专利名称：多晶硅还原炉的制作方法
技术领域：
多晶硅还原炉技术领域本发明涉及一种多晶硅还原炉，主要是用三氯氢硅和氢气在加热的硅芯上 进行化学气相沉积生产多晶硅的还原炉。
背景技术：
目前,国内外生产多晶硅的主要工艺技术是"改良西门子法"用氯气和氢 气合成氯化氢，氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进 行分离精馏提纯，提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后通入多晶硅还原 炉内，在一定的温度和压力下，在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅， 反应温度控制在1080摄氏度左右，最终生成棒状多晶硅产品，同时生成四氯化 硅、二氯二氢硅、氯化氢等副产物。多晶硅还原炉是"改良西门子法"生产多晶硅的主要设备，由底盘、含夹 套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气 管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水 出水管及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产 品的污染。发明内容本发明的目的是提供一种多晶硅还原炉，该多晶硅还原炉单炉产量比现有 的多晶硅还原炉单炉产量有大幅度提升。本发明多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、 视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水 出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管、连接硅芯与电极的石墨夹头
及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产品的污 染，每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上，混和气进气管分为数个喷口均匀的设置在底盘上，其特征是在还原炉底盘上均匀布置24对电极。该种还原炉每批次产量较现有的还原炉有大幅度的提升，每公斤多晶硅的 电耗相应降低，多晶硅的综合生产成本和能耗也相应降低。
以下附图结合说明书具体的说明本发明，但本发明不限定于这些附图中所 展示出的具体形态。图1为该多晶硅还原炉主视图。图2为24对电极多晶硅还原炉底盘俯视图。
具体实施方式
本发明涉及的多晶硅还原炉主视图如图1所示，1为含夹套冷却水的钟罩 式双层炉体，2为视镜孔，3为底盘，4为底盘冷却水进水管，5为底盘冷却水 出水管，6为混和气进气管，7为进气管喷口， 8为混和气尾气出气管，9为炉 体冷却水进水管，IO为炉体冷却水出水管，11为连接硅芯与电极的石墨夹头， 12为电极，13为硅芯，14为夹套冷却水导流板，准备生产时，在底盘3上的各 对电极12上安装好连接硅芯与电极的石墨夹头11并安装好硅芯13 ，再把含夹 套冷却水的钟罩式双层炉体1吊装安装在底盘3上，进行气密性试验，确认不 漏气后，通过电极12对硅芯13通电加热，控制温度至1080摄氏度，通过进 气管喷口 7喷出的三氯氢硅和氢气的混合气在高温通电硅芯13上进行化学气相 沉积反应，最终生成棒状多晶硅产品。本发明涉及的多晶硅还原炉底盘俯视图如图2所示，7为进气管喷口， 8为
混和气尾气出气管，12为电极，在还原炉底盘上分别均匀布置24对电极。
权利要求多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产品的污染，每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上，混和气进气管分为数个喷口分布设置在底盘上，其特征是在还原炉底盘上均匀布置24对电极。
专利摘要多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管、及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产品的污染，混和气进气管分为数个喷口均匀的设置在底盘上，其特征是在还原炉底盘上分别均匀布置24对电极，该种多晶硅还原炉单台炉每批次产量较现有的还原炉产量有大幅度的提升。
文档编号C30B29/06GK201214631SQ20082010559
公开日2009年4月1日 申请日期2008年4月20日 优先权日2008年4月20日
发明者朱青松, 王存惠 申请人:徐州东南多晶硅材料研发有限公司