专利名称：形成隔离的敷形屏蔽区的系统和方法
技术领域：
本发明的实施例大体涉及敷形涂层，且更具体而言，涉及用于形成用于电气系统 的图案化的敷形结构的方法和设备。
背景技术：
近年来，电子装置领域中的技术进步经历了很大的增长。例如，虽然移动电话正变 得更小及更轻，但是它们的特征和能力同时也在扩展。这就引起了存在于这样的装置中的 电气构件的复杂性和操作的提高，以及用于这样的构件的可用空间的量的降低。电气构件 的复杂性的这种提高以及可用空间的量的降低引起了若干挑战。例如，电路板的大小的减 小在电路板上导致了增大的拥堵。可用空间的减少的量以及其上的电路构件的增大的拥堵引起了关于构件之间的 射频和电磁干涉(即，RFI与EMI)的挑战。也就是说，许多电子构件发射电磁辐射，这可导 致与其它相邻的电路板构件发生干涉以及不利地影响整个电路组件的性能。因此，已使用 屏蔽件来防止这样的构件造成这样的干涉。还可期望屏蔽件来分离电路板/电路组件上的 以不同的电势运行的区域。最常见的RFI/EMI屏蔽件是盒型屏蔽件，其由折叠的或者冲压的金属(即金属罐、 金属箔覆层等)构成、轮廓设置成以便配合在PC板上或者配合在PC板上的单独的电路构 件上。必须在电路板上分配空间以便容纳这些盒型屏蔽件，这会减少用于其它构件的可用 空间。也就是说，传统的盒型屏蔽件体积大且占用很大量的空间和体积，该空间和体积的大 部分是电路板与屏蔽件之间的未使用的空气间隙。这可增加电子装置(例如移动电话)的 总体厚度。作为盒型屏蔽件的一种备选方案，最近已经实现了敷形型式的屏蔽件，以用于屏 蔽电路组件以及屏蔽其上的单独的电路构件。通常，这样的屏蔽件由设置在电路组件上的 电介质层和金属层形成。在施用金属层之前将掩膜层施用在电介质层的部分之上，使得“图 案化的”金属层可形成于对应于电路组件的电路构件的电介质层上。然而，使用这样的掩膜 层有其限制。也就是说，对于在其上具有非常紧凑地封装的电路构件的电路组件，对于准确 地施用/形成图案化的金属层而言，掩膜层的施用可能不会足够精确。因此，将期望的是设计可关于具有紧密地封装的电路构件的电路组件来实施的图 案化的敷形结构及其制造方法。该设计因而将允许有对于传统的盒式屏蔽件而言不可能的 更加紧密的构件封装密度。将进一步期望的是提供用于制造图案化的敷形结构的高效的方 法，该方法可在图案化金属层以形成敷形屏蔽结构时消除对掩膜层的使用。
发明内容
本发明的实施例通过提供用于电气系统的图案化的敷形结构及其制造方法而克 服了前述缺点，该图案化的敷形结构为紧密地封装的电路板构件提供了防止RF和/或EM 干涉的隔离的屏蔽。
根据本发明的一方面，敷形结构包括定位在电气系统上的电介质涂层，该电气系 统具有安装在其上的电路构件，该电介质涂层成形为符合电气系统的表面并且在其中具有 定位在电气系统的表面上的接触垫之上的多个开口。该敷形结构还包括铺设在电介质涂层 上以及接触垫上的导电涂层，使得在导电涂层与接触垫之间形成电连接。该电介质涂层和 导电涂层具有通过它们而形成的多个交迭的路径开口，以便隔离期望的电路构件或者电路 构件组之上的敷形结构的相应的屏蔽区。根据本发明的另一方面，一种形成图案化的敷形结构的方法包括将敷形绝缘涂层 施用到电气系统的步骤，该电气系统包括电路基底和安装在其上的多个电路构件。该方法 还包括以下步骤将敷形金属层沉积在绝缘涂层上，以及通过绝缘涂层和金属层激光消融 多个路径开口，以便将敷形绝缘涂层和金属层分离成定位在期望的电路构件或者电路构件 组之上的隔离的屏蔽区。根据本发明的又一方面，一种形成图案化的敷形结构的方法包括以下步骤将电 绝缘涂层施用到电路板上，该电路板具有安装在其上的多个电路构件；以及邻近电路板上 的多个接触垫中的各个在电绝缘涂层中形成接触垫开口。该方法还包括以下步骤将导电 层沉积在电绝缘涂层之上以及邻近该多个接触垫中的各个的接触垫开口中，以及激光消融 导电层和电绝缘涂层，以便在多个选定的电路构件中的各个或者电路构件组之上形成隔离 的导电层屏蔽区。根据结合附图提供的对本发明的优选实施例的以下详细描述，这些和其它优点和 特征将更加容易理解。
附图显示了当前构思的用于实施本发明的优选实施例。在图中图1是根据本发明的一个实施例的形成于经组装的印刷电路板上的图案化的敷 形结构的透视图。图2是根据本发明的一个实施例的图案化的敷形结构的截面图。图3A是根据本发明的一个实施例的图案化的敷形结构的俯视图。图3B是根据本发明另一实施例的图案化的敷形结构的俯视图。图4-6是根据本发明的一个实施例的制造的各个步骤中的图案化的敷形结构的 截面图。部件列表10图案化的敷形结构12电路组件14电路基底16电路构件17钎焊掩膜18电介质层19 顶面20 开口
4
22接触垫
23接地平面
24金属层
25封装馈通
26屏蔽结构
27路径
28互连
具体实施例方式本发明的实施例提供了图案化的敷形屏蔽结构。该结构描述为敷形的，因为其形 成为符合或者适应该结构施用于其上的物品的形状。虽然以下关于与印刷电路板(PCB) — 起使用来描述，但是还构想了本发明的敷形屏蔽结构可结合其它电气系统以及电子装置来 使用。参看图1，显示了根据本发明的图案化的敷形结构10的透视图。该图案化的敷形 结构10与电路基底14-诸如印刷电路板(PCB)、柔性PCB、刚柔性PCB或多芯片模块以及设 置在电路基底14上的电路构件16 —起形成电路组件12的一部分。图案化的敷形结构10 设置在电路基底14和电路构件16上，以便关于构件和电路基底的至少一部分相符合。根 据本发明的一个实施例，所产生的图案化的敷形结构10通过选择性地屏蔽单独的电路构 件16或者构件组为电路组件12提供局部屏蔽。虽然关于与电路基底14和电路构件16 — 起使用来描述，但是还构想了图案化的敷形结构10可定位在对于RF和EM干涉敏感的其它 电气系统之上。根据本发明的另一个实施例，图案化的敷形结构10进一步提供了用于电路 组件12的、可在电路组件12中起电气路径和/或热路径的作用的互连。图案化的敷形结构10在其中包括电介质层18和金属层24，金属层24为电路构件 16提供保护而使其免受内部源和外部源干扰因素的影响，以及为电路组件12提供电气路 径和/或热路径。也就是说，图案化的敷形结构10在其中包括局部分组的屏蔽结构26 (即， 分离的屏蔽区)，它们由延伸通过电介质层18和金属层24的激光切割的路径27限定/分 离。屏蔽结构/屏蔽区26保护电路构件16免受射频(RF)干涉、电磁(EM)干涉、静电放电 以及环境因素(诸如水分、灰尘和环境污染)的影响。根据本发明的实施例，图案化的敷形 结构10的局部分组的屏蔽结构26符合电路构件16或者电路构件组，使得各个构件16受 到保护和屏蔽而免受来自电路组件12的其它构件16或来自外部源的潜在干涉的影响。根 据本发明的一个实施例，除了为选择性的构件16提供局部屏蔽之外，图案化的敷形结构10 还包括可例如起作用以便将屏蔽区26连接到地或者用作用于改善电路组件12中的散热的 热路径的互连(未显示)。现在参看图2，根据本发明的一个实施例，显示了电路组件12和图案化的敷形结 构10的截面图。图案化的敷形结构10由可适配于该图案化的敷形结构10设置于其上的电 路基底14和电路构件16(例如电阻器、集成电路组件、电容器、电感器等。)的形状的适应 性材料形成。根据本发明的一个实施例，将钎焊掩膜17施用到电路基底14的表面上。图 案化的敷形结构10包括电介质层或涂层18(即，电绝缘层)，电介质层或涂层18定位在电 路基底14的顶面19和定位在该顶面上的电路构件16附近且形成于它们之上。电介质层18与电路构件16发生接触，从而有助于保护电路基底14上的构件和电路的其它部分免于 电短路。电介质层18可由这样的任何电绝缘材料形成该电绝缘材料可制成为符合电路组 件12的形状，且在一个实施例中，包括可紫外(UV)固化的聚合物，诸如，例如，Dymax公司 生产的UV光固化敷形涂层。然而，还构想到的是，还可使用其它合适的环氧树脂涂层或硅 基涂层来形成电介质层18。在电路组件12上沉积电介质层18时，可采用喷涂工艺。这样 的施用工艺提供了电介质涂层18在电路组件12上的可控制的和可再生的沉积，从而允许 控制该电介质层的厚度。然而，还构想的是，可使用浸涂工艺将电介质层18沉积在电路组 件12上，或者可通过热成型工艺施用和成形电介质层18。重要的是，通过以上技术中的一 种将电介质涂层18沉积在电路组件12上产生了具有均勻的厚度且无针孔的涂层。根据本发明的一个实施例，多个开口 20形成于电介质涂层18中，以便暴露位于 电路基底14上的接触垫22，且根据一个实施例，暴露从电路基底14向上延伸的封装馈通 (feed thru) 25 (例如，穿透硅通孔)。暴露接触垫22和封装馈通25允许将图案化的敷形 结构10电联接到电路基底14的接地平面23上。在一个示例性实施例中，开口 20通过激 光钻孔工艺形成。也就是说，激光被引导到接触垫22和封装馈通25上方的电介质涂层上 的点，以便钻过(即，烧掉)定位在其之上的任何电介质材料。还认识到，暴露接触垫22还 允许制造者在形成电介质层18之后测试电路组件12。在已经允许电介质层固化之后且在开口 20形成之后，使导电层24形成于电介质 层18的顶部上。导电层24由导电且导热的材料组成，并且可由金属材料(例如，诸如铜， 银或者镍)形成，以便为电路组件12提供局部的RF和EM屏蔽，并且用作电路组件12中的 电气路径/热路径。根据一个示例性实施例，导电层24为金属微粒涂层的形式，该涂层通 过喷施而施用到电介质层18上。备选地，导电层24可通过溅射或者镀覆工艺来施用。虽 然本文中以下被称为金属层24，但是还预想了其它合适的材料也可用来形成图案化的层， 诸如金属浸渍的环氧树脂或充有金属的涂料，并且将理解的是，用语图案化的金属层包括 这样的变型和等效物。还预想的是，金属层24可通过沉积多个层(未显示)来形成，以便 在金属层24和电介质层18之间提供更好的粘附(例如，邻近电介质层的钛层以及该钛层 上的通过溅射或者镀覆工艺形成的铜层)，并且提供改进的屏蔽特性。虽然金属层24最初施用为连续层(诸如通过喷涂工艺(或者备选地通过溅射或 者镀覆工艺))，但随后对金属层24进行图案化，使得其采用不连续层的形式，如图2所示。 也就是说，金属层24图案化为形成了用于电路组件12的构件16的局部的屏蔽结构26。如 图2中所示，各个屏蔽结构26通过或者接触垫22或者封装馈通25电连接到地，以便提供 屏蔽。屏蔽结构26可提供高导热性热平面，以用于电路组件12的传导或者对流冷却，其中 接触垫22和/或封装馈通25用作从电路基底14或构件16到屏蔽结构26的导热件。根据本发明的实施例，对金属层24进行图案化以便形成屏蔽结构26是通过激光 消融(即，激光切割)工艺进行的。如图2中所示，激光消融工艺在电介质层18和金属层 24上执行，使得电介质层18和金属层24中的各个被图案化成包括多个交迭的路径开口 27 ( S卩，路径竖直地向下通过电介质层18和金属层24而形成)。根据本发明的一个实施例， 路径开口 27还向下延伸通过钎焊掩膜17，向下到达电路基底14。还预想了路径开口 27可 进一步形成为向下延伸通过电路基底14的一部分。仍然参看图2，电介质层18和金属层24中的激光切割的路径开口 27形成为使金属层24的片块彼此隔离，从而在电路组件12的电路构件16之上限定局部的/隔离的屏蔽 结构26 (即，隔离的屏蔽区/片块)。各个路径开口 27具有这样的宽度该宽度足以恰当 地使相邻的电路构件16和相邻的屏蔽区26彼此隔离，并且足够狭窄以便容易地形成于紧 密地封装的电路构件之间。根据一个示例性实施例，例如，路径开口可因此被激光切割为具 有大约25至500微米的宽度，但是也可基于电路构件16在基底14上的布置密度来激光切 割其它更宽或者更窄的宽度的路径开口。另外，认识到，基于路径开口的期望的宽度，各个 路径开口 27可通过单次激光切割形成，或者通过激光的多次移过(即，多次激光切割)来 形成。根据本发明的一个实施例，除了通过激光消融形成屏蔽结构26，还可通过激光消 融形成互连28。也就是说，可使用激光切割工艺来在电介质层18和金属层24中形成路径 开口 27，以限定通过开口 20与电路基底14(和接触垫22)接触的互连28。因此可限定互 连28，以便在电路组件12中提供电气路径和/或热路径。现在参看图3A和3B，提供了电路组件12的俯视图。如图3A所示，多个激光切割 的路径开口 27形成于金属层24和电介质层18中，以便使金属层24的区域彼此分离，从而 在电路组件12的电路构件16或电路构件组(图1和2)之上限定隔离的屏蔽区26。因此， 根据图3A所示的实施例，可形成三个不同的屏蔽区26，例如，它们可通过接触垫22(图2) 电连接至电路基底14。现在参看图3B，根据本发明的另一实施例，各个路径开口 27呈环绕 金属层24的片块的闭环路径的形式，从而在电路组件12的电路构件16或电路构件组(图 1和2)之上限定了隔离的屏蔽区26。例如，隔离的屏蔽区26可通过封装馈通25 (图2)电 连接至电路基底14。在图3A和3B的实施例中的各个中，各个屏蔽区26借助于路径开口 27的隔离有助于保护和屏蔽各个电路构件或电路构件组免受来自电路组件12的其它构件 16的潜在的干涉，从而使电路构件之间的串扰最小。现在转到图4-6，根据本发明的一个实施例，示出了在制造/形成图案化的敷形结 构_诸如图1-3中显示的敷形结构10的示例性工艺30中制成的渐进的结构。如图4中所 示，该工艺开始于步骤32，在步骤32处，将电介质层/涂层18施用到电路基底14和电路构 件16-例如，电阻器、集成电路组件、电容器、电感器等(电介质层/涂层18设置在该基底 及构件上)上。电介质层18(即，电绝缘层)定位成邻近电路基底14的顶面19和定位在 其上的电路构件16并且形成于它们之上，并且与电路构件16发生接触，以便有助于保护电 路基底14上的构件和电路的其它部分免于电短路。电介质层18可由可制成符合电路组件 12的形状的任何电绝缘材料形成，并且在一个实施例中，包括可紫外(UV)固化的聚合物， 诸如，例如，由Dymax公司生产的UV光固化敷形涂层。然而，还预想了，也可使用其它合适 的环氧树脂涂层或硅基涂层来形成电介质层18。在步骤32中将电介质层18沉积在电路组 件12上时，可采用喷涂工艺，以便提供电介质涂层18在电路组件12上的可控制的和可再 生的沉积，从而允许控制电介质层的厚度。然而，还预想了可使用浸涂工艺在电路组件12 上沉积电介质层18，或者电介质层18可通过热成型工艺来施用及成形。重要的是，通过以 上技术中的一种在电路组件12上沉积电介质涂层18会导致具有均勻的厚度且无针孔的涂 层。同样在步骤32中，开口 20形成于电介质层18中，以暴露位于电路基底14上的接 触垫22，且根据一个实施例，暴露已形成为从电路基底14和/或构件16起向上延伸的封装馈通25。暴露接触垫22和封装馈通25允许敷形结构10 (即，金属层24)电联接到电路基 底14的接地平面23上，如将在图5-6中所阐述的。在一个示例性实施例中，在步骤32中 通过激光钻孔工艺形成开口 20。也就是说，激光被引导到接触垫22和封装馈通25上方的 电介质涂层上的点处，以便钻过(即，烧掉)定位在其之上的任何电介质材料。现在参看图5，在电介质层18中形成开口 20以及开口 20固化之后，工艺30在步 骤34处继续，在该步骤中，将金属层24施用到电介质层18上以及在开口 20内施用金属层 24。该金属层24由导电且导热的材料组成，且可由铜，银或镍形成，或者备选地由金属浸渍 的环氧树脂或者充有金属的涂料形成，以便为电路组件12提供局部的RF和EM屏蔽，并且 用作电路组件12中的电气互连和热路径。根据该工艺的一个示例性实施例，通过喷施将金 属层24施用到电介质层18，并且由此金属层24呈金属微粒涂层或涂料的形式。备选地，构 想了可通过溅射或者镀覆工艺施用导电层24。将金属层24施用到电介质层18上，使得其 至少具有以便提供均勻的和完整的金属覆盖的最小厚度(例如，l"2kA)，并且提供电路组 件12的足够的RF和EM屏蔽。虽然在图5中显示为通过金属材料的单次喷施形成为单层， 但是还认识到金属层24可通过两步骤的工艺来形成。也就是说，可如以上所阐述通过喷施 来增加薄的第一金属层，且然后可通过另一次喷施对第一金属层增加第二金属层，以便增 大总体金属层24的厚度，从而在敷形结构10中提供改进的屏蔽。除了沉积在电介质层18之上，金属层24还沉积在开口 20中，以便与接触垫22 (和 封装馈通25)形成电连接。金属层24和接触垫22/封装馈通25之间的该电连接提供了图 案化的敷形结构10到电路基底14的联接，并且提供了增强的屏蔽，以便降低进入或者离开 受保护的区域的RF发射。现在参看图6，在工艺30的下一步骤中，在步骤36中图案化电介质层18和金属 层24。更具体地讲，电介质层18和金属层24在步骤36中被激光消融或者激光切割，以形 成通过其中的多个路径开口 27，这些路径开口 27向下延伸(通过钎焊掩膜17)到电路基 底14。形成电介质层18和金属层24中的激光切割的路径开口 27，以便使金属层24的片 块彼此隔离，从而在电路组件12的电路构件16之上限定隔离的屏蔽区26。根据本发明的 一个实施例，各个路径开口可被激光切割为具有大约25到500微米的宽度。了解到，步骤 36可包括单个激光切割步骤，以形成各个路径开口 27，或者可包括多个激光切割步骤(即， 激光的多次移过)，以便形成各个路径开口 27。在单个或者多个步骤中形成各个路径开口 27可基于电路组件12的设计要求，诸如用于控制串扰等的金属层24的相邻的元件之间的 期望的距离。根据本发明的一个实施例，可在步骤36中执行对金属层24的另外的激光切 割，以便在电路组件12中形成互连28或者提供电气布线和/或热路径的区域。在步骤36完成之后，所得到的图案化的金属层24因此呈现不连续层的形式，且可 在其中包括屏蔽部分26 (即，屏蔽区)和电气/热路径或者互连28。有益的是，屏蔽部分 26的选择性的形成允许在电路基底14上的构件16 (或者构件组)周围形成隔离的法拉第 氏罩。此外，充当导热件的互连28的形成提供了与屏蔽区26分离的结构，其可用作用于对 电路组件12进行额外的传导或者对流冷却的高导热性热平面。虽然已仅仅结合有限数量的实施例详细地描述了本发明，但是将容易地理解的 是，本发明不限于这样的所公开的实施例。相反，可修改本发明，以便结合在此之前尚未描 述但是与本发明的精神和范围相称的任何数量的变型，备选方案，替代物或等效布置。另外，虽然已描述了本发明的多个实施例，但是将理解的是，本发明的各方面可仅仅包括所描 述的实施例中的一些。因此，本发明不应视为由前述描述所限制，而是仅受所附的权利要求 书的范围限制。因此，根据本发明的一个实施例，敷形结构包括定位在电气系统上的电介质涂层， 电气系统具有安装在其上的电路构件，该电介质涂层成形为符合该电气系统的表面，并且 在其中具有定位在电气系统的表面上的接触垫之上的多个开口。该敷形结构还包括导电涂 层，该导电涂层铺设在电介质涂层和接触垫上，使得电连接形成于导电涂层和接触垫之间。 电介质涂层和导电涂层具有通过其中而形成的多个交迭的路径开口，以便隔离期望的电路 构件或电路构件组之上的敷形结构的相应的屏蔽区。根据本发明的另一实施例，一种形成图案化的敷形结构的方法包括将敷形绝缘涂 层施用到电气系统上的步骤，该电气系统包括电路基底和安装在其上的多个电路构件。该 方法还包括以下步骤在绝缘涂层上沉积敷形金属层，以及通过绝缘涂层和金属层激光消 融多个路径开口，以便将敷形绝缘涂层和金属层分离成定位在期望的电路构件或电路构件 组之上的隔离的屏蔽区。根据本发明的又一实施例，一种形成图案化的敷形结构的方法包括以下步骤将 电绝缘涂层施用到电路板上(该电路板具有安装在其上的多个电路构件)，以及邻近电路 板上的多个接触垫中的各个在电绝缘涂层中形成接触垫开口。该方法还包括以下步骤在 电绝缘涂层之上以及在邻近该多个接触垫中的各个的接触垫开口中沉积导电层，以及激光 消融导电层和电绝缘涂层，以便在多个选定的电路构件中的各个或者电路构件组之上形成 隔离的导电层屏蔽区。声明为新的且希望受到专利保护的内容见权利要求书。
权利要求
一种敷形结构(10)，包括定位在电气系统(12)上的电介质涂层(18)，所述电气系统(12)具有安装在该电气系统(12)上的电路构件(16)，所述电介质涂层(18)成形为符合所述电气系统(12)的表面，并且在该电介质涂层(18)中具有定位在所述电气系统的表面上的接触垫(22)之上的多个开口(20)；以及导电涂层(24)，该导电涂层(24)铺设在所述电介质涂层(18)上和所述接触垫(22)上，使得在所述导电涂层(24)与所述接触垫(22)之间形成电连接；其中，所述电介质涂层(18)与所述导电涂层(24)具有通过它们形成的多个交迭的路径开口(27)，以便隔离期望的电路构件(16)或电路构件(16)组之上的所述敷形结构的相应的屏蔽区(26)。
2.根据权利要求1所述的敷形结构(10)，其特征在于，所述电路构件中的各个之上的 相应的屏蔽区(26)包括所述电路构件之上的所述电介质涂层(18)及所述导电涂层(24) 的隔离的片块。
3.根据权利要求1所述的敷形结构(10)，其特征在于，所述多个交迭的路径开口(27) 中的各个包括环绕该敷形结构的相应的屏蔽区(26)的闭环路径。
4.根据权利要求1所述的敷形结构(10)，其特征在于，所述导电涂层(24)包括微粒金 属喷涂层、溅射的金属涂层以及镀覆的金属涂层中的一种。
5.根据权利要求1所述的敷形结构(10)，其特征在于，所述多个交迭的路径开口(27) 中的各个具有介于大约25与500微米之间的宽度。
6.根据权利要求1所述的敷形结构(10)，其特征在于，所述多个交迭的路径开口(27) 包括激光切割的路径开口。
7.根据权利要求1所述的敷形结构(10)，其特征在于，所述敷形结构(10)还包括定位 在所述电介质涂层(18)与所述电气系统(12)的表面之间的钎焊层(17)，并且，其中，所述 钎焊层(17)包括通过该钎焊层(17)而形成的、与所述电介质涂层和导电涂层(18，24)中 的所述多个交迭的路径开口(27)相交迭的多个路径开口(27)。
8.根据权利要求1所述的敷形结构(10)，其特征在于，所述电气系统(12)包括印刷电 路板(PCB)、柔性PCB、刚柔性PCB以及模块中的一种。
9.根据权利要求1所述的敷形结构(10)，其特征在于，所述敷形结构(10)还包括从所 述电气系统(12)延伸到所述隔离的屏蔽区(26)中的各个的封装馈通(25)，从而使所述隔 离的屏蔽区(26)电接地至所述电气系统(12)。
10.根据权利要求1所述的敷形结构(10)，其特征在于，所述导电涂层(24)包括第一金属涂层，该第一金属涂层铺设在所述电介质涂层(18)上和所述多个开口(20)中，使得在所述第一金属涂层与所述接触垫(22)之间形成电连接；和铺设在所述第一金属涂层上的第二金属涂层。
全文摘要
本发明涉及形成隔离的敷形屏蔽区的系统和方法。公开了形成用于电气系统(12)的图案化的敷形结构(10)的系统和方法。该敷形结构包括定位在电气系统上的电介质涂层(18)，该电气系统具有安装在其上的电路构件(16)，该电介质涂层成形为符合电气系统的表面，并且在其中具有定位在电气系统的表面的接触垫(22)之上的多个开口(20)。该敷形结构还包括导电涂层(24)，导电涂层铺设在电介质涂层上和接触垫(22)上，使得在导电涂层与接触垫之间形成电连接。电介质涂层和导电涂层具有通过其中而形成的多个交迭的路径开口(27)，以便隔离期望的电路构件或电路构件组之上的敷形结构的相应的屏蔽区(26)。
文档编号H05K9/00GK101932223SQ20101021931
公开日2010年12月29日 申请日期2010年6月22日 优先权日2009年6月22日
发明者C·J·卡普斯塔, D·P·坎宁安 申请人:通用电气公司