专利名称：一种3mm波段屏蔽腔体的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种屏蔽腔体，具体涉及一种用于3_波段的屏蔽腔体。
背景技术：
微波和毫米波电路，无论是有源电路还是无源电路，一般都需要放置在屏蔽腔体中，以避免电路产生的辐射干扰其它电路。通常要求屏蔽腔体的截止频率高于微波或毫米波电路的工作频率，避免在屏蔽腔体内产生波导模式恶化电路的性能(包括产生有害谐振，恶化带内增益平坦度，恶化隔离度等)。然而，随着工作频率的提高，屏蔽腔体的尺寸变得越来越小，以至于无法安装电路。为了有足够的空间安装电路，在3mm波段电路的屏蔽腔体的截止频率一般都在工作频率以下。通常采用在屏蔽腔体的内部加载吸波材料的方法，减小屏蔽腔体内电路辐射的影响。然而，由于吸收材料的加入，会增加电路的损耗；此外，由于吸收材料吸收效率有限，这种方法对电路性能的改善有限。
发明内容
发明目的本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种能有效减小电路辐射的影响，避免屏蔽腔体内产生波导模式恶化电路的性能，同时又有足够的空间安放电路的3mm波段的屏蔽腔体。技术方案本发明所述的一种3mm波段屏蔽腔体，包括盖腔和底座，所述盖腔扣合在所述底座上，所述底座上面设置有安放电路板的凹槽，所述盖腔底面在与所述凹槽相对应的位置设置有底面宽度与所述凹槽宽度相同的空腔，所述空腔内部设有两组或两组以上关于所述空腔轴线横向对称的金属齿组，所述金属齿组位于所述空腔的顶面和两个侧面上并且沿所述空腔的轴向等距离分布；通过优化金属齿的外形尺寸及金属齿组之间的距离，使所述空腔不能满足3mm波段上电磁场传输和谐振所需要的边界条件，因此所述屏蔽腔体可以效减小电路辐射的影响，避免屏蔽腔体内产生波导模式恶化电路的性能。进一步，所述空腔内部截面宽度为3mm，高度为I. 5mm。进一步，所述金属齿组由两个外形尺寸相同的金属齿组成，所述金属齿的截面为矩形。进一步，所述金属齿的长、宽及厚度分别为1mm、Imm及O. 8mm。进一步，所述凹槽的深度为电路板的厚度。进一步，所述金属齿组间的距离为O. 5mm。本发明与现有技术相比，其有益效果是本发明能有效减小电路辐射的影响，避免屏蔽腔体内产生波导模式恶化电路的性能，同时又有足够的空间安放电路。
图I为本发明结构示意图。图2为本发明盖腔结构示意图。
图3为本发明底座结构示意图。
具体实施方式
下面对本发明技术方案进行详细说明，但是本发明的保护范围不局限于所述实施例。如图I至3所示的3mm波段屏蔽腔体采用铜材或者铝材制作，包括盖腔I和底座2两部分，所述盖腔I扣合在所述底座2上，所述底座2上面设置有安放电路板的凹槽3，所述凹槽3的深度为电路板的厚度，所述盖腔I底面在与所述凹槽3相对应的位置设置有底面宽度与所述凹槽3宽度相同的空腔4，所述空4内部截面宽度为3mm，高度为I. 5mm，所述空腔4内部设有八组关于所述空腔轴线横向对称的金属齿组5，所述金属齿组5位于所述空腔4的顶面和两个侧面上并且沿所述空腔4的轴向等距离分布，所述金属齿组5由两个外形尺寸相同的金属齿组成，所述金属齿的截面为矩形，所述金属齿的长、宽及厚度分别为
及O. 8mm,所述金属齿组5间的距离为O. 5_。如上所述，尽管参照特定的优选实施例已经表示和表述了本发明，但其不得解释为对本发明自身的限制。在不脱离所附权利要求定义的本发明的精神和范围前提下，可对其在形式上和细节上作出各种变化。
权利要求
1.一种3mm波段屏蔽腔体，其特征在于，包括盖腔和底座，所述盖腔扣合在所述底座上，所述底座上面设置有安放电路板的凹槽，所述盖腔底面在与所述凹槽相对应的位置设置有底面宽度与所述凹槽宽度相同的空腔，所述空腔内部设有两组或两组以上关于所述空腔轴线横向对称的金属齿组，所述金属齿组位于所述空腔的顶面和两个侧面上并且沿所述空腔的轴向等距离分布。
2.根据权利要求I所述的3mm波段屏蔽腔体，其特征在于，所述空腔内部截面宽度为3mm,高度为 I. 5mm。
3.根据权利要求I所述的3mm波段屏蔽腔体，其特征在于，所述金属齿组由两个外形尺寸相同的金属齿组成，所述金属齿的截面为矩形。
4.根据权利要求3所述的3mm波段屏蔽腔体，其特征在于，所述金属齿的长、宽及厚度分别为 1mm、Imm 及 O. 8mm。
5.根据权利要求I所述的3mm波段屏蔽腔体，其特征在于，所述凹槽的深度为电路板的厚度。
6.根据权利要求I所述的3mm波段屏蔽腔体，其特征在于，所述金属齿组间的距离为O.5mmο
全文摘要
本发明公开一种3mm波段屏蔽腔体，包括盖腔和底座，所述盖腔扣合在所述底座上，所述底座上面设置有安放电路板的凹槽，所述盖腔底面在与所述凹槽相对应的位置设置有底面宽度与所述凹槽宽度相同的空腔，所述空腔内部设有两组或两组以上关于所述空腔轴线横向对称的金属齿组，所述金属齿组位于所述空腔的顶面和两个侧面上并且沿所述空腔的轴向等距离分布；本发明能有效减小电路辐射的影响，避免屏蔽腔体内产生波导模式恶化电路的性能，同时又有足够的空间安放电路。
文档编号H05K9/00GK102638961SQ20121006325
公开日2012年8月15日 申请日期2012年3月12日 优先权日2012年3月12日
发明者崔寅杰, 徐杰, 童烨, 许正彬, 郭健, 钱澄 申请人:东南大学