声学传感器的制作方法

本实用新型涉及传感器技术领域，更为具体地，涉及一种多功能声学传感器。

背景技术：

mems的英文全称为micro-electro-mechanicalsystem，中文名称为微机电系统，是指尺寸在几毫米甚至更小的高科技装置，其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系统。mems技术因具有微型化、智能化、高度集成化和可批量生产的优点，已广泛应用于电子、医学、工业、汽车和航空航天系统等领域。

在电子产品中，mems麦克风已成为中高端便携式智能电子设备的首选，为了满足电子产品小型化的设计需求，通常会将mems麦克风与其他传感器集成在mems麦克风的封装结构内，形成具有多种功能的传感器，例如声学传感器等。

现有的声学传感器虽然存在埋容、埋阻的设计，但是其容阻元件通常是设置在产品的基板内，埋容埋阻的精度不易管控，影响内部芯片及产品的良率；此外，将容阻元件设置在现有基板内，也会破坏基板自身结构应力，导致基板翘曲、芯片损坏等问题。

技术实现要素：

鉴于上述问题，本实用新型的目的是提供一种声学传感器，以解决现有声学传感器存在的埋容埋阻的精度不易管控，容易导致基板翘曲、芯片损坏等多种问题。

本实用新型提供的声学传感器，包括第一基板和第二基板；其中，在第一基板上设置有mems芯片，在第一基板内部埋设有与mems芯片电连接的asic芯片；在第二基板内埋设有与asic芯片电连接的容阻元件。

此外，优选的结构是，第一基板和第二基板形成封装结构，mems芯片收容在封装结构内。

此外，优选的结构是，第二基板包括与第一基板相对设置的容阻板以及连接容阻板与第一基板的连接板；容阻元件埋设在容阻板内。

此外，优选的结构是，在容阻板或者第一基板上设置有与外部电路导通的pad焊盘。

此外，优选的结构是，容阻板与第一基板平行设置。

此外，优选的结构是，还包括与第一基板形成封装结构的外壳；其中，mems芯片收容在封装结构内；第二基板通过导电焊盘设置在第一基板远离外壳的一侧。

此外，优选的结构是，在第一基板上或者第二基板上设置有与外部电路导通的pad焊盘。

此外，优选的结构是，第一基板和第二基板平行设置。

此外，优选的结构是，容阻元件为薄膜容阻或者片状容阻。

此外，优选的结构是，第一基板与第二基板电连接导通。

从上面的技术方案可知，本实用新型的声学传感器，设置两个基板，并将asic芯片和容阻元件分别埋设在不同的基板内，能够避免容阻元件对芯片造成的损伤，此外，也可加强对基板的管控，方便对基板布线、厚度及尺寸的控制，产品性能稳定，良率高。

附图说明

通过参考以下结合附图的说明，并且随着对本实用新型的更全面理解，本实用新型的其它目的及结果将更加明白及易于理解。在附图中：

图1为根据本实用新型实施例一的声学传感器结构示意图；

图2为根据本实用新型实施例二的声学传感器结构示意图；

图3为根据本实用新型实施例三的声学传感器结构示意图；

图4为根据本实用新型实施例四的声学传感器结构示意图。

其中的附图标记包括：第一基板1、第二基板2、容阻板21、连接板22、mems芯片3、连接线4、pad焊盘5、容阻元件6、片状容阻6’、asic芯片7、外壳8、导电焊盘9。

在所有附图中相同的标号指示相似或相应的特征或功能。

具体实施方式

为解决现有声学传感器埋容埋阻存在的工艺精度不易管控影响产品内部芯片功能及产品良率的问题，本实用新型提出一种新型的声学传感器，设置不同的两个基板，将产品芯片和容阻元件分别埋设在不同的基板内，能够避免容阻元件对芯片及基板自身造成的损伤，此外，也可加强对基板的管控，方便对基板布线、厚度及尺寸的控制，产品性能稳定，良率高。

具体地，本实用新型提供一种声学传感器，包括第一基板和第二基板；其中，在第一基板的表面上设置有mems芯片，在第一基板的内部埋设有与mems芯片电连接的asic芯片；在第二基板内埋设有与asic芯片电连接的容阻元件，其中实现电连接的电连接件也对应埋设在第一基板或第二基板内。

为详细描述本实用新型声学传感器的结构，以下将结合附图对本实用新型的具体实施例进行详细描述。

图1示出了根据本实用新型实施例一的声学传感器结构。

如图1所示，本实用新型实施例一的声学传感器，包括形成封装结构且相互导通的第一基板1和第二基板2，mems芯片3设置在第一基板1上并收容在封装结构内；其中，第二基板2包括与第一基板1相对设置的容阻板21以及连接容阻板21与第一基板1的连接板22，容阻元件6埋设在容阻板21内，与mems芯片3电连接的asic芯片7埋设在第一基板1内。

具体地，容阻板21与第一基板1平行设置，在连接容阻板21和第一基板1的连接板22内埋设有电连接容阻元件6和asic芯片7的连接线4，以及电连接asic芯片7与mems芯片3的连接线。

在该实施例一中，与外部电路或者元器件导通的pad焊盘5设置在第一基板1远离第二基板2的一侧，同时，埋设在容阻板21内的容阻元件6可选用薄膜容阻。

图2示出了根据本实用新型实施例二的声学传感器结构。

如图2所示，本实用新型实施例二的声学传感器，包括形成封装结构且相互导通的第一基板1和第二基板2，mems芯片3设置在第一基板1上并收容在封装结构内；其中，第二基板2包括与第一基板1相对设置的容阻板21以及连接容阻板21与第一基板1的连接板22，容阻元件6埋设在容阻板21内，与mems芯片3电连接的asic芯片7埋设在第一基板1内。

具体地，容阻板21与第一基板1平行设置，在连接容阻板21和第一基板1的连接板22内埋设有电连接容阻元件6和asic芯片7的连接线4，以及电连接asic芯片7与mems芯片3的连接线。

在该实施例二中，与外部电路或者元器件导通的pad焊盘5设置在容阻板21远离第一基板1的一侧，同时，埋设在容阻板21内的容阻元件6可选用薄膜容阻。

图3示出了根据本实用新型实施例三的声学传感器结构。

如图3所示，本实用新型实施例三的声学传感器，包括形成封装结构且相互导通的第一基板1和第二基板2，mems芯片3设置在第一基板1上并收容在封装结构内；其中，第二基板2包括与第一基板1相对设置的容阻板21以及连接容阻板21与第一基板1的连接板22，容阻元件6埋设在容阻板21内，与mems芯片3电连接的asic芯片7埋设在第一基板1内。

具体地，容阻板21与第一基板1平行设置，在连接容阻板21和第一基板1的连接板22内埋设有电连接容阻元件6和asic芯片7的连接线4，以及电连接asic芯片7与mems芯片3的连接线。

在该实施例三中，与外部电路或者元器件导通的pad焊盘5设置在第一基板1远离第二基板2的一侧，同时，埋设在容阻板21内的容阻元件6为片状容阻6’。

图4示出了根据本实用新型实施例一的声学传感器结构。

如图4所示，本实用新型实施例四的声学传感器，包括第一基板1、第二基板2以及与第一基板形成封装结构的外壳8；其中，mems芯片3设置在第一基板1并收容在封装结构内；第二基板2通过导电焊盘9设置在第一基板1远离外壳8的一侧。

其中，在第一基板1内埋设有与mems芯片3电连接的asic芯片7，在第二基板2内埋设有与asic芯片7电连接的容阻元件6，第一基板1和第二基板2之间通过导电焊盘9配合导电胶等进行固定及导通。

具体对，第一基板1和第二基板2平行设置，与外部电路或者元器件导通的pad焊盘5设置在第二基板2远离外壳8的一侧，同时，埋设在容阻板21内的容阻元件6为薄膜容阻；可知，该容阻元件6也可以采用片状容阻。

通过上述实施方式可以看出，本实用新型提供的声学传感器，能够防止容阻元件导致的基板翘曲，降低埋设芯片损裂的风险，避免埋设容阻元件带来的产品良率损失；此外，将容阻元件设置在容阻板或者额外设置的基板内，有利于基板布线设计以及对基板厚度及尺寸的管控，使得产品性能稳定、合格率高。

如上参照附图以示例的方式描述了根据本实用新型提出的声学传感器。但是，本领域技术人员应当理解，对于上述本实用新型所提出的声学传感器，还可以在不脱离本实用新型内容的基础上做出各种改进。因此，本实用新型的保护范围应当由所附的权利要求书的内容确定。