用于减少与半导体淀积系统相关的反应室中的非所需淀积物的工艺和系统的制作方法

用于减少与半导体淀积系统相关的反应室中的非所需淀积物的工艺和系统的制作方法
【专利摘要】用于减少与半导体淀积系统相关的反应室内的非所需淀积物的工艺和系统。可以使清洁气体流过延伸穿过至少一个气体炉的至少一个气流路径，而且可以将已加热的清洁气体引入到反应室以从反应室内移除至少一部分非所需淀积物。
【专利说明】用于减少与半导体淀积系统相关的反应室中的非所需淀积
物的工艺和系统
【技术领域】
[0001]本发明的实施方式通常涉及用于减少半导体淀积系统中的非所需淀积物的工艺，以及执行此工艺的系统。更具体而言，本发明的实施方式包括用于减少与半导体淀积系统相关的反应室中的非所需淀积物的工艺和系统。
【背景技术】
[0002]淀积系统的清洁度是决定由该系统所淀积材料的质量的重要因素。例如，非所需淀积物在反应室内的积累可以导致其中所淀积材料质量的下降。
[0003]淀积系统可以包括氢化物气相外延(HVPE)系统，其用于半导体材料(例如III族氮化物)的淀积。在III族氮化物半导体材料的HVPE生长的情况下，非所需淀积物在反应室中积聚的原因可能在于具有高汽化温度的III族前体(例如GaCl)。因为III族前体的高汽化温度，在温度低于大约500°C时表面上可以出现非所需淀积。非所需淀积物在反应室中的积聚可能需要使用反应室清洁工艺移除全部或者至少大部分非所需淀积物。不能完成反应室的清洁可以导致其中所淀积的半导体材料质量的下降，其中部分的原因在于反应器微粒的增加。
[0004]反应室中的非所 需淀积也可以对相关的淀积系统的加热及冷却效率具有不利影响。例如，一些淀积系统中，反应室可以包括透明材料，例如透明石英，并且加热可以由来自穿过透明材料的灯源的红外(IR)照射完成。在反应室的表面上的非所需淀积物在本质上可以不透明，并且可以影响反应室的透射质量。由于石英室光学性质的改变，因此可能因为生长周期期间的IR吸收而出现反应室过热。
[0005]因此需要系统和方法来减少半导体淀积系统中非所需淀积物的形成。

【发明内容】

[0006]提供本
【发明内容】
以便以简化的形式引入精选的概念，这些概念在本发明的一些示例性实施方式的下面的具体描述中进一步进行描述。本
【发明内容】
并不旨在指明所保护主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限定所保护主题的范围。
[0007]在一些实施方式中，本公开包括用于控制与半导体淀积系统相关的反应室中的非所需淀积物的方法。实施方式的方法可以包括通过使清洁气体流过延伸穿过至少一个气体炉的至少一个气流路径来加热清洁气体。该方法还可以包括将清洁气体通过前体注入器引入反应室中，以及通过使清洁气体与非所需淀积物的部分反应以形成反应产物并通过排气通道从反应室排出反应产物，从而从反应室中移除非所需淀积物的至少一部分。
[0008]实施方式还可以包括用于控制与半导体淀积系统相关的反应室中的非所需淀积物的系统，该系统可以包括，清洁气体源，用于加热清洁气体的气体加热装置，该气体加热装置包括延伸穿过至少一个气体炉的至少一个气流路径，其中该至少一个气流路径包括具有蛇形结构的至少一个部段。该系统还可以包括至少基本上封闭的反应室，其由顶壁、底壁以及至少一个侧壁进行限定，该反应室与气体加热装置流体连通。
【专利附图】

【附图说明】
[0009]可以通过参考在所附附图中示出的示例性实施方式的下面的详细描述而更完整地理解本发明，其中:
[0010]图1是示意性地示出本发明的淀积系统的实施方式的实例的剖开立体图；
[0011]图2是示意性地示出本发明的气体加热装置的示例性实施方式；以及
[0012]图3是图示本发明的反应室的示例性实施方式的简化剖开立体图。
【具体实施方式】
[0013]本文中所示的附图并不意为任何特定系统、部件或设备的实际视图，而只是为描述本发明实施方式而使用的理想化的表示。
[0014]如同本文所使用的，术语“II1-V半导体材料”意指并且包括至少主要包括元素周期表1IIA族(B、Al、Ga、In和Ti)的一种或多种元素以及元素周期表VA族(N、P、As、Sb和Bi)的一种或多种元素的任何半导体材料。例如，II1-V半导体材料包括但不限于GaN、GaP, GaAs, InN、InP、InAs、AIN、A1P、AlAs、InGaN, InGaP、InGaNP 等等。
[0015]如同本文所使用的，术语“反应室”意指并且包括限定了大体上封闭的空间的任何类型的结构，材料在材料 淀积工艺中会在该空间中淀积。
[0016]如同本文所使用的，术语“非所需淀积物”意指并且包括在材料不应淀积于其上的反应室内的表面上淀积的任何材料。
[0017]本发明的实施方式包括用于减少淀积系统内(更具体地说，半导体淀积系统内)的非所需淀积物的工艺和系统。图1示出了可以用于本发明的实施方式的半导体淀积系统100的非限制性实例。半导体淀积系统100可以包括反应室102，其中反应室102包括顶壁104、底壁106以及至少一个侧壁，它们一同限定了反应室102内的至少大体上封闭的空间。
[0018]非限定性实例中，半导体淀积系统100可以包括用于淀积III族氮化物半导体材料(比如，例如氮化镓、氮化铝、氮化铟及其合金)的HVPE半导体淀积系统。示例性的HVPE半导体淀积系统可以利用内部液体镓源以产生III族前体，如2001年I月30日向Solomon等人授权的美国专利第6，179，913号所述，本文通过引用包含该专利的完整公开内容。其他实例中，HVPE半导体淀积系统可以使用源自GaCl3前体的外部源的III族前体源，该GaCl3前体直接注入到反应室内。此类方法和系统的实例公布于，例如于2009年9月10日公布的Arena等人的美国专利申请第US2009/0223442A1号，本文通过引用包含该公布的完整公开内容。
[0019]一个或多个反应室固定装置124A-C可以设置在反应室内。反应室固定装置124A-C可以包括至少一个衬底支撑结构124A (用于支撑一个或多个工件衬底116)、工艺气体注入器124B(用于注入一种或多种工艺气体)以及一个或多个被动热传导结构124C(用于向工艺气体提供热能)。反应室固定装置124A-C可以由能够易于积累非所需淀积物的材料制造。例如，反应室固定装置124A-C可以由诸如碳化硅、碳化硼和/或石墨的材料制造。
[0020]一个或多个淀积周期期间，即，半导体材料在工件衬底116上生长期间，非所需淀积物除了在工件衬底116的表面上积累，还可以在半导体淀积系统100内的表面上积累，而材料本应是在工件衬底116的表面上淀积的。例如，在反应室102中，非所需淀积物可以积累于反应室102内，在反应室102的一个或多个壁上，和/或位于反应室102中的一个或多个反应室固定装置124A-C上。可以在反应室102中进行一种或多种清洁工艺，以便从反应室102的一个或多个壁的表面和/或设置于反应室102中的一个或多个反应室固定装置124A-C表面将至少一部分非所需淀积物移除。换言之，非所需淀积物可以从已经暴露于半导体工艺气体的反应室102中的位置上移除。下面将简述用于淀积半导体材料的工艺和系统，因为这些工艺和系统涉及反应室102中的非所需淀积物的形成。
[0021]使用半导体淀积系统100淀积半导体材料的方法可以包括，通过气体注入装置110使工艺气体流入反应室102。工艺气体可以从气体源通过气体导管120A-120E流入气体注入装置110，然后可以通过单独气体注入器(比如工艺气体注入器124B)注入反应室102。为了淀积的目的，工艺气体可以包括一种或多种III族前体气体、V族前体气体、运载气体、掺杂气体等等。 [0022]一个非限制性示例淀积周期中，III族前体可以包括GaCl3。GaCl3可以从气体源108流过气体加热装置130，GaCl3在其中加热。一些实施方式中，GaCl3可以在气体加热装置130中至少部分分解。接下来，已加热/已分解的GaCl3流过气体导管120D进入气体注入装置110，并通过工艺气体注入器124B注入到反应室102。一种或多种其他工艺气体，比如一种或多种V族前体(例如NH3)、掺杂(例如硅烷)以及运载和/或净化气体(例如H2、N2、Ar)也可以经由气体导管120A、120B、120C和120E通过气体注入装置110引入到反应室102。
[0023]将工艺气体注入到反应室102之后，III族前体和V族前体可以在由衬底支撑结构124A支撑的已加热的工件衬底116上相互作用。该III族前体和V族前体之间的相互作用(例如，反应)可以在高温下进行，例如在大约500°C和大约1100°C之间的温度下进行。
[0024]可以由加热元件118提供用于实现该高温工艺的加热，该加热元件可以包括被配置为辐射红外能量的辐射热灯。加热元件118可以放置并配置为将辐射能量分配给衬底支撑结构124A以及支撑在其上的工件衬底116。其他实施方式中，加热元件118可以位于反应室102上方，或可以包括位于反应室102下方的两个加热元件118和位于反应室102上方的加热元件。
[0025]可选择地，工艺气体进一步的加热可以由被动热传导结构124C(例如，包括作用类似于黑体的材料的结构)提供，该被动热传导结构可以位于反应室102内以改进向前体气体传热。被动热传导结构可以设置在反应室102内，例如如同在2009年8月27日公布的Arena等人的美国专利申请第US2009/0214785A1号中所公开的，本文通过引用包含该公布的完整公开内容。
[0026]通过举例而不是限定的方式，淀积系统100可以包括在反应室102内的一个或多个被动热传导结构124C，如图1所示。这些被动热传导板124C通常可以是平面的并且通常可以取向为平行于顶壁104以及底壁106。一些实施方式中，这些被动热传导结构124C可以位于比底壁106更接近顶壁104处，使得这些热传导结构垂直地位于设置在反应室102内的工件衬底106的平面之上的平面中。被动热传导结构124C可以仅延伸穿过反应室102内的空间的一部分，如图1所示，或者其可以基本上延伸穿过反应室102内的空间的全部的部分。一些实施方式中，可以使净化气体在反应室102的顶壁104与一个或多个被动热传导结构124C之间的空间中流过反应室102，以减少在反应室102内的顶壁104的内表面上的材料的不需要的淀积。该净化气体可以从，例如，气体流入导管120A供给。当然，其他实施方式中可以在反应室102内并入具有不同于图1的热传导结构124C的结构的被动热传导结构，而且该热传导板可以位于不同于图1的热传导板124C所位于的位置上。
[0027]在本文中概述的淀积工艺期间，非所需淀积物可以在反应室102内积累，比如在反应室102的一个或多个壁的表面上和/或在设置于反应室102的反应室固定装置124A-C的表面上。非所需淀积物可以直接形成于与反应室102相关的壁和固定结构的表面上，或者非所需淀积物可以以气相形成，然后运送到上述表面并在其上淀积。
[0028]非所需淀积物可以包括，例如，通过III族氯化物与氨之间的反应生成的产物和副产物。应当注意，目标是淀积III族氮化物材料的淀积工艺期间，III族氮化物(比如氮化镓)在反应室102内的非目标位置上的淀积(例如，不在工件衬底116上淀积时)可以构成非所需淀积物的形成。作为非限定性实例，非所需淀积物可以包括一种或多种氯化铵盐，氯化镓、镓以及氮化镓。
[0029]本文所述方法的实施方式包括用于在反应室102内移除至少部分该种非所需淀积物的清洁工艺。通常而言，清洁工艺可以在半导体淀积系统100内进行的淀积周期之前和/或之后进行。
[0030]根据示例性半导体淀积系统100 (图1)以及图2所示的示例性气体加热装置130描述了半导体淀积系统清洁工艺的实施方式。在开始一种或多种清洁工艺之前，可以将半导体淀积系统100置于预清洁状态。例如，可以通过中断通过气体注入装置110的半导体工艺气体流、从反应室102卸载工件衬底116并将反应室102内的温度设定为小于大约400°C而使半导体淀积系统100置于预清洁状态。 [0031]将淀积系统100置于预清洁状态后，可以开始清洁工艺。清洁工艺可以包括一个或多个阶段，包括预移除阶段、移除阶段和移除后阶段。可以通过将半导体淀积系统100置于清洁后状态而结束清洁工艺。
[0032]移除后阶段可以包括将清洁气体源供给至反应室102以及通过使清洁气体流过气体加热装置130以加热清洁气体。清洁气体可以包括单一清洁气体或者清洁气体的组合，而且可以从一个或多个气体源108供给。清洁气体可以具有根据其与反应室102内的表面上的非所需淀积物反应以生成一种或多种反应产物(例如，可以由气体或蒸汽运送的气体、蒸汽或固体微粒)的能力而选取的成分，而该反应产物可以通过排气系统184的排气通道114从反应室102移除。特别地，清洁气体不应该留下能够污染在接下来的淀积周期中待淀积于工件衬底116上的半导体材料或者能够导致反应室102损伤的残留物。例如，可以选择清洁气体使其(热力学地)迫使非所需淀积物分解。
[0033]清洁工艺的一些实施方式中，清洁气体可以包括卤素。例如，清洁气体可以由包括氯和/或氟的一种或多种气态粒子组成。使用含氯的气体时，含氯气体可以包括一个或多个氯(例如，Cl、Cl2)和/或气态盐酸(HCl)。除了含卤素的气体，清洁气体还可以包括另一气体组分。例如，该另一气体组分可以包括氢气。
[0034]可以提供气体加热装置130以加热清洁气体。如图1所示，在一个示例性实施方式中，气体加热装置130可以设置于反应室102外部，而在一些实施方式中，气体加热装置可以设置于反应室102内部或者甚至部分地在反应室102内。可用于本发明的方法的气体加热装置的一个实例被具体地描述于，例如，Arena等人2009年3月3日提交的序列号为61/157，112的美国专利申请中，该申请的全部内容通过用于所有目的引用而并入本文中。
[0035]参考图2，气体加热装置130可以包括进气口 202和出气口 204，以及通过导管(例如，管道)延伸通过在进气口 202和出气口 204之间的气体加热装置130的气流路径206。气流路径206延伸通过气体炉208，该气体炉用于向流过气流路径206的清洁气体供给热倉泛。
[0036]气流路径206可以配置为以使其包括具有线圈结构的至少一个部段，如图2所示。线圈结构可以用作气流路径206，使得进气口 202与出气口 204之间的气流路径长度大于进气口 202与出气口 204之间的实际物理距离。增加进气口 202与出气口 204之间的物理距离可以增加通过气体炉208的清洁气体存留时间，从而改进气体炉208的加热能力。也可以使用除了线圈结构之外的其他结构，例如蛇形结构。
[0037]气体炉208可以包括主动和被动加热元件以向清洁气体供给热能。例如，气体炉208可以包括一个或多个主动加热元件210，该主动加热元件可以邻近气流路径206放置。主动加热元件210可以包括，例如，一个或多个电阻加热元件、辐射加热元件以及射频加热元件。气体炉208还可以包括被动加热元件比如,例如,被动加热元件212,其可以包括黑体结构，例如，包括再辐射(re-radiate)热的黑体材料(例如，碳化硅)的杆。如图2所示，一些实施方式中，气流路径206可以环绕(例如，以线圈的形式)被动加热元件212延伸。
[0038]气体加热装置130可以用于向清洁气体提供热能，以提升从淀积系统100移除非所需淀积物的效率。例如，一些实施方式中，可以使用气体加热装置130加热清洁气体至大约600°C或更高的温度，大约800°C或更高的温度，或者甚至大约1000°C或更高的温度。 [0039]用气体加热装置130加热清洁气体之后，可以通过前体气体注入器124B将清洁气体引入反应室102。气体清洁工艺的移除阶段涉及利用已加热的清洁气体从反应室102中(例如，从反应室102的一个或多个壁的表面，和/或从位于反应室102中的一个或多个反应室固定装置124A-C的表面)移除非所需淀积物。一些实施方式中，清洁工艺的移除阶段包括，通过使清洁气体与非所需淀积物反应以生成一种或多种反应产物来从反应室102中移除至少一部分非所需淀积物，以及通过排气通道114将一种或多种反应产物从反应室102排出。
[0040]清洁工艺的移除阶段可以包括单一的移除期或者多个移除期，其中每期可以包括相似或不同的清洁气体化学反应，清洁气体化学反应可以根据不同类型淀积物的移除来定制。例如，一些实施方式中，移除阶段可以包括优选从反应室内的第一区域移除一部分非所需淀积物的移除期，以及优选从反应室内的第二区域移除一部分非所需淀积物的移除期。
[0041]再次参考图1，移除阶段起始于将已加热的清洁气体通过前体气体注入器124B引入反应室102，该前体气体注入器与气体注入装置110是流体连通的，而气体注入装置110联接到气体加热装置130的出气口 204。
[0042]清洁工艺的移除阶段可以包括选择清洁气体使其包括氢气和气态盐酸的气态混合物。清洁工艺的移除阶段期间氢气的流动速度可以在大约Islm和大约30slm之间，大约Islm和大约15slm之间，或者甚至大约Islm和大约IOslm之间，因为反应室102具有在大约IOsl和大约IOOsl之间的体积。清洁工艺的移除阶段期间气态盐酸的流动速度可以在大约Islm和大约IOOslm之间，大约Islm和大约50slm之间，或者甚至大约Islm和大约30slm之间，因为反应室102具有在大约IOsl和大约IOOsl之间的体积。
[0043]反应室102内的压强也可以用作控制清洁工艺的移除阶段期间从反应室102内移除非所需淀积物的效率的参数。例如，清洁工艺的移除阶段期间，反应室102内的压强可以在大约ITorr和大约800Torr之间，大约200Torr和大约760Torr之间。
[0044]除了控制反应室102内的压强，还可以控制反应室102内的温度以提高在清洁工艺的移除阶段期间从反应室102内移除非所需淀积物的效率。例如，清洁工艺的移除阶段期间，反应室可以保持在在大约600°C和大约800°C之间，在大约600°C和大约1000°C之间，或者甚至在大约600°C和大约1200°C之间的一个温度或几个温度上。
[0045]如上所述，清洁工艺的一些实施方式中，移除阶段可以包括两个或更多个移除期。两个或更多个移除期可以用于优选从反应室102内的不同区域移除非所需淀积物。两个或更多个移除期中的每一个可以通过改变一个或多个清洁工艺参数(例如，反应器压强、反应器温度、清洁气体组分、清洁气体流速度等等)来建立。例如，移除期可以用于优选从反应室102内的第一区域移除一部分非所需淀积物，而接下来的移除期可以用于优选从反应室102内的第二区域移除一部分非所需淀积物。
[0046]图3更详细地示出了与半导体淀积系统100相关的示例性反应室102的简化横截面图。作为包括两个或更多移除期的清洁工艺的非限制性实例，清洁工艺可以包括这样的移除期，该移除期被用于优选从反应室102内的第一区域300移除一部分非所需淀积物。如图3所示，第一区域300可以设置在反应室102内，相较排气通道114，第一区域300距离前体气体注入器124B更近。换言之，在一个移除期期间，相对于更接近反应产物或多种反应产物从反应室102移除的点的位置，非所需淀积物可以优选从更接近清洁气体注入到反应室102内的点的位置移 除。
[0047]一些实施方式中，用于优选从反应室102内的第一区域300移除至少一部分非所需淀积物的移除期可以包括选择一组清洁工艺参数。作为非限制实例，清洁工艺的该移除期可以包括选择反应室内的压强使其在大约300Torr和大约760Torr之间，选择氢气流速度使其在大约Islm和大约IOslm之间，并选择气态盐酸流速度使其在大约Islm和大约IOslm之间。
[0048]接下来的移除期可以用于优选从反应室102内的第二区域302移除至少一部分非所需淀积物。相较于前体气态注入器124B，第二区域302可以设置为更接近排气通道114。换言之，在移除期期间，相对于清洁气体注入到反应室102内的点，可以优选从更接近反应产物或多种反应产物从反应室102移除的点的位置移除非所需淀积物。
[0049]一些实施方式中，用于优选从反应室102内的第二区域302移除至少一部分非所需淀积物的移除期可以包括选择另一组不同的清洁工艺参数。作为非限制性实例，该清洁工艺的移除期可以包括选择反应室内的压强使其在大约200Torr和大约800Torr之间，选择氢气流速度使其在大约Islm和大约IOslm之间，并进一步选择气态盐酸流速度使其在大约IOslm和大约30slm之间。
[0050]可以监测一个或多个移除阶段的过程，从而在与半导体淀积系统100相关的反应室102足够清洁时，可以自动中断清洁而没有操作员延迟。可以通过监测或者感测反应室壁的光学性质，和/或通过在清洁工艺期间采样从反应室102排出的气体的组分来监测清洁工艺。[0051]一旦确认反应室102足够清洁，反应阶段就完成了。完成移除阶段后，移除后阶段开始。例如，移除后阶段可以用于在从反应室102中移除至少一部分非所需淀积物后，从反应室102中移除至少一部分残留清洁气体。一些实施方式中，可以通过将反应室102净化一次或多次从反应室102中移除至少一部分残留清洁气体。净化反应室102可以包括，用惰性气体净化反应室以及用活性气体净化反应室这两者中的至少一个。
[0052]如上所述，清洁工艺的移除后阶段可以用于从反应室102移除残留清洁气体，使得反应室102的清洁度可以恢复至对于之后的淀积周期可以接受的水平。示例性净化阶段可以(没有特定顺序地)包括:高温惰性气体净化以及高温活性气体净化，如同下面所详细阐述的。可以重复该净化阶段或多个净化阶段一次或多次，直到足够确认反应室102不存在残留清洁气体(例如含氯气体)。
[0053]一些实施方式中，高温惰性气体净化可以包括向反应室102引入氢气以及将反应室中的温度提高一段时间。更具体地说，氢气可以以大约5slm和大约50slm之间的流动速度流入反应室102，而反应室102内的温度可以提升至大约600°C或更高，大约800°C或更高，或者甚至大约1200°C或更高。高温惰性气体净化可以持续一段在大约I分钟和大约10分钟之间的时间。
[0054]一些实施方式中，高温活性气体净化可以包括向反应室102引入氨气以及将反应室中的温度提高一段时间。更具体地说，氨气可以以大约Islm和大约20slm之间的流动速度流入反应室102，而反应室102内的温度可以提升至大约600°C或更高，大约800°C或更高，或者甚至大约1200°C或更高。高温活性气体净化可以持续一段在大约I分钟和大约10分钟之间的时间。
[0055]清洁工艺的净化阶段完成后，可以将淀积系统100置于清洁后状态。例如，淀积系统100的清洁后状态可以包括将工件衬底116装载入反应室102，以及将反应室102内的温度设定到低于400°C。该清洁后状态可以用于为接下来的半导体材料淀积周期准备淀积系统 100。
[0056]上述本发明的实施方式并不限定本发明的范围，因为这些实施方式只是本发明实施方式的实例，而本发明 的范围由所附权利要求及其法律等同形式限定。任何等同实施方式应当在本发明的范围内。事实上，不同于本文已经公开并描述的本发明的各种修改，例如所述元件的替换性有用组合，对于本领域技术人员而言参照上述描述将变得明显。此类修改应当也落入所附权利要求的范围内。
【权利要求】
1.一种用于减少与半导体淀积系统相关的反应室中的非所需淀积物的方法，所述方法包括: 通过使清洁气体流过延伸穿过至少一个气体炉的至少一个气流路径来加热清洁气体； 将所述清洁气体通过工艺气体注入器引入所述反应室；以及 通过使所述清洁气体与所述非所需淀积物的部分反应以生成至少一种反应产物并将所述至少一种反应产物从所述反应室排出，从所述反应室内移除所述非所需淀积物的至少一部分。
2.如权利要求1所述的方法，进一步包括选择所述清洁气体以包括含氯气体和氢气中的一种或多种。
3.如权利要求1所述的方法，其中，使清洁气体流过延伸穿过至少一个气体炉的至少一个气流路径进一步包括，使清洁气体流过具有线圈结构的至少一个气流路径部段。
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括将所述清洁气体加热至大约600°C或更高的温度。
5.如权利要求1所述的方法，其中，移除所述非所需淀积物的至少一部分进一步包括: 在第一清洁阶段中，优选从所述反应室内的第一区域移除所述非所需淀积物的一部分；以及 接下来在第二清洁阶段中，优选从所述反应室内的第二区域移除所述非所需淀积物的一部分。
6.如权利要求5所述的方法，其中，优选从所述反应室内的第一区域移除所述非所需淀积物的一部分包括，优选移除设置为比所述反应室的排气通道更接近于所述工艺气体注入器的所述非所需淀积物的一部分。
7.如权利要求5所述的方法，其中，优选从所述反应室内的第二区域移除所述非所需淀积物的一部分包括，优选移除设置为比所述工艺气体注入器更接近于所述反应室的排气通道的所述非所需淀积物的部分。
8.如权利要求1所述的方法，进一步包括，在从所述反应室内移除所述非所需淀积物的至少一部分之后，从所述反应室内移除残留清洁气体的至少一部分。
9.如权利要求8所述的方法，其中，从所述反应室内移除所述残留清洁气体的至少一部分进一步包括净化所述反应室一次或多次，其中净化所述反应室一次或多次包括以惰性气体和活性气体中的至少一种净化所述反应室。
10.一种用于控制与半导体淀积系统相关的反应室中的非所需淀积物的系统，所述系统包括: 清洁气体源； 气体加热装置，所述气体加热装置用于加热联接至所述清洁气体源的清洁气体，所述气体加热装置包括延伸穿过至少一个气体炉的至少一个气流路径；以及 至少基本上封闭的反应室，所述至少基本上封闭的反应室由顶壁、底壁以及至少一个侧壁进行限定，反应室与所述气体加热装置流体连通。
11.如权利要求10所述的系统，其中，所述清洁气体源包括含氯气体和氢气中的一种或多种。
12.如权利要求10所述的系统，其中，所述气体加热装置设置在所述反应室外面。
13.如权利要求10所述的系统，其中，所述气体加热装置包括: 进气口 ； 出气口 ；以及 气流路径，所述气流路径从所述进气口延伸到所述出气口 ； 其中，所述气流路径具有长于所述进气口与所述出气口之间的最短距离的长度。
14.如权利要求10所述的系统，其中，所述气流路径具有线圈构造。
15.如权利要求10所述的系统，其中，所述气体加热装置还包括接近所述气流路径设置的至少一个加热元件，所述至少一个加热元件包括选自电阻加热元件、感应加热元件以及福射加热元件 的主动加热元件。
【文档编号】C30B29/40GK104011259SQ201280064081
【公开日】2014年8月27日 申请日期:2012年11月12日 优先权日:2011年12月23日
【发明者】R·T·小贝尔特拉姆 申请人:Soitec公司