发声器件和音频设备的制作方法

1.本发明涉及电声转换技术领域，特别涉及一种发声器件和音频设备。


背景技术：

2.发声器件是音频设备中的重要声学部件，是一种把电信号转变为声信号的换能器件，音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。现今，市场越来越追求全频段音质，为满足全频段音质，涌现出很多高低音单元结合的多单元音频设备，即一个音频设备中放置高音单元和低音单元。然而，现有的多单元音频设备虽然解决了全频段问题，但是也由此导致了发声器件的体积增大，增加了音频设备整机装配的难度。


技术实现要素：

3.本发明的主要目的是提出一种发声器件，旨在实现发声器件的小型化，从而有利于提升音频设备的装配便利性。
4.为实现上述目的，本发明提出的发声器件，包括：
5.导磁板；
6.磁路结构，包括设有所述导磁板上的第一磁路结构和第二磁路结构，所述第一磁路结构位于中心区域，所述第二磁路结构设于所述第一磁路结构的外围；所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有边磁间隙，所述第一磁路结构远离所述导磁板的一侧形成中心磁间隙；
7.高音振膜，对应所述中心磁间隙设置；以及
8.低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并插设于所述边磁间隙，所述低音振膜位于所述高音振膜的远离所述导磁板的一侧；
9.所述高音振膜于所述导磁板上的投影位于所述低音音圈于所述导磁板上的投影区域的内侧；
10.所述发声器件设有正对所述高音振膜的出音孔，所述出音孔用于辐射所述高音振膜产生的声波，所述低音振膜对应所述出音孔的位置设有避让孔。
11.可选地，所述发声器件还设有盖体，所述盖体设于所述高音振膜远离所述导磁板的一侧，所述盖体设置有所述出音孔，所述出音孔对应所述低音振膜的中心位置设置；所述低音振膜设有位于内周侧的第一固定部和位于外周侧的第二固定部，所述第一固定部结合于所述盖体，所述第二固定部结合于所述发声器件的外壳；所述第一固定部内侧去料的区域形成所述避让孔。
12.可选地，所述出音孔设于所述盖体的中心位置，所述盖体环绕所述出音孔的外周侧设有支撑部，所述低音振膜的第一固定部固定结合于所述支撑部。
13.可选地，所述出音孔为沿所述高音振膜振动方向延伸的管状结构，所述出音孔靠近所述高音振膜的一端设有环绕所述出音孔设置的所述支撑部。
14.可选地，所述盖体的上表面为平面结构，所述出音孔为设置于盖体上表面中心位
置的孔状结构，所述盖体上表面位于所述出音孔周围的区域形成所述支撑部。
15.可选地，所述盖体靠近所述低音振膜的一侧设有避让所述低音振膜的折环部的第一避让部。
16.可选地，所述第一磁路结构包括相连接的第一磁体和第一华司，所述第一磁体设于所述导磁板，所述第一华司设于所述第一磁体的远离所述导磁板的一侧，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一磁体形成有相对所述第一子华司设置的第一磁区和相对所述第二子华司设置的第二磁区，所述第一磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有所述中心磁间隙；
17.所述第二磁路结构的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有所述边磁间隙。
18.可选地，所述第一磁体为整体式结构，所述第一磁体还形成有设于所述第一磁区和所述第二磁区之间的第一无磁区。
19.可选地，所述第一磁体包括分体设置的第一子磁体和第二子磁体，所述第二子磁体环设于所述第一子磁体外，所述第一磁区形成于所述第一子磁体，所述第二磁区形成于所述第二子磁体。
20.可选地，所述发声器件还包括结合于所述盖体上的辅助磁体，所述辅助磁体与所述高音振膜之间的距离大于所述高音振膜的振幅。
21.可选地，所述辅助磁体形成有单磁区，所述单磁区的充磁方向与所述第一磁区或所述第二磁区的充磁方向相反；或，所述辅助磁体形成有双磁区，所述双磁区包括与所述第一磁区相对的第三磁区和与所述第二磁区相对的第四磁区，所述第三磁区和所述第一磁区的充磁方向相反，所述第四磁区和所述第二磁区的充磁方向相反。
22.可选地，所述盖体设有固定所述低音振膜的所述第一固定部的支撑部；所述盖体还设有固定安装所述辅助磁体的安装部，所述安装部位于所述支撑部远离所述低音振膜的一侧，所述安装部与所述支撑部之间形成高度差。
23.可选地，所述盖体设有避让所述低音振膜的折环部的第一避让部，所述第一避让部为相对于所述安装部倾斜设置的结构，所述辅助磁体对应所述第一避让部的结构与所述第一避让部相适配；所述辅助磁体靠近所述高音振膜的一侧设有避让所述高音振膜的折环部的第二避让部。
24.可选地，所述第二子华司靠近所述高音振膜的一侧设置有安装环凸，所述安装环凸设于所述第二子华司的边缘位置，所述高音振膜的外周固定连接于所述安装环凸；其中，所述安装环凸由所述第二子华司一体形成，所述安装环凸为向靠近所述高音振膜的方向凸起的结构。
25.可选地，所述安装环凸为独立于所述第二子华司的结构，所述安装环凸设于所述第二子华司的边缘位置。
26.可选地，所述盖体的外周部对应所述安装环凸设置，并固接于所述高音振膜远离所述安装环凸的一侧，所述安装环凸的外周连接有较所述安装环凸向远离所述导磁板的方向凸设的限位环凸，所述盖体被限位于所述限位环凸的内侧。
27.可选地，所述辅助磁体正对所述出音孔的位置设有连通孔，所述连通孔的孔径不
小于所述出音孔的孔径。
28.可选地，所述盖体为导磁材料。
29.本发明还提出一种音频设备，包括前述的发声器件。
30.可选地，所述音频设备为耳机。
31.本发明技术方案中，第一磁路结构在形成中心磁间隙的同时，还与第二磁路结构构造形成边磁间隙，有利于简化发声器件的磁路结构，起到减小发声器件的轴向尺寸的作用。具体而言，至少在第二子华司和第二磁路结构之间形成有边磁间隙，低音音圈插设于边磁间隙，第一磁路结构至少能够部分收容于低音音圈内侧，有利于进一步减小发声器件的轴向尺寸。如此，能够实现发声器件的小型化，从而有利于提升音频设备的装配便利性。并且，在本发明中，高音振动系统和低音振动系统分别独立地设置，低音振膜设置有避让高音出声孔的避让孔，高音发声和低音发声互不干扰，有利于保障发声器件的声学性能。
附图说明
32.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
33.图1为本发明发声器件一实施例的装配结构示意图；
34.图2为本发明发声器件一实施例的爆炸结构示意图；
35.图3为本发明发声器件一实施例的剖视图；
36.图4为本发明发声器件一实施例的剖视图；
37.图5为本发明发声器件一实施例的剖视图；
38.图6为本发明发声器件一实施例的剖视图；
39.图7为本发明发声器件的盖体一实施例的结构示意图；
40.图8为图3所示的结构在盖体导磁且不设置辅助磁体时时一实施例所对应的磁场仿真云图；
41.图9为图3所示的结构在盖体导磁并设置有辅助磁体时一实施例所对应的磁场仿真云图；
42.图10为图3所示的结构在盖体不导磁且设置有辅助磁体时一实施例所对应的磁场仿真云图；
43.图11为图3所示的结构在盖体导磁并设置有辅助磁体时另一实施例所对应的磁场仿真云图；
44.图12为图4所示的结构在盖体导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图。
45.附图标号说明：
46.标号名称标号名称110导磁板621避让孔120壳体612第一固定部101出音孔613第二固定部200第一磁路结构610低音音圈
210第一磁体700盖体211第一子磁体702第一避让部212第二子磁体705涂胶槽220第一华司703支撑部221第一子华司704安装部222第二子华司800辅助磁体223安装环凸801连通孔224限位环凸802第三避让部300第二磁路结构803第二避让部310第二磁体810第一辅助磁体320第二华司820第二辅助磁体400高音音圈h中心磁间隙500高音振膜l边磁间隙620低音振膜
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47.本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
48.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
49.需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
50.另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，若全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“a和/或b”为例，包括a方案，或b方案，或a和b同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
51.本发明提出一种发声器件。
52.在本发明一实施例中，如图1至图6所示，该发声器件，包括：
53.导磁板110；
54.磁路结构，包括设有所述导磁板110上的第一磁路结构200和第二磁路结构300，所述第一磁路结构200位于中心区域，所述第二磁路结构300设于所述第一磁路结构200的外围；所述第一磁路结构200和所述第二磁路结构300之间形成有边磁间隙l，所述第一磁路结构200远离所述导磁板110的一侧形成中心磁间隙h；
55.高音振膜400，对应所述中心磁间隙h设置；以及
56.低音振膜620、低音音圈610，所述低音音圈610设于所述低音振膜620的靠近所述导磁板110的一侧，并插设于所述边磁间隙l，所述低音振膜620位于所述高音振膜400的远离所述导磁板110的一侧；
57.所述高音振膜400于所述导磁板110上的投影位于所述低音音圈610于所述导磁板110上的投影区域的内侧；
58.所述发声器件设有正对所述高音振膜400的出音孔101，所述出音孔101用于辐射所述高音振膜400产生的声波，所述低音振膜620对应所述出音孔101的位置设有避让孔621。
59.本发明技术方案中，第一磁路结构200在形成中心磁间隙h的同时，还与第二磁路结构300构造形成边磁间隙l，有利于简化发声器件的磁路结构，起到减小发声器件的轴向尺寸的作用。高音振膜400在导磁板110上的投影位于低音音圈610在导磁板120的投影的内侧，使得高音振膜400能够被收容于低音音圈610，第一磁路结构200也能够部分收容于低音音圈610的内侧空间，有利于进一步减小发声器件的轴向尺寸。如此，能够实现发声器件的小型化，有利于提升音频设备的装配便利性。并且，高音振动系统和低音振动系统分别独立地设置，低音振膜620设置有避让高音出声孔的避让孔621，高音发声和低音发声互不干扰，有利于保障发声器件的声学性能。
60.需要说明的是，发声器件的轴向即为高音振膜和低音振膜的振动方向，其径向则与导磁板的延伸方向相并行，此外，后文中，在未特别说明的情况下，发声器件内的结构的径向、轴向以及周向均以此为参照。可以理解，发声器件还包括设于导磁板110的壳体120，发声器件的振动系统和磁路系统都收容于壳体120内。
61.在一实施例中，如图2至图6所示，所述发声器件还设有盖体700，所述盖体700设于所述高音振膜400远离所述导磁板110的一侧，所述盖体700设置有所述出音孔101，所述出音孔101对应所述低音振膜620的中心位置设置；所述低音振膜620设有位于内周侧的第一固定部612和位于外周侧的第二固定部613，所述第一固定部612结合于所述盖体700，所述第二固定部613结合于所述发声器件的外壳；所述第一固定部612内侧去料的区域形成所述避让孔621。如此，低音振膜620能够相对稳定地安装在盖体700上，由于盖体700的分隔作用，高音振膜400引起的空气振动不会对低音振膜620产生干扰，低音振膜620引起的空气振动也不会对高音振膜400产生干扰，有利于进一步保障发声器件的高音发声和低音发声之间的独立性，以进一步保障发声器件的高音性能和低音性能。
62.进一步地，所述盖体700为导磁材料，请一并参照图9和图10，图9和图10分别为相同结构的发声器件在盖体700导磁和不导磁时的磁场仿真云图，其中，图9对应的低音bl(电力耦合因子)为0.56521，高音bl(电力耦合因子)为0.22983，图10对应的低音bl为0.55447，高音bl为0.21978，由此可见，盖体700导磁有利于提升中心磁间隙h和边磁间隙l的磁场强度，从而提升发声器件的高音bl和低音bl，以提升发声器件的声学性能。
63.在一实施例中，所述出音孔101设于所述盖体700的中心位置，所述盖体700环绕所述出音孔101的外周侧设有支撑部703，所述低音振膜620的第一固定部612固定结合于所述支撑部703。如此，能够提升低音振膜620和盖体700的连接稳定性，从而进一步保障发声器件的高音发声和低音发声之间的独立性，以进一步保障发声器件的高音性能和低音性能。不失一般性，第一固定部612通过胶粘的方式固定于支撑部703。
64.在一实施例中，如图3至图5所示，所述出音孔101为沿所述高音振膜400振动方向延伸的管状结构，所述出音孔101靠近所述高音振膜400的一端设有环绕所述出音孔101设置的所述支撑部703。也即，出音孔101的孔壁较支撑部703凸出设置，如此，能够方便低音振膜620的第一固定部612的定位安装，有利于提升发声器件的装配便利性，而能提升音频设备的生产效率。
65.在一实施例中，如图6所示，所述盖体700的上表面为平面结构，所述出音孔101为设置于盖体700上表面中心位置的孔状结构，所述盖体700上表面位于所述出音孔101周围的区域形成所述支撑部703。也即，出音孔101自盖体700靠近导磁板110一侧的表面贯穿至支撑部703，如此，有利于简化盖体700结构，便于盖体700的生产，以及，有利于减小发声器件的轴向尺寸，以进一步减小发声器件的体积。
66.在一实施例中，如图3至图6所示，所述盖体700靠近所述低音振膜620的一侧设有避让所述低音振膜620的折环部的第一避让部702。具体而言，第一避让部702为盖体700靠近低音振膜620的表面朝向背离低音振膜620的方向倾斜设置的结构，如此，可在低音振膜620的折环部朝靠近导磁板110的方向振动时，避免盖体700对其产生干涉，以保障发声器件的低音性能。
67.进一步地，在本实施例中，如图3至图6所示，所述第一磁路结构200包括相连接的第一磁体210和第一华司220，所述第一磁体210设于所述导磁板110，所述第一华司220设于所述第一磁体210的远离所述导磁板110的一侧，所述第一华司220包括第一子华司221和间隔环设于所述第一子华司221外的第二子华司222，所述第一磁体210形成有相对所述第一子华司221设置的第一磁区和相对所述第二子华司222设置的第二磁区，所述第一磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一子华司221和所述第二子华司222之间形成有所述中心磁间隙h；所述第二磁路结构300的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构200和所述第二磁路结构300之间形成有所述边磁间隙l。
68.具体而言，第一磁区、第二磁区和第二磁路结构300均采用轴向充磁的方式进行充磁，其中，第一磁区和第二磁区的充磁方向相反，经第一子华司221和第二子华司222导磁后，第一子华司221和第二子华司222之间即形成中心磁间隙h；第二磁区和第二磁路结构300的充磁方向相反，以在第二磁路结构300和第一磁路结构200的第二磁区以及第二子华司222之间都能形成有边磁间隙l。其中，中心间隙形成于第一子华司221和第二子华司222之间，在华司的导磁作用下，中心磁间隙h的磁场的磁感线分布更加密集，有利于保障发声器件的高音性能。
69.另外，第二子华司222可以是由多个弧形部组成，多个弧形部之间可以在周向上紧密配合，形成环状，也可以是在周向上间隔分布，形成类环状，第二子华司222还可以是一体的环状结构；同理，第二磁路结构300亦参照第二子华司222设置。
70.不失一般性，如图3至图6所示，所述第二磁路结构300包括第二磁体310和第二华司320，所述第二磁体310包括固接于所述导磁板110的两个半环形磁体，所述第二华司320固接于所述第二磁体310的远离所述导磁板110的一侧。第二磁体310的充磁方向与第二磁区的充磁方向相反，在第二华司320和第二子华司222的导磁作用下，第二华司320和第二子华司222之间形成边磁间隙l，且磁场的磁感线分布更加密集，低音音圈610至少部分相对第一磁体210设置，能使其穿设于此间，以提升边磁间隙l的磁场利用率，从而保障发声器件的
低音性能。
71.进一步地，在本实施例中，如图2和图5所示，所述第一磁体210为整体式结构，所述第一磁体210还形成有设于所述第一磁区和所述第二磁区之间的第一无磁区，如此，有利于提升第一磁体210在生产装配时的安装便利性，从而进一步提升发声器件的生产效率。
72.进一步地，在本实施例中，所述高音音圈500对应所述第一无磁区设置，且所述第一无磁区的环宽小于所述高音音圈500的环宽。如此，有利于提升第一子华司221和第二子华司222的磁场强度，由此提升中心磁间隙h的磁场对高音音圈500的作用力，而使得中心磁间隙h的电声转换效率得以提升，从而提升发声器件的高音性能。当然，在其他实施例中，也可以是，第一磁区的直径大于第二磁区的环宽，第一磁区的直径和第二磁区的环宽的大小关系可以根据声学性能的不同要求进行调整。
73.在一实施例中，如图3、图4和图6所示，所述第一磁体210包括分体设置的第一子磁体211和第二子磁体212，所述第二子磁体212环设于所述第一子磁体211外，所述第一磁区形成于所述第一子磁体211，所述第二磁区形成于所述第二子磁体212。如此，有利于提升第一子华司221和第二子华司222的磁场强度，由此提升中心磁间隙h的磁场对高音音圈500的作用力，而使得中心磁间隙h的电声转换效率得以提升，从而提升发声器件的高音性能。
74.进一步地，在本实施例中，所述第一子磁体211和所述第二子磁体212之间的间隙小于所述第一子华司221和所述第二子华司222之间的间隙。如此，在第一子华司221和第二子华司222之间需形成供高音音圈500插设的间隙时，第一子磁体211和第二子磁体212能够更靠近设置，在最大化利用发声器件内部空间的同时，还能提升第一子华司221和第二子华司222之间的磁场强度，也即提升中心磁间隙h的电声转换效率，有利于提升发声器件的高音性能。其中，第一子磁体211和第二子磁体212紧配为宜，也即二者之间的间隙越小，越有利于提升发声器件的高音性能。
75.在一实施例中，如图3至图6所示，所述发声器件还包括结合于所述盖体700上的辅助磁体800，所述辅助磁体800与所述高音振膜400之间的距离大于所述高音振膜400的振幅。如此，高音振膜400的振动不会受到辅助磁体800的干涉，有利于保障发声器件的高音性能。
76.在一实施例中，所述辅助磁体800形成有单磁区。
77.可选地，所述单磁区的充磁方向与所述第一磁区的充磁方向相同。请一并参照图8和图11，图8和图11所对应的发声器件的结构的区别在于，图8对应的结构不设置辅助磁体，图11对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有如前所述的单磁区，其中，图8对应的低音bl为0.56921，高音bl为0.1811，图11对应的低音bl为0.5802，高音bl为0.138523。由此可见，在辅助磁体800的作用下，边磁间隙l的磁感线增加，而能有更多的磁感线穿过低音音圈610，低音bl显著提升，有利于提升低音单元的灵敏度，当整机调试，需要提升低音性能时，可以采用此种充磁方式。
78.可选地，所述单磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相同。请一并参照图8和图9，图8和图9所对应的发声器件的结构的区别在于，图8对应的结构不设置辅助磁体，图9对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有如前所述的单磁区，其中，图8对应的低音bl为0.56921，高音bl为0.1811，图9对应的低音bl为0.56521，高音bl为0.22983。由此可见，在辅助磁体800的作用下，中心磁间隙h的磁感线增加，而能有更多的磁感线穿过高
音音圈500，高音bl显著提升，有利于提升高音单元的电声转换效率，当整机调试，需要提升高音性能时，可以采用此种充磁方式。
79.进一步地，在本实施例中，所述中心磁间隙h的正投影位于所述辅助磁体800的正投影的区域内。其中，中心磁间隙h的正投影指第一子华司221和第二子华司222在导磁板110上的投影之间的间隙，辅助磁体800的正投影指辅助磁体800在导磁板110上的投影。如此，辅助磁体800既能在中心位置具备与第一磁区相对的部分，又能在周侧位置具备与第二磁区相对的部分，而使辅助磁体800能够适用于上述两种情况的单区充磁，具体地，当辅助磁体800的充磁方向与第一磁区相反时，辅助磁体800中心位置的磁感线能够连接于第二磁区的磁感线，以增加中心磁间隙h处的磁感线，而使更多的磁感线穿过高音音圈500；当辅助磁体800的充磁方向与第二磁区相反时，辅助磁体800周侧部分的磁感线能够连接于第二磁路结构300的磁感线，以增加边磁间隙l处的磁感线，而使更多的磁感线穿过低音音圈610。
80.在一实施例中，所述辅助磁体800形成有双磁区，所述双磁区包括与所述第一磁区相对的第三磁区和与所述第二磁区相对的第四磁区，所述第三磁区和所述第一磁区的充磁方向相反，所述第四磁区和所述第二磁区的充磁方向相反。如此，辅助磁体800同样能在中心位置具备与第一磁区相对的部分，以及在周侧位置具备与第二磁区相对的部分，通过调整第三磁区和第四磁区的充磁量，以满足对高音bl和低音bl不同的调整需求。请一并参照图8和图12，图8和图12所对应的发声器件的结构的区别在于，图8对应的结构不设置辅助磁体，图12对应的结构设置有辅助磁体800，且辅助磁体800形成有双磁区，双磁区的充磁方向如前所述，其中，图8对应的低音bl为0.56921，高音bl为0.1811，图12对应的低音bl为0.57533，高音bl为0.25425。由此可见，辅助磁体800设置的第三磁区和第四磁区能够影响中心磁间隙h和边磁间隙l处的磁感线走向，以使更多的磁感线穿过高音音圈500和低音音圈610，高音bl和低音bl均能有所提升，其中高音bl的提升更显著，当整机调试，需要同时提升高音性能和低音性能时，可以采用此种充磁方式。
81.在本实施例中，可选地，如图3和图5所示，所述辅助磁体800设置为整体式结构，所述辅助磁体800还形成有设于所述第三磁区和所述第四磁区之间的第二无磁区，如此，有利于提升辅助磁体800在生产装配时的安装便利性，从而提升发声器件的生产效率。
82.在本实施例中，可选地，如图4和图6所示，所述辅助磁体800包括第一辅助磁体810和环设于所述第一辅助磁体810外的第二辅助磁体820，所述第三磁区形成于所述第一辅助磁体810，所述第四磁区形成于如图3至图6所示，所述第二辅助磁体820。本实施例中，辅助磁体800包括分体设置的第一辅助磁体810和第二辅助磁体820，分别对第一辅助磁体810和第二辅助磁体820进行单磁区的充磁即可，充磁操作简单，物料质检方便，第一辅助磁体810和第二辅助磁体820的物料供应有保障，从而有利于保障发声器件的生产。其中，第一辅助磁体810和第二辅助磁体820的间隙相对中心磁间隙h设置，第一辅助磁体810和第二辅助磁体820之间紧密配合为宜，也即，第一辅助磁体810和第二辅助磁体820之间的间隙越小越好，越有利于提升发声器件的声学性能。
83.在一实施例中，如图4和图7所示，所述盖体700还设有固定安装所述辅助磁体800的安装部704，所述安装部704位于所述支撑部703远离所述低音振膜620的一侧，所述安装部704与所述支撑部703之间形成高度差。如此，安装部704可供辅助磁体800固定安装，有利于保障发声器件的结构稳定性。当然，在其他实施例中，辅助磁体800也可以安装于第二子
华司222的远离导磁板110的一侧，确保辅助磁体800和第一华司220之间具备足够的空间，而不会干涉到高音振膜400的振动即可。
84.进一步地，如图3和图4所示，在本实施例中，所述盖体700设有避让所述低音振膜620的折环部的第一避让部702，所述第一避让部702为相对于所述安装部704倾斜设置的结构，所述辅助磁体800对应所述第一避让部702的结构与所述第一避让部702相适配，辅助磁体800设置有和第二避让部803相对应的第三避让部802，以避免干涉低音振膜620的振动。如此，辅助磁体800能够更贴合盖体700设置，当辅助磁体800和盖体700采用粘接的方式相连接时，有利于提升辅助磁体800和盖体700之间的连接稳定性。当然，在其他实施例中，也可以是，如图5和图6所示，辅助磁体800不具有与低音振膜620的折环部上的朝靠近导磁板110倾斜延伸的部分相对设置的部分。
85.进一步地，如图3和图4所示，所述辅助磁体800靠近所述高音振膜400的一侧设有避让所述高音振膜400的折环部的第二避让部803。具体而言，第二避让部803为辅助磁体800靠近高音振膜400的表面朝背离高音振膜400的方向倾斜设置的结构，如此，可在高音振膜400的折环部朝远离导磁板110的方向振动时，避免辅助磁体800对其产生干涉，以保障发声器件的高音性能。当然，在其他实施例中，也可以是，如图5和图6所示，辅助磁体800不具有相对高音振膜400的折环部设置的部分。
86.进一步地，如图2至图6所示，在本实施例中，所述辅助磁体800正对所述出音孔101的位置设有连通孔801，所述连通孔801的孔径不小于所述出音孔101的孔径。如此，可保障高音出音的通畅性，避免对高音的低频区域造成压制，有利于保障发声器件的高音性能。
87.进一步地，如图3所示，在本实施例中，所述第二子华司222靠近所述高音振膜400的一侧设置有安装环凸223，所述安装环凸223设于所述第二子华司222的边缘位置，所述高音振膜400的外周固定连接于所述安装环凸223。可选地，所述安装环凸223由所述第二子华司222一体形成，所述安装环凸223为向靠近所述高音振膜400的方向凸起的结构；可选地，所述安装环凸223为独立于所述第二子华司222的结构，所述安装环凸223设于所述第二子华司222的边缘位置。如此，在安装环凸223的内侧空间，高音振膜400和第二子华司222及第一子华司221之间能够具有间隙，该间隙能够覆盖高音振膜400的振幅，以使高音振膜400的振动不受干扰，从而保障发声器件的高音性能。
88.进一步地，如图3所示，在本实施例中，所述盖体700的外周部对应所述安装环凸223设置，并固接于所述高音振膜400远离所述安装环凸223的一侧，所述安装环凸223的外周连接有较所述安装环凸223向远离所述导磁板110的方向凸设的限位环凸224，所述盖体700被限位于所述限位环凸224的内侧。如此，有利于提升盖体700在第二子华司222上的安装稳定性，以保障发声器件的结构稳定性，另外，限位环凸224还可在装配盖体700时提供定位作用，有利于提升盖体700的装配便利性，从而能够提升发声器件的装配便利性。
89.进一步地，在本实施例中，盖体700的外周部通过胶粘的方式固定连接于第二子华司222，不失一般性，如图7所示，盖体700的外周部设置有多个间隔分布的涂胶槽705，涂胶槽705内的胶水能向盖体700和第二子华司222的连接处渗透，如此，能方便快捷地对盖体700和第二子华司222进行胶粘，并且，还能增大盖体700和第二子华司222的胶粘连接面积，以提升盖体700和第二子华司222的胶粘稳定性。
90.本发明还提出一种音频设备，该音频设备包括发声器件，该发声器件的具体结构
参照上述实施例，由于本音频设备采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。其中，音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。
91.以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。