一种x波段6位高性能核心芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种X波段6位高性能核心芯片，所述芯片为GaAs MMIC T/R 6位核心芯片，该芯片电路结构包括6位移相器电路、6位衰减器电路、射频开关电路、串行输入寄存器控制电路；电路中采用微带线进行了匹配网络的设计，芯片中间采用梯度的孔径模型；本实用新型提供的核心芯片相移范围宽、增益调节范围宽、集成度高，可广泛应用于雷达、基站、仪表仪器等产品中，提高产品的使用性能。
【专利说明】
一种X波段6位高性能核心芯片
技术领域
[0001]本实用新型属于无线通信技术领域，尤其涉及一种X波段核心芯片。
【背景技术】
[0002]根据频率划分，毫米波一般指的是波长介于Imm?1mm的电磁波，微波/毫米波电路从20世纪40年代的波导立体电路，到20世纪60年代的平面混合集成电路，到20世纪70年代后的单片电路、多芯片模块混合集成电路，逐渐演变到21世纪集成多种单片功能的多功能模块，系统进一步朝小型化方向发展。小型化是电子技术和系统发展的必然趋势，小型化的微波/毫米波电路在国民经济建设和国防建设中必将发挥越来越重要的作用。
[0003]随着无线通信的发展，多功能核心芯片得到了广泛的应用，如雷达基站信号收发系统、测试仪表仪器。在此前提下，人们对于核心芯片提出了越来越高的要求，如高度集成、高性能等。核心芯片是用作射频信号处理的器件，应用于雷达、基站、仪表仪器等产品。因此，高度集成、高性能的核心芯片，对于提高系统性能起到了关键性的作用。
【实用新型内容】
[0004]为了进一步提高核心芯片的使用性能和集成度，本实用新型提供了一种X波段6位高性能核心芯片;本实用新型是通过一下技术方案实现的:
[0005]—种X波段6位高性能核心芯片，所述芯片为GaAs MMIC T/R 6位核心芯片，该芯片电路结构包括6位移相器电路、6位衰减器电路、射频开关电路、串行输入寄存器控制电路；所述射频开关电路包括顺序连接的射频开关SW3、SWl、SW2;所述6位移相器电路包括6位移相器PHS、移相模块ATl、移相模块AT2;所述6位衰减器电路包括6位衰减器ATT、衰减模块Al、衰减模块A2、衰减模块A3;所述串行输入寄存器控制电路包括信号输入端口 RX_IN、信号输出端口 TX_0UT和接口 COM ；
[0006]所述6位移相器电路和6位衰减器电路与射频开关电路连接;6位移相器电路和6位衰减器电路通过射频开关电路控制运行；
[0007]所述信号输入端口RX_IN、信号输出端口 TX_0UT、接口 COM均连接在射频开关电路上。
[0008]进一步的是，所述芯片使用无拐角的不同线宽的微带线来匹配各级中间电路。
[0009]进一步的是，所述该芯片上设有锥形通孔，所述通孔正面孔径为80um，背面孔径为150umo
[0010]进一步的是，该芯片为裸片封装，输入和输出端口匹配阻抗为50Ω;输入和输出端口采用直径25um金丝作为键合线与封装管脚连接。
[0011]进一步的是，该芯片长度为4580μπι，宽度为3630μπι，厚度为ΙΟΟμπι。
[0012]本实用新型的有益效果在于:采用高性能的6位移相器和6位衰减器将X波段信号的衰减、移相以及寄存功能集成在同一芯片电路中，相移范围宽、增益调节范围宽，集成度高，采用微带线进行了匹配网络的设计，输入输出均匹配到50欧姆;芯片中间采用梯度的孔径模型，可以使芯片更好的接地;本实用新型提供X波段6位高性能核心芯片可广泛应用于雷达、基站、仪表仪器等广品中，提尚广品的使用性能。
【附图说明】
[0013]图1为该芯片的功能框图；
[0014]图2为该芯片的物理参数示意图；
[0015]图3为该芯片的一种装配示意图；
[0016]图4为该芯片的通孔结构俯视图；
[0017]图5为该芯片的通孔结构主视图。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图对本实用新型作进一步具体说明:
[0019]如图1所示，一种X波段6位高性能核心芯片，所述芯片为GaAs MMIC T/R6位核心芯片，该芯片包括电路结构和接口垫;所述电路结构包括6位移相器电路、6位衰减器电路、射频开关电路、串彳丁输入寄存器控制电路;所述射频开关电路包括顺序连接的射频开关SW3、SWl、SW2;所述6位移相器电路包括6位移相器PHS、移相模块ATl、移相模块AT2;所述6位衰减器电路包括6位衰减器ATT、衰减模块Al、衰减模块A2、衰减模块A3;所述串行输入寄存器控制电路包括信号输入端口 RX_IN、信号输出端口 TX_0UT和接口 COM ；
[0020]所述6位移相器电路和6位衰减器电路与射频开关电路连接;6位移相器电路和6位衰减器电路通过射频开关电路控制运行；
[0021 ]所述信号输入端口 RX_IN、信号输出端口 TX_0UT、接口 COM均连接在射频开关电路上；
[0022]所述芯片使用无拐角的不同线宽的微带线来匹配各级中间电路。
[0023]芯片通过信号输入端口RX_IN接收到射频信号，通过射频开关电路控制进入6位移相器电路，经过一次或多次移相后进入6位衰减器电路，经过3次衰减后，信号进入射频开关电路，传送到信号输出端口 TX_0UT，输出信号;6位移相器具有插入损耗小、移相精度高，驻波低的优点，6位衰减器具有衰减精度高、承受功率大、可靠性高等优点。
[0024]如图2及图3所示，该芯片长度为4580μπι，宽度为3630μπι，厚度为ΙΟΟμπι;芯片右端每个压点尺寸均为100Χ 100um2，该芯片为裸片封装，输入和输出端口匹配阻抗为50 Ω ;输入和输出端口采用直径25um金丝作为键合线与封装管脚连接，键合线应尽量短。
[0025]如图4和图5所示，该芯片在中部设有通孔，该孔径正面为SOum，背面孔径为150um，芯片通过通孔连接正反两面，芯片背面既是直流地也是交流地，保证芯片背面与系统之间保持良好的射频接地连接。
[0026]应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。
【主权项】
1.一种X波段6位高性能核心芯片，所述芯片为GaAsMMIC T/R 6位核心芯片，其特征在于，该芯片电路结构包括6位移相器电路、6位衰减器电路、射频开关电路、串行输入寄存器控制电路;所述射频开关电路包括顺序连接的射频开关SW3、Sffl、SW2;所述6位移相器电路包括6位移相器PHS、移相模块ATl、移相模块AT2;所述6位衰减器电路包括6位衰减器ATT、衰减模块Al、衰减模块A2、衰减模块A3;所述串行输入寄存器控制电路包括信号输入端口 RX_IN、信号输出端口 TX_OUT和接口 COM ； 所述6位移相器电路和6位衰减器电路与射频开关电路连接;6位移相器电路和6位衰减器电路通过射频开关电路控制运行； 所述信号输入端口 RX_IN、信号输出端口 TX_0UT、接口 COM均连接在射频开关电路上。2.根据权利要求1所述的X波段6位高性能核心芯片，其特征在于，所述芯片使用无拐角的不同线宽的微带线来匹配各级中间电路。3.根据权利要求1所述的X波段6位高性能核心芯片，其特征在于，所述该芯片上设有锥形通孔，所述通孔正面孔径为SOum，背面孔径为150um ο4.根据权利要求1所述的X波段6位高性能核心芯片，其特征在于，该芯片为裸片封装，输入和输出端口匹配阻抗为50 Ω;输入和输出端口采用直径25um金丝作为键合线与封装管脚连接。5.根据权利要求1所述的X波段6位高性能核心芯片，其特征在于，该芯片长度为4580μm，宽度为3630μηι，厚度为ΙΟΟμπι。
【文档编号】H04B1/40GK205670769SQ201620597436
【公开日】2016年11月2日
【申请日】2016年6月17日
【发明人】罗力伟, 王祈钰
【申请人】四川益丰电子科技有限公司