扬声器磁路装置以及扬声器的制作方法

本实用新型涉及电声转换技术领域，尤其涉及一种扬声器磁路装置以及扬声器。

背景技术：

扬声器的失真指的是扬声器在重放音频信号的时候出现了与原音频信号不一致的声音的现象。扬声器音质的好坏完全取决于它的失真情况，因此如何降低扬声器的失真是制成高性能高保真扬声器的一个重要的研究方向。

常见扬声器的磁路系统如图1所示，磁铁4、华司3以及t铁1形成一个环形磁路，音圈2悬挂于磁间隙内。当电流通过音圈2时，音圈2产生随电流而变化的磁场，变化的磁场与扬声器的磁路系统的磁场发生相吸或相斥的作用，导致音圈2产生机械振动从而带动扬声器的鼓纸振动，鼓纸振动反复推动空气而发出声音。

电流驱动音圈2振动时，音圈2中会产生反动电动势阻碍磁通量的变化；音圈2的自感量随频率呈非线性变化，当扬声器工作在高频时，音圈2自身的自感过大，产生的感应电流较大，对扬声器工作产生不利影响，导致高频频率响应受损。以上缺陷会导致扬声器电阻抗值在f>fn（fn为阻抗极小值对应的频率值）时，随频率增加而单调快速上升，引起失真。

本背景技术所公开的上述信息仅仅用于增加对本申请背景技术的理解，因此，其可能包括不构成本领域普通技术人员已知的现有技术。

技术实现要素：

针对背景技术中指出的问题，本实用新型提出一种扬声器磁路装置以及扬声器，采用双磁隙双音圈的磁路装置来提高扬声器的性能、减小失真。

为实现上述实用新型目的，本实用新型采用下述技术方案予以实现：

本实用新型提供一种扬声器磁路装置，包括：

t铁，其包括横向部和设于所述横向部上的竖向部；

第一磁铁，其为环状，所述第一磁铁套设于所述竖向部上，所述第一磁铁的内径大于所述竖向部的外径；

支撑环，其为环状，所述支撑环套设于所述竖向部上，所述支撑环位于所述第一磁铁的内部，所述支撑环的外径小于所述第一磁铁的内径；

第一华司，其设于所述竖向部的上部；

第二华司，其设于所述支撑环的上部，所述第二华司位于所述第一华司的外周，所述第一华司与所述第二华司之间形成第一磁间隙；

第三华司，其设于所述第一磁铁的上部，所述第三华司位于所述第二华司的外周，所述第二华司与所述第三华司之间形成第二磁间隙；

第一音圈，其设于所述第一磁间隙内；

第二音圈，其设于所述第二磁间隙内。

本申请一些实施例中，所述第一华司、所述第二华司、所述第三华司以及所述竖向部同轴。

本申请一些实施例中，所述第一磁铁、所述支撑环以及所述竖向部的顶面处于同一平面。

本申请一些实施例中，所述第一华司、所述第二华司以及所述第三华司的厚度相同。

本申请一些实施例中，所述支撑环的内径大于所述竖向部的外径。

本申请一些实施例中，所述支撑环由非磁性材料制成。

本申请一些实施例中，所述支撑环的材质为铝或铜。

本申请一些实施例中，还包括第二磁铁，其设于所述第一华司和所述竖向部之间。

本申请一些实施例中，还包括第三磁铁，其为环状，所述第三磁铁设于所述第三华司的上部，所述第三磁铁的内径大于所述第三华司的内径。

本实用新型还提供一种扬声器，包括如上所述的扬声器磁路装置。

与现有技术相比，本实用新型的优点和积极效果是：

本申请所公开的扬声器磁路装置为一个双磁隙双音圈双振膜的磁路装置，将该磁路装置应用到扬声器上时，内部第一音圈连接的振膜质量应比外部第二音圈连接的振膜质量要轻。当扬声器高频工作时，振幅较小，振动速度较快，位于内部的第一音圈起主要工作；当扬声器低频工作时，振幅较大，振动速度较慢，位于外部的第二音圈起主要工作，从而使得扬声器具有较宽的有效频率范围，减小扬声器的失真，提高扬声器的音质。

结合附图阅读本实用新型的具体实施方式后，本实用新型的其他特点和优点将变得更加清楚。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中扬声器磁路装置的结构示意图；

图2为根据实施例一的扬声器磁路装置的结构示意图；

图3为根据实施例二的扬声器磁路装置的结构示意图；

图4为根据实施例三的扬声器磁路装置的结构示意图；

图5为根据实施例四的扬声器磁路装置的结构示意图。

附图标记：

图1中：

1-t铁，2-音圈，3-华司，4-磁铁；

图2至图5中：

10-t铁，11-横向部，12-竖向部；

21-第一磁铁，22-第二磁铁，23-第三磁铁；

31-第一华司，32-第二华司，33-第三华司；

41-第一磁间隙，42-第二磁间隙；

51-第一音圈，52-第二音圈；

60-支撑环。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明的是，在本实用新型的描述中，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“竖”、“横”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系的术语是基于附图所示的方向或位置关系，这仅仅是为了便于描述，而不是指示或暗示所述装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

实施例一

参照图2，本实施例中的扬声器磁路装置主要包括t铁10、第一磁铁21、支撑环60、第一华司31、第二华司32、第三华司33、第一音圈51以及第二音圈52。

t铁10包括横向部11和设于横向部11上的竖向部12，竖向部12位于横向部11的上部。

第一磁铁21为环状，第一磁铁21套设于竖向部12上，并且第一磁铁21坐落在横向部11的上部。第一磁铁21的内径大于竖向部12的外径，使得第一磁铁21与竖向部12之间具有一定距离。

支撑环60为环状，支撑环60套设于竖向部12上，支撑环60也是坐落在横向部12的上部。支撑环60位于第一磁铁21的内部，支撑环60的外径小于第一磁铁21的内径，使得第一磁铁21与支撑环60之间具有一定距离。

第一华司31设于竖向部12的上部。

第二华司32设于支撑环60的上部，第二华司32位于第一华司31的外周，第一华司31与第二华司32之间形成第一磁间隙41。

第三华司设33于第一磁铁21的上部，第三华司33位于第二华司32的外周，第二华司32与第三华司33之间形成第二磁间隙42。

第一音圈51设于第一磁间隙41内。

第二音圈52设于第二磁间隙42内。

通过上述结构形成一个双磁隙双音圈双振膜的磁路装置，将该磁路装置应用到扬声器上时，内部第一音圈51连接的振膜质量应比外部第二音圈52连接的振膜质量要轻。当扬声器高频工作时，振幅较小，振动速度较快，位于内部的第一音圈51起主要工作；当扬声器低频工作时，振幅较大，振动速度较慢，位于外部的第二音圈52起主要工作，从而使得扬声器具有较宽的有效频率范围，减小扬声器的失真，提高扬声器的音质。

本申请一些实施例中，第一华司31、第二华司32、第三华司33以及竖向部12同轴，使得内外双振膜出声位置一致，进一步提高扬声器的音质。

本申请一些实施例中，第一磁铁21、支撑环60以及竖向部12的顶面处于同一平面，以便于第一华司31、第二华司32以及第三华司33的安装，处于同一平面，可以使磁场对称，提高磁场的效率。

进一步的，第一华司31、第二华司32以及第三华司33的厚度相同，处于同一平面，可以使磁场对称，提高磁场的效率。

本申请一些实施例中，支撑环60的内径大于竖向部12的外径，这样当第二华司32安装至支撑环60的上部时，便于第二华司32与第一华司31之间形成第一磁间隙41。

本申请一些实施例中，支撑环60由非磁性材料制成，以避免支撑环60对磁场产生影响。

本实施例中，支撑环60的材质为铝或铜，利于散热，同时可以减小非线性电感量的变化，抑制随频率上升而变得陡峭的额阻抗曲线，进一步减小失真，尤其是三次谐波失真的减小，进一步改善扬声器高频性能。

实施例二

实施例二中的磁路装置是在实施例一的基础上增加了第二磁铁22，参照图3，第二磁铁22设于第一华司31和竖向部12之间。

通过调整第一磁铁21和第二磁铁22的厚度，可以调整第一磁间隙41和第二磁间隙42的磁力大小，以进一步提高扬声器的音质、减小失真，满足不同的需求。

实施例三

实施例三中的磁路装置是在实施例一的基础上增加了第三磁铁23，参照图4，第三磁铁23为环状，第三磁铁23设于第三华司33的上部，第三磁铁23的内径大于第三华司33的内径，以避免第三磁铁23的内径过小而影响第二音圈52的安装。

通过调整第一磁铁21和第三磁铁23的厚度，可以调整第一磁间隙41和第二磁间隙42的磁力大小，以进一步提高扬声器的音质、减小失真，满足不同的需求。

实施例四

实施例四中的磁路装置是在实施例二的基础上增加了第三磁铁23，参照图5，第三磁铁23为环状，第三磁铁23设于第三华司33的上部，第三磁铁23的内径大于第三华司33的内径，以避免第三磁铁23的内径过小而影响第二音圈52的安装。

通过调整第一磁铁21、第二磁铁22以及第三磁铁23的厚度，可以调整第一磁间隙41和第二磁间隙42的磁力大小，以进一步提高扬声器的音质、减小失真，满足不同的需求。

实施例五

本实施例公开一种扬声器，其包括实施例一至四所述的扬声器磁路装置。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。