MeV-电子源的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种MeV-电子源，包括：-带有可转换的控制单元（2）的电子源（1），-带有耦合谐振器的线性加速器（3），在所述谐振器中由电子源（1）产生的电子被加速至可预先指定的能量，并且在正面出射孔（5）作为电子束（4）射出，和-高频源（8），其中-在高频源（8）和线性加速器（3）之间安置有可变功率分配器（9），其至少具有一个反射系数可通过操控单元（20）调节的高频元件（10），且其中-通过可调节的反射系数，在毫秒范围内可任意选择输入到线性加速器（3）的高频功率（Pin），和/或通过电子源（1）的可转换的控制单元（2），在毫秒范围内可任意选择电子流（I）。
【专利说明】MeV-电子源
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种MeV-电子源。
【背景技术】
[0002]这样的MeV-电子源包括带有可转换的控制单元的电子源。此外，所述MeV-电子源包括带有耦合谐振器的线性加速器，在该谐振器中由电子源产生的电子被加速至可预先指定的能量，并且作为电子束在正面出射孔射出。另外所述公知的MeV-电子源具有高频源。
[0003]在线性加速器中借助电磁场加速的电子要么直接用于辐射治疗或技术应用，要么使用于在MeV-范围(伦琴辐射或伽玛辐射)产生光子。为产生这样的辐射，在线性加速器的正面出射孔安置标靶，在其中当电子束减速时产生光子(轫致辐射)。高能的光子例如被应用在辐射治疗中和无损材料检测以及安检领域(集装箱和行李检查)。
[0004]当动能在MeV-范围时，为了加速源自电子源的电子，通常会使用由空腔谐振器组成的驻波加速器或者行波加速器，向其中耦合输入具有空腔谐振器的谐振频率的电磁能量。通过相应谐振的利用，能够以相对较小的技术成本产生达到数千万V/m的极高的电场强度。借助这样的电场实现了空腔谐振器中的电子的加速。
[0005]对于公知的MeV-电子源，电子能量U和/或每个脉冲D的剂量的变化如下取决于输入参数高频功率Pin和线性加速器的电子流1:
[0006]
【权利要求】
1.一种MeV-电子源，包括: -带有可转换的控制单元(2)的电子源(1)， -带有耦合谐振器的线性加速器(3)，在前者中由电子源(I)产生的电子被加速至可预先给定的能量，并且在正面出射孔(5)作为电子束(4)射出，和-高频源(8)，其中 -在高频源(8)和线性加速器(3)之间安置有可变功率分配器(9)，其至少具有一个反射系数可通过操控单元(20)调节的高频元件(10)，且其中 -通过所述可调节的反射系数，在毫秒范围内可任意选择输入到线性加速器(3)的高频功率(Pin)，和/或通过电子源(I)的可转换的控制单元(2)，在毫秒范围内可任意选择电子流(I)。
2.根据权利要求1所述的MeV-电子源，其中在线性加速器(3)的正面出射孔(5)处安置标靶(6)，在其中当射出的电子(4)在标靶(6)材料中减速时产生光子(7)。
3.根据权利要求1所述的MeV-电子源，其中所述可变功率分配器(9)包括环形器(11)。
4.根据权利要求2所述的MeV-电子源，其中所述环形器被构造为4端口环形器(11)。
5.根据权利要求1所述的MeV-电子源，其中所述高频源被构造为磁控管(8)。
6.根据权利要求1所述的MeV-电子源，其中所述控制单元(2)改变栅极电压。
7.根据权利要求1所述的MeV-电子源，其中所述控制单元(2)改变高压。
8.根据权利要求1所述的MeV-电子源，其中所述控制单元(2)改变栅极电压的脉冲持续时间。
9.根据权利要求1所述的MeV-电子源，其中所述控制单元(2)改变高压的脉冲持续时间。
10.根据权利要求1所述的MeV-电子源，其中所述可转换的控制单元(2)和所述操控单元(20)能够通过上级的单元来控制。
【文档编号】H05H7/22GK103582277SQ201310301203
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年7月15日 优先权日:2012年7月19日
【发明者】S.米勒, S.塞特泽 申请人:西门子公司