专利名称：逆变器功率模块的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种逆变器，尤其是指一种逆变器功率模块。
背景技术：
现有的逆变器功率模块，例如用于电力机车牵引系统中的辅助逆变器功率模块， 其主要器件包括有IGBT模块、吸收电容、滤波电容和控制板块模组等，上述主要器件安装于一壳体之内而构成一逆变器功率模块。由于逆变器功率模块的外形尺寸具有一定的限制，且主要器件的外形也具有特定的尺寸和形状，故而，各主要器件于壳体中的布局尤为重要，其布局合理与否，直接影响着功率模块的性能和使用寿命。习见的逆变器功率模块，一般均将IGBT模块设置于壳体的中间处，而吸收电容、 滤波电容、控制板块模组、输入端子组、输出端子组和进风口的位置布局则各有不同。一种常见的布局方式为将吸收电容设置于壳体的侧端面处，这样，造成吸收电容距离设于壳体中间处的IGBT模块较远，降低了吸收效果。在另一种常见的布局方式中，进风口形成于壳体的前端面上，而控制板块模组则设置于壳体的侧端面处，这样，控制板块模组远离了进风口，环境温度偏高，影响其使用寿命。
发明内容本实用新型在于解决现有逆变器功率模块所存在的主要器件布局不合理而影响功率模块性能和使用寿命的技术问题，提供一种保证功率模块性能和使用寿命的逆变器功率模块。为解决上述技术问题，本实用新型采用如下所述的技术方案一种逆变器功率模块，其包括有一壳体，所述壳体形成有一容置空间，其中设置有IGBT模块、吸收电容、滤波电容、输入端子组、输出端子组和控制板块模组，所述IGBT模块设置于所述容置空间的中央处，所述吸收电容设置于所述IGBT模块的上方处。上述逆变器功率模块中，所述滤波电容设置于所述吸收电容的上方处。上述逆变器功率模块中，所述输入端子组设于所述容置空间的前部处。上述逆变器功率模块中，所述输出端子组设于所述容置空间的右部处。上述逆变器功率模块中，所述滤波电容为薄膜电容。上述逆变器功率模块中，所述滤波电容的两侧处各设有一其上形成有至少一第一穿孔的安装板，所述容置空间中位于所述滤波电容的两侧处各设有一其上形成有至少一第二穿孔的支撑架，两安装板分别置放于相应的支撑架，使用螺丝穿过第一穿孔和相应的第二穿孔并于其上螺合螺母。 上述逆变器功率模块中，对应于所述壳体的进风口处形成有一控制板块模组置放位，所述控制板块模组插设于所述控制板块模组置放位中。上述逆变器功率模块中，所述壳体的进风口形成于所述壳体的左侧处。上述逆变器功率模块中，所述壳体的下方处设置有一采用铝合金材料制备的散热器。上述逆变器功率模块中，所述IGBT模块通过导热胶而设置于所述散热器之上。本实用新型的有益技术效果在于该逆变器功率模块将吸收电容设于IGBT模块的上方处，使得吸收电容距离IGBT模块最近，提高了吸收电容的吸收效果，保证了功率模块的性能；更进一步地，将控制板块模组设置于壳体的进风口处，由于进风口处为整个功率模块中的环境温度最低处，如此，可避免过高的环境温度对于控制板块模组的影响，延长功率模块的使用寿命。
图1是本实用新型的结构示意图。图2是本实用新型的另一角度的结构示意图。
具体实施方式
为使本领域的普通技术人员更加清楚地理解本实用新型的目的、技术方案和优点，
以下结合附图和实施例对本实用新型做进一步的阐述。如图1和图2所示，本实用新型所公开的逆变器功率模块包括有一壳体10，该壳体 10形成有一容置空间100，以用于收纳布置IGBTansulated Gate Bipolar Transistor) 模块20、吸收电容30、滤波电容40、输入端子组50、输出端子组60和控制板块模组70。IGBT模块20设置于该壳体10的容置空间100的中央处，而将吸收电容30设于该 IGBT模块20的上方处，两个一组的吸收电容30对应两个一组的IGBT模块20，如此布置方式，使得吸收电容30距离IGBT模块20最近，提高了吸收电容30的吸收效果，保证了功率模块的性能。滤波电容40可采用薄膜电容，其设置于吸收电容30的上方处，将输入端子组50 设于容置空间100的前部处，而输出端子组60则设于容置空间100的右部处，这样，输入端子组50更为接近滤波电容40，使得滤波电容40的滤波效果更为显著。参阅附图，于滤波电容(薄膜电容)40的两侧处各设置有一安装板400，该安装板 400上形成有至少一第一穿孔401，而于该容置空间100中位于滤波电容40的两侧处各设有一支撑架101，该支撑架101上形成有至少一第二穿孔102，该滤波电容40的两安装板 400分别置放于相应的支撑架101，使用螺丝穿过第一穿孔401和相应的第二穿孔102并于其上螺合螺母，从而实现滤波电容40的固定安装。壳体10的进风口 103形成于壳体10的左侧处，对应于该进风口 103处形成有一控制板块模组置放位104，将该控制板块模组70插设于该控制板块模组置放位104中。由于进风口 103处为整个功率模块中的环境温度最低处，如此布局，可避免过高的环境温度对于控制板块模组70的影响，延长控制板块模组70的使用寿命。见附图所示，该壳体10的下方处设置有一散热器80，以用于将逆变器功率模块工作时所产生的热量散发出去，起到降温之作用。优选地，该散热器80选用由铝合金材料制备的金属散热器。一般地，设置于壳体10的容置空间100中的IGBT模块20通过导热胶而设置于该散热器80之上，以利于将IGBT模块20工作所产生的热量及时传导出去，避免热量于该壳体10内积累而形成过高温度的环境。综上所述，本实用新型所公开的逆变器功率模块的主要器件的布局较为合理，例如将吸收电容30设于该IGBT模块20的上方处，使得吸收电容30距离IGBT模块20最近， 以提高吸收电容30的吸收效果，而将控制板块模组70设置于壳体10的进风口 103处，使得控制板块模组70处于壳体10内的最低环境温度处，以延长控制板块模组70的使用寿命， 通过主要器件的合理布局，而保证逆变器功率模块的工作性能，并延长其使用寿命。以上所述仅为本实用新型的优选实施例，而非对本实用新型做任何形式上的限制。本领域的技术人员可在上述实施例的基础上施以各种等同的更改和改进，凡在权利要求范围内所做的等同变化或修饰，均应落入本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种逆变器功率模块，包括有一壳体(10)，所述壳体(10)形成有一容置空间(100)， 其中设置有IGBT模块(20)、吸收电容(30)、滤波电容(40)、输入端子组(50)、输出端子组 (60)和控制板块模组(70)，其特征在于所述IGBT模块00)设置于所述容置空间(100) 的中央处，所述吸收电容(30)设置于所述IGBT模块00)的上方处。
2.如权利要求1所述的逆变器功率模块，其特征在于所述滤波电容GO)设置于所述吸收电容(30)的上方处。
3.如权利要求1所述的逆变器功率模块，其特征在于所述输入端子组(50)设于所述容置空间(100)的前部处。
4.如权利要求3所述的逆变器功率模块，其特征在于所述输出端子组(60)设于所述容置空间(100)的右部处。
5.如权利要求2所述的逆变器功率模块，其特征在于所述滤波电容00)为薄膜电容。
6.如权利要求5所述的逆变器功率模块，其特征在于所述滤波电容00)的两侧处各设有一其上形成有至少一第一穿孔(401)的安装板G00)，所述容置空间(100)中位于所述滤波电容GO)的两侧处各设有一其上形成有至少一第二穿孔(102)的支撑架(101)，两安装板(400)分别置放于相应的支撑架(101)，使用螺丝穿过第一穿孔(401)和相应的第二穿孔(102)并于其上螺合螺母。
7.如权利要求1所述的逆变器功率模块，其特征在于对应于所述壳体(10)的进风口 (103)处形成有一控制板块模组置放位(104)，所述控制板块模组(70)插设于所述控制板块模组置放位(104)中。
8.如权利要求7所述的逆变器功率模块，其特征在于所述壳体(10)的进风口(103) 形成于所述壳体(10)的左侧处。
9.如权利要求1所述的逆变器功率模块，其特征在于所述壳体(10)的下方处设置有一采用铝合金材料制备的散热器(80)。
10.如权利要求9所述的逆变器功率模块，其特征在于所述IGBT模块00)通过导热胶而设置于所述散热器(80)之上。
专利摘要本实用新型公开一种逆变器功率模块，其包括有一壳体，所述壳体形成有一容置空间，其中设置有IGBT模块、吸收电容、滤波电容、输入端子组、输出端子组和控制板块模组，所述IGBT模块设置于所述容置空间的中央处，所述吸收电容设置于所述IGBT模块的上方处。该逆变器功率模块将吸收电容设于IGBT模块的上方处，使得吸收电容距离IGBT模块最近，提高了吸收电容的吸收效果，保证了功率模块的性能。
文档编号H05K7/20GK202168003SQ20112025271
公开日2012年3月14日 申请日期2011年7月18日 优先权日2011年7月18日
发明者唐传明, 尹雄桂, 沈建华 申请人:深圳市英威腾交通技术有限公司