专利名称：高性能led恒流驱动电路的制作方法
技术领域：
本实用新型 涉及电学领域，尤其涉及电子电路，特别是一种高性能LED恒流驱动 电路。
技术背景现有技术中，LED恒流驱动电路中的驱动MOS管采用高压工艺时，需要利用可控硅 或者高压MOS管做静电放电保护(ESD保护)。采用可控硅或者高压MOS管时，工艺均较复 杂，也浪费芯片面积，且驱动MOS管长期工作的可靠性不理想。
发明内容本实用新型的目的在于提供一种高性能LED恒流驱动电路，所述的这种高性能 LED恒流驱动电路要解决现有技术中采用可控硅或者高压MOS管为LED恒流驱动电路中的 驱动MOS管做静电放电保护方法中工艺复杂、浪费芯片面积、长期工作可靠性不理想的技 术问题。本实用新型的这种高性能LED恒流驱动电路由一个高压驱动MOS管、一个低压恒 流MOS管和一个ESD保护电路构成，其中，所述的高压驱动MOS管的源端与所述的低压恒流 MOS管的漏端连接，低压恒流MOS管的源端与地电位连接，所述的ESD保护电路由低压器件 构成，所述的ESD保护电路的一端与高压驱动MOS管的漏端连接，ESD保护电路的另一端与 地电位连接。进一步的，所述的ESD保护电路由低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二极 管或三极管或场管、或者由击穿电压低于高压驱动MOS管的耐压稳压二极管构成。具体的，本实用新型中所述的低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二极管或 三极管或场管、或者由击穿电压低于高压驱动MOS管的耐压稳压二极管均采用现有技术中 的公知技术，有关上述公知技术方案，本领域的技术人员均已了解，在此不再赘述。本实用新型的工作原理是高压驱动MOS管特有的PN结比较深，电流相对较分散， PN结局部温度相对较不会过高；高压驱动MOS管击穿电压高，低压器件构成的ESD保护电 路的击穿电压低，更易实现对高压驱动MOS管的ESD保护，以提高LED恒流驱动电路的可靠 性，及长期工作的稳定性。同时，低压器件构成的ESD保护电路本身面积小，实现成本较低。本实用新型和已有技术相比较，其效果是积极和明显的。本实用新型利用低压器 件构成的ESD保护电路，击穿电压低，更易实现对高压驱动MOS管的ESD保护，以提高LED 恒流驱动电路的可靠性，及长期工作的稳定性。同时，低压器件构成的ESD保护电路本身面 积小，实现成本较低。
图1是本实用新型的高性能LED恒流驱动电路的原理示意图。图2是本实用新型的高性能LED恒流驱动电路的一个实施例的示意图。[0011]图3是本实用新型的高性能LED恒流驱动电路的另一个实施例的示意图。图3是本实用新型的高性能LED恒流驱动电路的又一个实施例的示意图。
具体实施方式
实施例1 如图1所示，本实用新型的高性能LED恒流驱动电路，由一个高压驱动MOS管1、一 个低压恒流MOS管2和一个ESD保护电路3构成，其中，所述的高压驱动MOS管1的源端与 所述的低压恒流MOS管2的漏端连接，低压恒流MOS管2的源端与地电位连接，所述的ESD 保护电路3由低压器件构成，所述的ESD保护电路3的一端与高压驱动MOS管1的漏端连 接，ESD保护电路3的另一端与地电位连接。进一步的，所述的ESD保护电路3由低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二 极管或三极管或场管、或者由击穿电压低于高压驱动MOS管1的耐压稳压二极管构成。具体的，本实用新型中所述的低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二极管或 三极管或场管、或者由击穿电压低于高压驱动MOS管1的耐压稳压二极管均采用现有技术 中的公知技术，有关上述公知技术方案，本领域的技术人员均已了解，在此不再赘述。如图2所示，ESD保护电路3由一个低压MOS管构成。如图3所示，ESD保护电路3由一个低压NPN三极管构成。如图4所示，ESD保护电路3由一个低压二极管构成。本实用新型的工作过程是高压驱动MOS管1特有的PN结比较深，电流相对较分 散，PN结局部温度相对较不会过高；高压驱动MOS管1击穿电压高，低压器件构成的ESD保 护电路3的击穿电压低，更易实现对高压驱动MOS管1的ESD保护，以提高LED恒流驱动电 路的可靠性，及长期工作的稳定性。同时，低压器件构成的ESD保护电路3本身面积小，实 现成本较低。
权利要求一种高性能LED恒流驱动电路，由一个高压驱动MOS管、一个低压恒流MOS管和一个ESD保护电路构成，其特征在于所述的高压驱动MOS管的源端与所述的低压恒流MOS管的漏端连接，低压恒流MOS管的源端与地电位连接，所述的ESD保护电路由低压器件构成，所述的ESD保护电路的一端与高压驱动MOS管的漏端连接，ESD保护电路的另一端与地电位连接。
2.如权利要求1所述的高性能LED恒流驱动电路，其特征在于所述的ESD保护电路 由低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二极管或三极管或场管、或者由击穿电压低于 高压驱动MOS管的耐压稳压二极管构成。
专利摘要一种高性能LED恒流驱动电路，由一个高压驱动MOS管，一个低压恒流MOS管和一个ESD保护电路构成，高压驱动MOS管的源端与低压恒流MOS管的漏端连接，低压恒流MOS管的源端与地电位连接，ESD保护电路由低压器件构成，ESD保护电路的一端与高压驱动MOS管的漏端连接，ESD保护电路的另一端与地电位连接。ESD保护电路由低压MOS管、或者由低压CMOS工艺实现的二极管或三极管或场管、或者由击穿电压低于高压驱动MOS管的耐压稳压二极管构成。保护电路的击穿电压低，更易实现对高压驱动MOS管的ESD保护，以提高LED恒流驱动电路的可靠性，及长期稳定性。低压器件构成的保护电路面积小，实现成本较低。
文档编号H05B37/02GK201629884SQ201020138628
公开日2010年11月10日 申请日期2010年3月23日 优先权日2010年3月23日
发明者张怀东 申请人:上海丰芯微电子有限公司