音膜结构及采用该音膜结构的发声器件的制作方法

文档序号:9712070阅读:426来源:国知局
音膜结构及采用该音膜结构的发声器件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及音响设备领域,具体涉及一种音膜结构及采用该音膜结构的发声器件。
【背景技术】
[0002]近年来,随着科技的发展,尤其是移动通信技术的飞速进展,越来越多的移动电子设备出现在人们的日常生活中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及多功能媒体播放器已成为人们不可或缺的生活用品。而在这些移动电子设备中,语音播放装置是其内部必不可少的部件,语音质量的高低直接影响用户使用这些移动电子设备时的用户体验。
[0003]音膜结构作为语音的播放装置,其结构设计直接影响语音播放质量。相关技术中的音膜结构包括磁路系统和振动系统,在振动系统中,当磁路系统驱动振动系统振动发声时,磁路系统的多个元件处于悬置状态,使其在振动系统的振动过程中产生摇摆,在不同程度上的提高了发声器件的的共振频率fo,从而影响发声器件的性能。

【发明内容】

[0004]为了解决上述技术问题,本发明提供一种降低共振频率fo的音膜结构及采用该音膜结构的发声器件。
[0005]本发明提供的音膜结构包括球顶和配重圈,所述配重圈固定在所述球顶上。
[0006]在本发明提供的音膜结构的一种较佳实施例中,所述配重圈采用密度范围为2-23g/cm3的高密度材料制成。
[0007]在本发明提供的音膜结构的一种较佳实施例中,所述球顶包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述配重圈固定在所述第一表面或第二表面上。
[0008]在本发明提供的音膜结构的一种较佳实施例中,所述第一表面包括第一环形凹槽,所述配重圈嵌设于所述第一环形凹槽内。
[0009]在本发明提供的音膜结构的一种较佳实施例中,所述配重圈与所述第二表面粘接固定。
[0010]在本发明提供的音膜结构的一种较佳实施例中,所述第二表面包括第二环形凹槽,所述配重圈包括相互连接的连接部和延伸部,所述连接部嵌设于所述第二环形凹槽,所述配重圈通过所述连接部与所述球顶连接,所述延伸部远离所述连接部的一端凸出于所述第二表面。
[0011]在本发明提供的音膜结构的一种较佳实施例中,所述连接部和所述延伸部一体注塑成型。
[0012]本发明提供的发声器件包括振动系统,所述振动系统包括如上述实施例中任意一项所述的音膜结构以及驱动所述音膜结构运动的音圈。
[0013]在本发明提供的发声器件的一种较佳实施例中,所述配重圈嵌设于所述第一表面的第一环形凹槽内,所述音圈与所述第二表面连接。
[0014]在本发明提供的发声器件的一种较佳实施例中,所述配重圈设于所述第二表面,所述音圈与所述配重圈远离所述球顶的一端连接。
[0015]相较于相关技术,本发明提供的音膜结构及采用该音膜结构的发声器件在球顶第一表面和第二表面的其中一方设置配重圈,其中设置于第二表面的配重圈与音圈连接,并且配重圈采用密度范围为2-23g/cm3的高密度材料制成,配重圈与球顶通过嵌入或粘接固定,该结构再不影响频带宽度的同时,降低了共振频率fo,从而保证了发声器件的性能。
【附图说明】
[0016]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
[0017]图1是本发明提供的音膜结构第一种实施例的立体结构图;
[0018]图2是沿图1所示音膜结构A-A线的剖面图;
[0019]图3是本发明提供的音膜结构第二种实施例的立体结构图;
[0020]图4是沿图3所示音膜结构B-B线的剖面图;
[0021]图5是本发明提供的音膜结构第三种实施例的立体结构图;
[0022]图6是沿图5所示音膜结构C-C线的剖面图。
【具体实施方式】
[0023]下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
[0024]本发明揭示一种发声器件,所述发声器件包括磁路系统和振动系统,所述磁路系统驱动所述振动系统振动发声。
[0025]请一并参阅图1和图2,其中,图1是本发明提供的音膜结构第一种实施例的立体结构图;图2是沿图1所示音膜结构A-A线的剖面图。所述振动系统1包括音膜结构11和音圈13,所述音圈13的端部固定于所述音膜结构11 ο所述音膜结构11包括球顶111和配重圈113,所述球顶111包括远离所述音圈13的第一表面1111和与第一表面1111相对的第二表面1113,所述配重圈113与所述第二表面1113连接。
[0026]进一步的,所述配重圈113的一端连接于所述第二表面1113,所述配重圈113的另一端与所述音圈13的端部连接。
[0027]具体的,所述配重圈113与所述第二表面1113粘接固定。
[0028]请一并参阅图3和图4,其中,图3是本发明提供的音膜结构第二种实施例的立体结构图;图4是沿图3所示音膜结构Β-Β线的剖面图。所述振动系统2包括音膜结构21和音圈23,所述音圈23的端部固定于所述音膜结构21。所述音膜结构21包括球顶211和配重圈213,所述球顶211包括远离所述音圈23的第一表面2111和与第一表面2111相对的第二表面2113,所述配重圈213与所述第二表面2113连接。
[0029]进一步的,所述第二表面2113包括第二环形凹槽21131,所述配重圈213包括互相连接的连接部2131和延伸部2133,所述连接部2131嵌设于所述第二环形凹槽21131,所述配重圈213通过所述连接部2131与所述球顶211连接,所述延伸部2133远离所述连接部2131的一端凸出于所述第二表面2113。所述音圈23连接于延伸部2133的远离连接部2131的端部上。
[0030]在本实施例中,所述连接部2131的端面面积大于和所述延伸部2133的端面面积,使得所述配重圈213的截面呈T形,并且,所述连接部2131和所述延伸部2133—体注塑成型。
[0031]请一并参阅图5和图6,其中,图5是本发明提供的音膜结构第二种实施例的立体结构图;图6是沿图5所示音膜结构C-C线的剖面图。所述振动系统3包括音膜结构31和音圈33,所述音圈33固定于所述音膜结构31 ο所述音膜结构31包括球顶311和配重圈313,所述球顶311包括远离所述音圈33的第一表面3111和与第一表面3111相对的第二表面3113,所述配重圈313与所述第一表面3111连接。
[0032]进一步的,所述第一表面3111包括第一环形凹槽31111,所述配重圈313嵌设于所述第一环形凹槽31111内。音圈33与第二表面3113固定连接。
[0033]在上述三种实施例中,所述配重圈均采用高密度材料制成,具体的,高密度材料的密度范围为2-23g/cm3;并且所述配重圈可以是一个整体的环形结构,或者由若干部分配合组成的环形结构。
[0034]综上所述,本发明提供的音膜结构及采用该音膜结构的发声器件在球顶第一表面和第二表面的其中一方设置配重圈,其中设置于第二表面的配重圈与音圈连接,并且配重圈采用密度范围为2-23g/cm3的高密度材料制成,配重圈与球顶通过嵌入或粘接固定,该结构再不影响频带宽度的同时,降低了共振频率fo,从而保证了发声器件的性能。
[0035]以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其它相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种音膜结构,其特征在于,所述音膜结构包括球顶和配重圈,所述配重圈固定在所述球顶上。2.根据权利要求1所述的音膜结构,其特征在于,所述配重圈采用密度范围为2-23g/cm3的高密度材料制成。3.根据权利要求1所述的音膜结构,其特征在于,所述球顶包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,所述配重圈固定在所述第一表面或第二表面上。4.根据权利要求3所述的音膜结构,其特征在于,所述第一表面包括第一环形凹槽,所述配重圈嵌设于所述第一环形凹槽内。5.根据权利要求3所述的音膜结构,其特征在于,所述配重圈与所述第二表面粘接固定。6.根据权利要求3所述的音膜结构,其特征在于,所述第二表面包括第二环形凹槽,所述配重圈包括相互连接的连接部和延伸部,所述连接部嵌设于所述第二环形凹槽,所述配重圈通过所述连接部与所述球顶连接,所述延伸部远离所述连接部的一端凸出于所述第二表面。7.根据权利要求6所述的音膜结构,其特征在于,所述连接部和所述延伸部一体注塑成型。8.—种发声器件,包括振动系统,其特征在于,所述振动系统包括如利要求1-7项中任意一项所述的音膜结构以及驱动所述音膜结构运动的音圈。9.根据权利要求8所述的发声器件,其特征在于,所述配重圈嵌设于所述第一表面的第一环形凹槽内,所述音圈与所述第二表面连接。10.根据权利要求8所述的发声器件,其特征在于,所述配重圈设于所述第二表面,所述音圈与所述配重圈远离所述球顶的一端连接。
【专利摘要】本发明涉及一种音膜结构。所述音膜结构包括球顶和配重圈,所述配重圈固定在所述球顶上。本发明通过将配重圈嵌入或粘接固定于球顶上,该结构在不影响频带宽度的同时,降低了共振频率f0,从而保证了发声器件的性能。
【IPC分类】H04R9/06, H04R9/02
【公开号】CN105472513
【申请号】CN201610011971
【发明人】马利鵬, 令狐荣林, 于忠良
【申请人】瑞声光电科技(常州)有限公司
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2016年1月7日
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