电平，然后通过连接器14发送至开关控制单元3 ;TD-LTE基带同步装置I通过收发模块13接收来自DDS信号发生器2的频点数据获取信号，之后并依次通过电平转换模块12、收发模块13将该经过电平转换的载波频点数据发送至DDS信号发生器2。本实施例优选的，接口模块11采用型号为MINIPCIE 52PIN的接口芯片；电平转换模块12采用型号为ADG3308的电平转换芯片；收发模块13采用型号为SP3232ECA-L的收发芯片；连接器14模块采用型号为2.0B0X90的连接器14。
[0024]DDS信号发生器2包括依次连接的MCU 2UDDS电路模块22、变频器23、低通滤波模块24、混频模块25、高频滤波模块26和放大模块27 ；MCU 21还与TD-LTE基带同步装置I连接；放大模块27还与开关控制单元3连接。MCU 21驱动DDS电路模块22工作，负责初始化DDS电路，控制发送频点数据获取信号至TD-LTE基带同步装置1，并接收来自TD-LTE基带同步装置I的载波信号和载波频点数据，从而得到相应频点的载波信道信号，该相应频点的载波信道信号经过变频器23变为电压输出信号，由于其为低频信号，需要经过混频模块25混频后才能得到需要的高频信号，之后经过高频滤波模块26进行高频滤波，得到倍频信号，最后经过放大模块27进行信号放大得到最终的输出信号，再输出至开关控制单元3。
[0025]本实施例优选的，MCU 21的型号为STM32F100RC ；DDS电路采用型号为AD9910的DDS芯片；变频器23的型号为ADTl-1WT ;放大模块27采用型号为AG50的放大芯片。
[0026]另外，DDS信号发生器2中的低通滤波模块24包括电感L1、电感L2、电感L3、电容Cl、电容C2、电容C3和电容C4 ;电感LI的一端和电容Cl的一端均与变频器23连接；电感LI的另一端和电容C2的一端均与电感L2的一端连接；电感L2的另一端和电容C3的一端均与电感L3的一端连接；电感L3的另一端和电容C4的一端均与混频模块25连接；电容Cl的另一端、电容C2的另一端、电容C3的另一端、电容C4的另一端均接地。
[0027]TD-LTE功率放大器4包括两级推动放大器和末级放大器34，具体的，包括依次连接的衰减模块31、第一放大器32、第二放大器33、末级放大器34和隔离器35 ;衰减模块31还与开关控制单元3连接。上述的第一放大器32和第二放大器33均为推动放大器。来自DDS信号发生器2的载波信道信号经过TD-LTE功率放大器4进行一系列的功率放大后达到符合要求的功率，再经过隔离后输出。衰减模块31采用型号为HSMP-3866的衰减器；所述第一放大器32的型号为AG50 ;第二放大器33的型号为丽7IC2725NBR1 ;所述末级放大器34的型号为BLF7G27L-140 ;隔离器35的型号为ISOLATER。
[0028]本发明的TD-LTE基带同步装置I采用基带处理技术获取时隙信号和载波信道信号，同步精度更高，给系统时隙窄带精准屏蔽提供技术条件，同步下行屏蔽而不影响上行，不干扰基站，干扰源采用DDS技术，频率精准，自动获取载波屏蔽。
[0029]对本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及形变，而所有的这些改变以及形变都应该属于本发明新型权利要求的保护范围之内。
【主权项】
1.TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，包括TD-LTE基带同步装置、DDS信号发生器、开关控制单元和TD-LTE功率放大器；所述TD-LTE基带同步装置，用于接收时隙信号和载波信号，并将时隙信号发送至开关控制单元，将载波信号发送至DDS信号发生器，同时接收来自DDS信号发生器的频点数据获取信号从而根据数据获取信号将载波频点数据发送至DDS信号发生器；所述DDS信号发生器，用于根据该载波频点数据处理得到相应频点的输出信号，并将该输出信号发送至开关控制单元；所述开关控制单元，用于根据该时隙信号的高低电平实现开闭，以使当时隙信号为高电平时对输出信号进行传输至TD-LTE功率放大器，当时隙信号为低电平时对输出信号进行拦截；所述TD-LTE功率放大器，用于将来自开关控制单元的输出信号进行功率放大后通过天线进行输出。
2.如权利要求1所述的TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，所述TD-LTE基带同步装置包括接口模块、电平转换模块、收发模块和连接器模块；所述接口模块、电平转换模块和收发模块依次连接，所述和DDS信号发生器与收发模块连接，所述开关控制单元和电平转换模块均与连接器模块连接。
3.如权利要求2所述的TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，所述接口模块采用型号Sminipcie 52pin的接口芯片；所述电平转换模块采用型号为ADG3308的电平转换芯片；所述收发模块采用型号为SP3232ECA-L的收发芯片；所述连接器模块采用型号为2.0B0X90的连接器。
4.如权利要求1所述的TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，所述DDS信号发生器包括依次连接的MCU、DDS电路模块、变频器、低通滤波模块、混频模块、高频滤波模块和放大模块；所述MCU还与TD-LTE基带同步装置连接；所述放大模块还与开关控制单元连接。
5.如权利要求4所述的TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，所述MCU的型号为STM32F100RC ;所述DDS电路采用型号为AD9910的DDS芯片；所述变频器的型号为ADTl-1ffT ;所述放大模块采用型号为AG50的放大芯片。
6.如权利要求4所述的TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，所述低通滤波模块包括电感L1、电感L2、电感L3、电容Cl、电容C2、电容C3和电容C4 ;所述电感LI的一端和电容Cl的一端均与变频器连接；所述电感LI的另一端和电容C2的一端均与电感L2的一端连接；所述电感L2的另一端和电容C3的一端均与电感L3的一端连接；所述电感L3的另一端和电容C4的一端均与混频模块连接；所述电容Cl的另一端、电容C2的另一端、电容C3的另一端、电容C4的另一端均接地。
7.如权利要求1所述的TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，所述TD-LTE功率放大器包括依次连接的衰减模块、第一放大器、第二放大器、末级放大器和隔离器；所述衰减模块还与开关控制单元连接。
8.如权利要求7所述的TD-LTE下行信号干扰器，其特征在于，所述衰减模块采用型号为HSMP-3866的衰减器；所述第一放大器的型号为AG50 ;所述第二放大器的型号为MW7IC2725NBR1 ;所述末级放大器的型号为BLF7G27L-140 ;所述隔离器的型号为ISOLATER。
【专利摘要】本发明涉及TD-LTE下行信号干扰器，包括TD-LTE基带同步装置、DDS信号发生器、开关控制单元和TD-LTE功率放大器；TD-LTE基带同步装置，用于接收时隙信号并将时隙信号发送至开关控制单元，同时接收来自DDS信号发生器的频点数据获取信号从而将载波频点数据发送至DDS信号发生器；DDS信号发生器用于根据该载波频点数据处理得到输出信号，并将该输出信号发送至开关控制单元；开关控制单元用于根据该时隙信号的高低电平实现开闭，以使当时隙信号为高电平时对输出信号进行传输至TD-LTE功率放大器；TD-LTE功率放大器用于将来自开关控制单元的输出信号功率放大后进行输出。本发明根据当前网络信息，获取载波信号，自动准确屏蔽与系统载波相同的信道，只干扰下行而不影响基站通信正常。
【IPC分类】H04K3-00
【公开号】CN104753625
【申请号】CN201510157604
【发明人】吴麓峰, 蒋俊荣, 于平, 吴金字
【申请人】深圳市唐诚兴业科技有限公司
【公开日】2015年7月1日
【申请日】2015年4月3日