不随温度、工艺变化的无过冲快速预充电电路的制作方法

文档序号:8202888阅读:241来源:国知局
专利名称:不随温度、工艺变化的无过冲快速预充电电路的制作方法
技术领域
本发明涉及LED装饰照明领域,特别是一种不随温度、工艺变化的无过冲快速预 充电电路。
背景技术
现有技术中的LED驱动电路由输出恒流电路、预充电电路和外置LED构成。如图2 所示,输出恒流电路由比较器(comparator)和输出管Mo组成,比较器的正极接输入参考电 压Vref,输出接输出管Mo的栅极,比较器的负极接输出管Mo的源极,再通过一个电阻Ro连 接到地。输出管Mo的漏极接外部电路的LED负极,LED的正极接外部电源。而预充电电路 是由第一场效应管Ml构成,其栅极连接数字控制信号,漏极接电源线,源极连接输出管Mo 的栅极。当LED恒流驱动器在P丽信号的控制下驱动外部LED电流流通时,由于内部比较 器的响应速度不够快,为了提高输出信号的slew rate,会增加一个预充电电路,快速的将A 点电压提高,使输出管Mo马上打开。但是,由于输出管Mo的特性是随着工艺、温度变化的, A点电压需要跟随这些特性变换,否则会造成A点电压预充过高或者过低。在A点预充电压 过高的情况下,流过LED的电流Io会有一个过冲(见图3),严重时会烧毁LED ;在A点预充 电压过低时,LED的电流会缓慢的达到预定值(见图4),这样会降低电路的控制精度,达不 到输出灰阶精度要求。

发明内容
本发明所要解决的技术问题是,针对上述现有技术现状,而提供一种不随温度、工 艺变化的无过冲快速预充电电路,它会使得流过LED的电流Io既没有过冲又能够快速达到 预定值,提高了电路的控制精度,达到输出灰阶精度要求。 本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为一种不随温度、工艺变化的无过 冲快速预充电电路,其特征在于由第一场效应管Ml、第二场效应管M2、第三场效应管M3、 时序控制开关Sl和电阻Rl组成,所述时序控制开关Sl —端与第二场效应管M2的栅极电 连接,另一端与第一场效应管M1的栅极电连接; 所述第一场效应管M1的漏极接电源,其源极接输出场效应管Mo的栅极;所述第二 场效应管M2的栅极与漏极相连,且漏极电连接一恒流源;第二场效应管M2的源极电连接第 三场效应管M3的漏极,第三场效应管M3的漏极与栅极相连,第三场效应管M3的源极通过 电阻R1接地。 与现有技术相比,本发明的优点在于,由于第三场效应管M3管模拟输出管Mo的栅 端电压Vgs3,将Vgs3作为预充电压赋值给Vgso,由于第三场效应管M3及输出管Mo都是在 同一个芯片内部,其栅端电压Vgs共同受温度、工艺角影响提高或降低,用Vgs3做过冲驱动 电压即可补偿输出管Mo管在温度、工艺角下的特性,会使得流过LED的电流Io既没有过冲 又能够快速达到预定值,提高了电路的控制精度,达到输出灰阶精度要求。


图l是本发明的电路图;
图2是现有技术的电路图; 图3是现有技术中过冲时A点预充电压与流过LED电流的示意图;
图4现有技术中过缓时A点预充电压与流过LED电流的示意图;
图5本发明的A点预充电压与流过LED电流的示意图。
具体实施例方式
下面根据实施例和附图对本发明作进一步详细说明。 如图1、5所示,一种不随温度、工艺变化的无过冲快速预充电电路,由第一场效应 管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3、时序控制开关S1和电阻R1组成,所述时序控制 开关S1 —端与第二场效应管M2的栅极电连接,另一端与第一场效应管M1的栅极电连接;
所述第一场效应管M1的漏极接电源,其源极接输出场效应管Mo的栅极;所述第二 场效应管M2的栅极与漏极相连,且漏极电连接一恒流源;第二场效应管M2的源极电连接第 三场效应管M3的漏极,第三场效应管M3的漏极与栅极相连,第三场效应管M3的源极通过 电阻R1接地。
本发明的工作原理如下 如图1、5所示,LED驱动电路由输出恒流电路、预充电电路和外置LED构成。输出 恒流电路由比较器(comparator)和输出管Mo组成,比较器的正极接输入参考电压Vref, 输出接输出管Mo的栅极,比较器的负极接输出管Mo的源极,再通过一个电阻Ro连接到地。 输出管Mo的漏极接外部电路的LED负极,LED的正极接外部电源。而预充电电路是由第一 场效应管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3、时序控制开关S1和电阻R1组成,第一场 效应管Ml的栅极连接时序开关Sl,漏极接电源线,源极连接输出管Mo的栅极,输出管Mo的 漏极连接外部的LED灯; 第三场效应管M3管模拟输出管Mo的栅端电压Vgs3,将Vgs3作为预充电压赋值给 Vgso ,由于第三场效应管M3及输出管Mo都是在同一个芯片内部,其栅端电压Vgs共同受温 度、工艺角影响提高或降低,用Vgs3做过冲驱动电压即可补偿输出管Mo在温度、工艺角下 的特性。此外,为了将Vgs3电压赋值给输出管Mo作为预充电时的钳制电压,在第三场效应 管M3与输出管Mo的栅极上加上一个电流镜结构的第一场效应管M1、第二场效应管M2,在 预充电阶段,第一场效应管M1管会将输出管Mo的栅极电压快速充电,当VA电压达到Vgs3 时,由于第一场效应管Ml的Vgs减小,输出充电电流也减小,基本不对输出管Mo管充电,当 电路预充电结束时,逻辑电路会断开第一场效应管M1、第二场效应管M2管的栅极连接,并 把第一场效应管M1的栅极接地,停止预充电,而此时输出管Mo栅极电压VA已经被稳定的 充到预期值。仿真结果证明,该结构极好的保证了 LED充电的速度,并且不会带来过大的过 冲电流。 本发明根据输出电流及输出管Mo特性改变的预充电电路,电路内部会根据工艺 角的偏差,动态的调整A点电压,使在不同温度、工艺角下预充电路都会快速的将输出电流 锁定在预期值。
权利要求
一种不随温度、工艺变化的无过冲快速预充电电路,其特征在于由第一场效应管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3、时序控制开关S1和电阻R1组成,所述时序控制开关S1一端与第二场效应管M2的栅极电连接,另一端与第一场效应管M1的栅极电连接;所述第一场效应管M1的漏极接电源,其源极接输出场效应管Mo的栅极;所述第二场效应管M2的栅极与漏极相连,且漏极连接一恒流源;第二场效应管M2的源极电连接第三场效应管M3的漏极,第三场效应管M3的漏极与栅极相连,第三场效应管M3的源极通过电阻R1接地。
全文摘要
一种不随温度、工艺变化的无过冲快速预充电电路,由第一场效应管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3、时序控制开关S1和电阻R1组成,S1一端与M2的栅极电连接,另一端与M1的栅极电连接;M1的漏极接电源,其源极接Mo的栅极;M2的栅极与漏极相连,且漏极连接一恒流源;M2的源极电连接M3的漏极,M3的漏极与栅极相连,M3的源极通过电阻R1接地。其优点在于,由于Mo管与模拟Mo管的M3管都在同一芯片内,栅端电压Vgs共同受温度、工艺角影响,用Vgs3做过冲驱动电压即可补偿Mo管的特性,会使得流过LED的Io既没有过冲又能够快速达到预定值,提高了电路的控制精度,达到输出灰阶精度要求。
文档编号H05B37/02GK101702847SQ20091021089
公开日2010年5月5日 申请日期2009年11月13日 优先权日2009年11月13日
发明者叶兆屏, 姚瑞琨, 林斌斌 申请人:无锡灿星科技有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1