实用新型实施例一的图像采集芯片的结构示意图；

图4为本实用新型实施例一的图像采集芯片的剖视图；

图5为本实用新型实施例一的光调制层示意图；

图6为本实用新型实施例一的图像传感层的结构示意图；

图7为本实用新型实施例二的光调制层的结构示意图；

图8为本实用新型实施例三的光调制层的结构示意图；

图9为本实用新型实施例四的光调制层的结构示意图；

图10为本实用新型实施例五的图像采集芯片的剖视图；

图11为本实用新型实施例六的图像采集芯片的剖视图；

图12为本实用新型实施例七的图像采集芯片的结构示意图；

图13为本实用新型实施例七的光调制层的结构示意图；

图14和图15分别为本实用新型实施例一至实施例七的图像采集芯片调制孔加工制备方法的过程示意图。

其中，100、光源；200、待成像物体；300、图像采集芯片；

1’、衬底；1、光调制层；2、图像传感层；3、信号处理电路层；4、透光介质层；5、调制单元；6、调制孔；7、感应单元；8、间隙；9、感应子单元；11、第一调制单元；12、第二调制单元；13、第三调制单元；14、第四调制单元；15、第五调制单元；16、第六调制单元；110、第一子单元；111、第二子单元；112、第三子单元；113、第四子单元。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型的实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不能用来限制本实用新型的范围。除非另有说明，否则本实用新型中所提及的芯片均为图像采集芯片的简称。

本实用新型各实施例提供了一种图像采集芯片，该芯片能取代现有的物体成像识别设备中的复杂精密的分光元件和过多的图像传感器，利用调制单元和感应单元分别对多个光谱进行同时调制并感应光强，从而实现了精确的图像重构过程，使得图像采集芯片能在不需要光栅、棱镜、反射镜或其他类似空间分光元件的情况下进行光强感应工作，进而大大缩小了物体成像识别设备的体积，同时提高了光强感应的精密性，使得物体成像识别设备具有测量精度高、便携性好、可实时在线检测、操作简单、性能稳定、制造成本低等优点。

具体的，如图1～图13所示，该芯片300包括光调制层1、图像传感层2以及至少两组像素确认模块。光调制层1位于图像传感层2的上面，光调制层1用于接收入射光并对该入射光进行调制，而图像传感层2用于感应调制后的光谱的光强，从而针对不同波长的光谱的光强确定对应的图像像素点数据。每组的像素确认模块均包括调制单元5和感应单元7，对应的，每组的调制单元5和感应单元7分别上下对应设置在光调制层1和图像传感层2上，从而使得每个调制单元5和每个感应单元7都能对应的确定至少一组图像像素点数据。将所有的图像像素点数据整合，即可重构出原输出图像。

本实施例中，每个调制单元5内分别设有至少一个调制子单元，每个调制子单元内分别设有若干个穿于光调制层1内的调制孔6，同一调制子单元内的各个调制孔6排布成一具有特定排布规律的二维图形结构。本实施例的图像采集芯片300能够取代现有的物体成像识别设备中的精密光学部件，以实现对入射光的精密调制和像素重构；并且利用该图像采集芯片300可以灵活地实现对不同波长光的调制作用，该调制作用包括但不限于光的散射、吸收、投射、反射、干涉、表面等离子激元以及谐振等作用，提高不同区域间光谱响应的差异性，从而提高图像采集芯片300的分析精度；此外，该芯片300利用每个调制单元5上的一个或多个二维图形结构实现对不同波长的光的调制作用，利用二维图形结构的区别还可以提高不同区域间光谱响应的差异性，从而提高图像采集芯片300的分析精度。

本实施例的芯片300还包括信号处理电路层3，信号处理电路层3连接在图像传感层2的下面，并将各个感应单元7之间电连接，从而能够根据各组像素确认模块感应到的光强测算差分响应，由于每个感应单元7内的传感器都能根据感应到的光强而构成一个像素点，则通过算法可得到一个像素点上各个波长的强度分布。该差分响应是指经过光调制层调制后得到的响应光谱的信号与原光谱的信号之间求差值，或是对各个调制单元5调制后得到的响应光谱的信号之间求差值，或是对各个调制子单元调制后得到的响应光谱的信号之间求差值。原光谱是指射入光调制层1的入射光光谱。

进一步的，每个感应单元7包括至少一个感应子单元9，各个感应子单元9成矩阵排列，每个感应子单元9内分别设有至少一个图像传感器，所有的感应子单元9之间分别通过信号处理电路层3电连接，以便于更细致的区分不同组的调制单元5和感应单元7上构成的像素点，从而利用各组相同位置的调制子单元和对应的感应子单元9生成的多个像素点构成一幅包含多个频谱信息的图像。

如图1所示，基于本实用新型各实施例提出了一种物体成像识别设备，该设备包括光源100和图像采集芯片。光源100用于向待成像物体200发射光谱，以使光谱经过待成像物体200后，作为入射光射入图像采集芯片300上。图像采集芯片300与光源100同时设置在待成像物体200的同一侧。该图像采集芯片300用于利用各组像素确认模块分别对入射光进行光调制以得到至少两个调制后的光谱，并对各个调制后的光谱的光强分别进行感应探测，从而分别确定各个像素点，以便最终将所有像素点进行整合，进而构成图像。

为了便于使光源100的光谱穿过待成像物体200从而使形成的反射光作为芯片300的入射光，优选将光源100与图像采集芯片300同时设置在待成像物体200的同一侧。以图2所示为例，将光源100与图像采集芯片300同时设置在待成像物体200的下侧，利用光的反射原理，光源100产生的可见-近红外光的光谱能穿入待测体200内，并在反射作用下全部光谱形成射入图像采集芯片300中的入射光。该结构设置能够扩大检测空间，提高物体成像和识别的使用便利性。

图2所示即为本实用新型所述的物体成像识别设备应用在对虹膜210进行成像的成像原理图。可理解的是，本实用新型所述的图像采集芯片300和物体成像识别设备既可对虹膜210进行成像识别，也可对其他任一待成像物体200进行成像识别，只需根据成像需要，对图像采集芯片300的各个调制单元5的体积以及入射光的对应波长等参数进行调整即可。

以下以虹膜210作为成像对象为例，具体通过若干个实施例对本实用新型的图像采集芯片300及物体成像识别设备进行详细说明。下述各个实施例所述的芯片300均适用于上述的物体成像识别设备。

实施例一

如图3和图4所示，本实施例一提供的图像采集芯片300中，光调制层1包括多个调制单元5。该调制单元5内的所有调制孔6均贯穿光调制层1。每个调制单元5内由多个调制孔6组成的二维图像结构都具备相同的特定截面形状，本实施例一以图2所示的六个由椭圆形调制孔6阵列组成的调制单元5为例进行说明。每个调制单元5内的所有调制孔6都是按照同样规律的结构参数大小渐变顺序成阵列排布形成二维图形结构。该二维图形结构中，所有调制孔6成阵列排布，并且所有调制孔6按照长轴长度、短轴长度和旋转角度由小到大逐行逐列排布。

可理解的是，如图5所示，由于本实施例的所有调制孔6都是按照同一排布规律进行排列的，即按照长轴长度、短轴长度和旋转角度的结构参数由小到大逐行逐列的渐变排布，故而该光调制层1上的所有调制孔6既可以视为一整体调制单元5，也可以进一步将其任意分割成若干个调制单元5，任意划分出的调制单元5对于光谱都有不同的调制作用，理论上可获得无穷多组调制后的光谱样本，从而急剧增大了用以重构原光谱的数据量，有助于对于宽带光谱的谱型的恢复。则根据每个调制单元5内的调制孔6结构参数特性确定该调制单元5对不同波长的光的调制作用的效果即可。该重构过程通过数据处理模块实施，数据处理模块包括光谱数据预处理以及数据预测模型。其中，光谱数据预处理是指对上述求得的差分响应数据中存在的噪声进行预处理，该光谱数据预处理所采用的处理方法包括但不限于傅里叶变换、微分和小波变换等。数据预测模型中包括由光谱数据信息得到对待成像物体200的图形参数的预测，其使用的算法包括但不限于最小二乘法、主成分分析以及人工神经网络。

可理解的是，本实施例将每个调制单元5与一个感应单元7相对应的上下设置，以便利用感应单元7内的图像传感器将该调制单元5接收的光谱构成一个像素点，通过算法可得到一个像素点上的强度分布。而不同组的像素确认模块对应构成的多个像素点整合可构成一幅包含多个频谱信息的图像。

进一步的，由于每个调制单元5内划分的不同区域(调制子单元)的结构参数不同，则每个调制子单元对于不同波长的光的调制作用不同，调制作用包括但不限于散射、吸收、透射、反射、干涉、激元等作用，调制作用的最终效果是确定不同波长的光透过每个调制单元5的不同调制子单元区域时的透射谱不同，则针对同一输入光谱在经过同一二维图像结构中不同区域的透射谱不同。

本实施例中，每个调制单元5的下方分别对应有一个感应单元7，每个感应单元7内分别设有多个传感器，如图6所示，同一感应单元7内的每个传感器分别对应着同一调制单元5内的不同区域，则每个传感器及其对应的区域分别构成一个像素点，故而每组像素确认模块内分别能够构成超过一个像素点，通过算法可得到一个像素点上各个波长的强度分布。而不同组的像素确认模块中相同位置所对应构成的多个像素点整合可构成一幅包含多个频谱信息的图像。

可理解的是，上述的调制孔6的特定截面形状包括圆形、椭圆形、十字形、正多边形、星形或矩形等，也可以为上述各形状的任意组合。则对应的，上述的调制孔6的结构参数包括内径、长轴长度、短轴长度、旋转角度、角数或边长等。

本实施例一所述的物体成像识别设备中适用的光源100为可见光到近红外波段的光源，光源100的波长范围为400nm～1100nm。光调制层1的厚度为60nm～1200nm，光调制层1与图像传感层2之间直接连接或者通过透光介质层4连接。图像传感层2与信号处理电路层3之间为电连接。其中，如图5所示，光探测层上共设有六个调制单元5，所有的调制单元5成阵列排布，每个调制单元5中的所有调制孔6均为椭圆形，所有椭圆形调制孔6的短轴长度分别逐行逐列增大，并且以图5中水平向为横轴，竖向为纵轴，则每个调制单元5中的所有椭圆形调制孔6逐行逐列的自纵轴向横轴旋转，其旋转角度逐渐增大。每个调制单元5中的所有调制孔6各自组成了相同的二维图形结构，该二维图形结构整体为一矩阵结构，该矩阵结构的面积范围为200μm²～40000μm²。

本实施例的图像采集芯片300在制造时，选用硅基材料同时作为光调制层1和图像传感层2的材料，以便在制备工艺的加工上具有很好的兼容性。在制备光调制层1时，可直接在图像传感层2上生成光调制层1，也可以先将已制备好的光调制层1转移至图像传感层2上。

具体的，光调制层1的直接生成方式具体包括：直接在图像传感层2上沉积生成按照图5所示的结构排布的光调制层1；或是先在图像传感层2上装有硅基材料制成的衬底，然后在衬底上按照图5所示的结构进行微纳加工开孔，以得到光调制层1。

上述的直接沉积生长的过程为：第一步、在图像传感层2上通过溅射、化学气相沉积等方法沉积硅平板。第二步、用光刻、电子束曝光等图形转移方法在上面绘制出所需的二维图形结构，结构如图6所示。该二维图形结构具体为：仅对椭圆形调制孔6的短轴和旋转角度进行渐变调整，椭圆长轴选取200nm～1000nm中的定值，例如500nm；短轴长度在120nm～500nm范围内变化，椭圆的旋转角度在0°～90°范围内变化，椭圆的排列周期为200nm～1000nm中的定值，例如500nm。调制单元5的图形整体面积范围为200μm²～40000μm²的矩形阵列结构。第三步、通过反应离子刻蚀、感应耦合等离子体刻蚀以及离子束刻蚀等方法对硅平板进行刻蚀即可得到所需光调制层1。最后将光调制层1和图像传感层2整体通过电连接到信号处理电路层3上即可。

上述的光调制层1的转移制备方式具体为：先在衬底上按照图5所示的结构通过微纳加工开孔，以得到制备好的光调制层1，然后将该已制备好的光调制层1转移到图像传感层2上。具体的，光调制层1的转移方法的过程为：先根据以上参数在硅片或soi(指硅-绝缘体-硅片结构)上制备得到光调制层1，然后通过转移的方法转移到图像传感层2上，最后将光调制层1和图像传感层2整体通过电连接到信号处理电路层3上即可。

如图14和图15所示，本实施例还给出了另一种图像采集芯片300的制备过程，具体为：图像传感层2内装有iii-v族探测器，具体为gaas/ingaas的量子阱探测器。如图14所示，将探测器倒扣键合在cmos电路上，探测器包括gaas衬底1’和ingaas量子阱图像传感层2。如图15所示，直接将衬底1’进行减薄后，再在衬底1’上进行微纳加工，使之具有二维图形结构，从而形成光调制层1即可。该制备过程与上述的微纳加工开孔的区别仅在于将由探测器组成的图像传感层2的上表面直接作为威纳加工的衬底1’，从而保证了加工制备好的光调制层1与图像传感层2之间的紧密连接，避免出现缝隙影响光的调制作用效果。

本实施例的物体成像识别设备对于图像的采集重构的完整流程为：如图2所示，首先，令可见光到近红外的宽谱光源100照射人眼虹膜210，以使虹膜210对射入光吸收并反射到芯片300上，虹膜210射向芯片300上的反射光即为芯片300的入射光。然后，该入射光射入光调制层1并通过各个调制单元5的光调制作用，在此过程中，各个调制单元5上的不同区域的调制作用不同，则透射谱也不同，且每个调制单元下方分别对应有图像传感层2上的多个感应单元7，并且如图4和图5所示可知，在多组像素确认模块的对应作用下，图4中的每个调制单元5中的各个区域分别与图5中的每个感应单元7中的各个感应子单元9相对应，则每个感应子单元9获得的透射谱不同，故而每个调制子单元与每个感应子单元9分别能构成一组像素确认子模块，每个子模块能分别识别一个像素点内的一部分频谱信息，故而将各个区域的子模块整合即可得到一个像素点的多个频谱信息。进一步整合各个像素点即可获得该图像所有像素点并据此重构得到虹膜图像。可理解的是，由于各个感应子单元9对应的调制单元上的二维图形结构相同，则获得图像不同空间位置的光经过相同调制作用之后的响应，可获得同一频率下的虹膜图像。

实施例二

本实施例二的图像采集芯片300及物体成像识别设备的结构、原理、物体成像识别方法和芯片制备方法均与实施例一基本相同，相同之处不再赘述，不同之处在于：

如图7所示，本实施例的图像采集芯片300中，光调制层1上设有的各个调制单元5中，各个二维图形结构内的所有调制孔6分别具有各自的特定截面形状，各个调制孔6按照特定截面形状进行自由组合排列(即无规律的任意排列)。具体的，在该二维图形结构内，部分调制孔6的特定截面形状相同，具有相同特定截面形状的各个调制孔6构成了多个调制孔6组，各个调制孔6组的特定截面形状互不相同，且所有的调制孔6均自由组合。

可理解的是，该调制单元5整体可视为针对一种特定波长的光谱进行调制，也可以将其自由分割成若干个微纳调制子单元，从而能针对多种不同波长的光谱进行调制，以增加光调制的灵活性和多样性。

实施例三

本实施例三的图像采集芯片300及物体成像识别设备的结构、原理、物体成像识别方法和芯片制备方法均与实施例二基本相同，相同之处不再赘述。不同之处在于：

本实施例的图像采集芯片300的光调制层1上排列有两个或两个以上的调制单元5，每个调制单元5中进一步分割为至少两个调制子单元。每个调制子单元内的所有调制孔6分别按照特定截面形状进行组合排列，且其排列的顺序为按照预设的周期顺序逐行或逐列排布；每个调制单元5内的同样区域的调制子单元内的调制孔6的截面形状和排布周期相同。从而使得每个调制单元5的不同位置的调制子单元对同一入射光都具有不同的调制作用。根据调制需要改变调制单元5内的调制孔6结构参数的渐变顺序和/或调制孔6的特定截面形状，即可改变当前调制单元5的调制作用和/或调制对象。

具体如图8所示，光调制层1的光调制层上分布有六个调制单元5，每三个调制单元5为一行，共计两行，具体分别为第一行的第一调制单元11、第二调制单元12、第三调制单元13以及对应排列在第二行的第四调制单元14、第五调制单元15、第六调制单元16。每个调制单元分别按照同样结构比例进一步划分为四个调制子单元，具体分别为位于单元矩阵左上角的第一子单元110、位于单元矩阵右上角的第二子单元111、位于单元矩阵左下角的第一子单元112和位于单元矩阵右下角的第一子单元113。

其中，每个调制单元5上相同区域的调制子单元的调制孔结构参数和排列周期均相同。具体的，第一调制子单元110和第二调制子单元111内的调制孔6均为圆形，但调制孔6的内径不同，则第一调制子单元110对于输入光谱有第一种调制方式，第二调制子单元111对于输入光谱有第二种调制方式。第三调制子单元112内的调制孔6均为椭圆形，该第三调制子单元112对于输入光谱有第三种调制方式；第四调制单元113内的调制孔6均为三角形，该第四调制单元113内的各个调制孔6按照结构参数大小成周期式逐行逐列排列，则该第四调制单元113对于输入光谱有第四种调制方式。则不同调制单元5中相同位置的调制子单元结构相同，但不同位置的调制子单元相互不同，故而每个调制子单元对同一入射光的调制作用不同。每个调制子单元分别对应于图像传感层2上的一个感应子单元。

可以理解的是，本实施例的“对不同波长的光有某种调制方式”可包括但不限于散射、吸收、透射、反射、干涉、表面等离子激元、谐振等作用。第一、第二和第三种光调制方式彼此区别。通过对于调制单元5内的调制孔6结构的设置，可以提高不同单元间光谱响应的差异，通过增加单元数量就可以提高对不同谱之间差异的灵敏度。

可理解的是，针对不同入射光谱测量时，可通过改变各调制单元5内的调制孔6结构参数来改变调制作用，结构参数的改变包括但不限于二维图形结构的调制孔排布周期、调制孔半径以及调制单元的边长、占空比和厚度等各参数中的一种以及它们的任意组合。其中，占空比是指调制孔6的面积和调制单元5整体总面积之比。

本实施例中，光调制层1为厚度200nm～500nm的氮化硅平板制成。光调制层1上共设有1000～250000个调制单元5，每个调制单元5的面积范围为200μm²～40000μm²。每个调制单元5内部选取各种几何形状作为调制孔6的特定截面形状，每个调制单元5内为同一形状的周期排布，其占空比为10％～90％。其余结构均与实施例1或实施例2相同。

每个调制单元5分别与其下方的感应单元构成一个像素点。通过算法可以得到一个像素点上各个波长的强度分布。通过整合不同单元的相同位置的子模块构成像素点的同一调制方式下的图像，多个像素点构成一幅包含多个频谱信息的图像。

实施例四

本实施例四的图像采集芯片300及物体成像识别设备的结构、原理、物体成像识别方法和芯片制备方法均与实施例三基本相同，相同之处不再赘述。不同之处在于：每个调制单元5上分别有一相同区域上的调制子单元内不设有任何调制孔6。以图9所示为例，第一调制子单元110、第二调制子单元111和第三调制子单元112分别对应某一个特定波长的光有窄带滤波作用，而第四调制子单元113中不设有调制孔6，则入射光直接通过该第四调制子单元113的区域。

对应的，每个调制子单元的下方分别设有对应的感应子单元，则光通过第一调制子单元110、第二调制子单元111和第三调制子单元112各自的窄带滤波后，分别由对应的感应子单元内的光传感器探测到光强，而通过第四调制子单元113的光由于没有存在窄带滤波作用，则其对应的感应子单元9探测到的光强可作为对比项。将前三组光强分别与第四组光强进行差分处理，从而可以得到每一个波长的经过窄带滤波后的光强。此外，设置第四调制子单元113还可以用于对物体的边界进行定位。

可理解的是，本实施例的微集成图像采集芯片300中可使用如实施例一的调制单元5或实施例二的调制单元5或实施例三的调制单元5或是实施例一、实施例二和实施例三所述的调制单元5的任意组合。

实施例五

基于上述任一实施例的图像采集芯片300及物体成像识别设备的结构、原理、物体成像识别方法和芯片制备方法，本实施例五提出了一种图像采集芯片300、物体成像识别设备以及物体成像识别方法。本实施例五与前述各实施例之间的相同之处不再赘述，不同之处在于：

如图10所示，本实施例五的图像采集芯片300还包括透光介质层4，该透光介质层4位于光调制层1与图像传感层2之间。具体的，该透光介质层4的厚度为50nm～1μm，材料可为二氧化硅。

本实施例的微集成图像采集芯片300中，若在制备光调制层1时采用直接沉积生长的工艺方案，可在图像传感层2上通过化学气相沉积、溅射以及旋涂等方式覆盖该透光介质层4，然后在其上方进行光调制层1部分的沉积、刻蚀即可。若采用转移的工艺方案，则可将二氧化硅作为光调制层1的制备衬底，并在衬底上半部分直接通过微纳钻孔加工制备光调制层1，然后以二氧化硅衬底的下半部分直接作为透光介质层4，将制备好的光调制层1与透光介质层4这两部分整体转移到图像传感层2上即可。

可理解的是，本实施例的透光介质层4还可以设置为：将图像传感层2上方的光调制层1整体通过外部支撑结构支撑以使之相对于图像传感层2悬空，则光调制层1与图像传感层2之间的空气部分即为透光介质层4。

实施例六

基于上述任一实施例所述的图像采集芯片300及物体成像识别设备的结构、原理、物体成像识别方法和芯片制备方法，本实施例六进一步提出了一种图像采集芯片300、物体成像识别设备以及物体成像识别方法。本实施例六与上述各实施例的相同之处不再赘述，不同之处在于：

如图11所示，本实施例六的图像采集芯片300中，各个调制孔6均不穿透光调制层。可理解的是，不论调制孔6是否穿透光调制层均不会对光调制层1的调制作用造成不利影响，这是因为光调制层1选用的硅基材料或其他材料均为透光材料，光谱入射光调制层1时，受到各个调制单元5的结构影响而发生调制作用，但调制孔6底部对于光谱调制不产生不利影响。

本实施例的图像采集芯片300中，光调制层1的调制孔6底部至光调制层底部的厚度为60nm～1200nm，整个光调制层厚度为120nm～2000nm。

实施例七

基于上述任一实施例所述的图像采集芯片300及物体成像识别设备的结构、原理、物体成像识别方法和芯片制备方法，本实施例七进一步提出了一种图像采集芯片300、物体成像识别设备以及物体成像识别方法。本实施例七与上述各实施例的相同之处不再赘述，不同之处在于：

如图12和图13所示，本实施例七的图像采集芯片300中，光调制层1的光调制层上分布有六个调制单元5，分别为第一调制单元11、第二调制单元12、第三调制单元13、第四调制单元14、第五调制单元15和第六调制单元16，其中。第一调制单元11、第三调制单元13和第四调制单元14采用实施例三所述的调制单元5的周期结构设置，而第二调制单元12、第五调制单元15和第六调制单元16采用实施例一所述的调制单元5的渐变结构设置。

可理解的是，也可以根据光谱调制需要，在对应位置的调制单元5选择实施例一至实施例四中任一合适的调制单元5的结构设置即可。由此可见，本实施例七的光调制层1利用不同单元间的不同调制孔6特定截面形状的区别、以及同一单元内特定的调制孔6排列方式，实现利用改变调制孔6特定截面形状、调制孔6的结构参数以及调制孔6排列周期实现对不同波长的光谱进行不同的调制作用。

可理解的是，对于实施例一和实施例二的渐变式阵列调制单元5的结构，其任意划分出的调制单元5对于光谱都有不同的调制作用，理论上可获得无穷多组调制后的光谱样本，从而急剧增大了用以重构原光谱的数据量，有助于对于宽带光谱的谱型的恢复。

对于实施例三和实施例四的周期式调制单元5的结构，其周期结构可产生二维周期的色散、谐振作用，谐振作用包括但不限于光子晶体的能带控制以及二维光栅的谐振等原理。通过谐振作用可增强对于特定波长的探测精度。

如果将上述的实施例一、实施例二、实施例三和实施例四中的调制单元5同时应用在芯片300上时，能够综合上述两种优势。并且在切顶光调制层的尺寸范围时，上述三个实施例的图像采集芯片300都可以制备成微米量级甚至更小的结构，这对于微集成图像采集芯片300的小型化微型化生产和使用具有重大意义，芯片300整体尺寸与相机模组相当，可做到小于1cm×1cm×0.4cm的规格，该芯片300可集成在手机、手环等便携式移动设备上。另外，上述的光调制层1配合由不同的图像感应器构成的图像传感层2，在原则上可以实现对于全波段的光谱探测，从而使得图像采集芯片300的宽谱探测性能更加出色。

实施例八

基于上述任一实施例所述的图像采集芯片300及物体成像识别设备的结构、原理、物体成像识别方法和芯片制备方法，本实施例八进一步提出了一种微型光谱成像芯片300、光谱成像设备以及光谱成像方法。目标物体2可拓展为任意物体。如图1所示，首先，令可见光到近红外的宽谱光源100照射到目标物体200上，然后反射光由图像采集芯片300采集。或省略光源100由目标物体200直接发光照射到图像采集芯片300采集。然后，如图3和图4，该入射光射入光调制层1并通过各个调制单元5的光调制作用，在此过程中，各个调制单元5上的不同区域的调制作用不同，则透射谱也不同，且每个调制单元下方分别对应有图像传感层2上的多个感应单元7，并且如图4和图5所示可知，在多组像素确认模块的对应作用下，图4中的每个调制单元5中的各个区域分别与图5中的每个感应单元7中的各个感应子单元9相对应，则每个感应子单元9获得的透射谱不同，故而每个调制子单元与每个感应子单元9分别能构成一组像素确认子模块，每个子模块能分别识别一个像素点内的一部分频谱信息，故而将各个区域的子模块整合即可得到一个像素点的多个频谱信息。进一步整合各个像素点即可获得该图像所有像素点并据此重构得到目标物体图像。可理解的是，由于各个感应子单元9对应的调制单元上的二维图形结构相同，则获得图像不同空间位置的光经过相同调制作用之后的响应，可获得同一频率下的目标物体图像。

综上所述，本实用新型各实施例所述的图像采集芯片300包括光调制层1、图像传感层2以及至少两组像素确认模块，光调制层1位于图像传感层2的上面，每组像素确认模块均包括调制单元5和感应单元7，每个调制单元5和每个感应单元7分别上下对应的设置在光调制层1和图像传感层2上，利用各组像素确认模块分别对光谱进行光强感应探测，从而分别确定各像素点的像素数据，进而整合所有像素数据以构成最终的输出图像。该图像采集芯片300能取代现有的物体成像识别设备中的复杂精密的分光元件和过多的图像传感器，利用调制单元5和感应单元7分别对光谱进行调制并感应光强，从而实现了精确的图像重构过程，使得图像采集芯片300能在不需要光栅、棱镜、反射镜或其他类似空间分光元件的情况下进行光强感应工作，进而大大缩小了物体成像识别设备的体积，同时提高了光强感应的精密性，使得物体成像识别设备具有测量精度高、便携性好、可实时在线检测、操作简单、性能稳定、制造成本低等优点。

该图像采集芯片300中每个调制单元内分别设有至少一个调制子单元，每个调制子单元内分别设有若干个穿于光调制层1内的调制孔6，同一调制子单元内的各个调制孔6排布成一具有特定排布规律的二维图形结构。该芯片300基于光电子学中的调制单元5阵列对不同波长光的调制作用，且每个调制单元5中对应嵌套有多个调制子单元，从而能同时采集多个光谱的物体图像信息，极大提高了光谱识别率、降低误识率，用于生物虹膜识别能有利于活体检测用于防伪，增大破解、伪造难度，同时还可以减小隐形眼镜、美瞳和不同光照条件下造成的干扰，克服了现有物体成像识别设备价格昂贵且无法小型化的问题。

本实用新型的实施例是为了示例和描述起见而给出的，而并不是无遗漏的或者将本实用新型限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。选择和描述实施例是为了更好说明本实用新型的原理和实际应用，并且使本领域的普通技术人员能够理解本实用新型从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。

在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”和“若干个”的含义都是指两个或两个以上；除非另有说明，“缺口状”的含义为除截面平齐外的形状。术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。