一种单晶炉导气管的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种单晶炉导气管，属于单晶炉排气【技术领域】，包括导气弯管和导气直管，所述导气弯管为一端开口的横向管道，其底面为平面，且底面上设有圆孔；所述导气直管为竖直圆管，其顶端外圆周上均匀分布着扣爪；所述圆孔上分布着与扣爪相适配的凹槽；所述导气直管为伸缩管。本实用新型结构合理简单、安装便捷，能够有效保证导气弯管和导气直管的同轴性，保证气体的顺畅排出，为单晶硅的产品质量提供保障。
【专利说明】一种单晶炉导气管
【技术领域】
[0001]本实用新型属于单晶炉排气【技术领域】。
【背景技术】
[0002]单晶硅是生产单晶硅太阳能电池的基础原料，而单晶硅必须利用硅原料经过一系列的工艺方法生产得到；目前单晶硅普遍采用直拉法，以单晶炉为主要设备来进行生产。单晶炉是在惰性气体环境中，采用石墨电阻加热器，将硅材料熔化，并采用直拉法生长无位错单晶的设备。决定拉晶工艺好坏的重要因素之一是单晶炉热场的洁净度，热场内的气体环境对整个热场的洁净度起着至关重要的作用，如果热场内的气体不能顺畅的排出，当高温的硅蒸汽和一氧化硅蒸汽遇到温度较低的导气管及排气口时，便凝结成一层黄色物质，当黄色凝结物较多时便会阻塞导气管，造成排气不畅；当单晶炉在拉制单晶棒时，如果发生排气不畅，熔化的硅液表面挥发出的杂质不能顺利排出炉外，凝结在热场内部有可能造成断棱，影响拉晶成品率。
[0003]因此，单晶炉的排气装置对拉晶起着关键的作用。单晶炉排气路线是氩气经过副室，进入主炉室，带走拉晶过程中挥发杂质，经过导气管一开关阀一节流阀-滤尘筒-电磁阀进入真空泵，最后从排气管道排出。现有单晶炉结构中，导气管一般分导气直管和弯管两部分，两部分采用接触式平装，安装过程中先将导气直管放入炉底保温毡的开孔中，再将包裹着保温软毡的导气弯管凭操作工的感觉和经验进行安装，通过微量旋转下保温桶，直到感觉导气弯管和导气直管衔接到一起；导气管的这种结构和安装方式极易导致导气直管和弯管不能完全对正即衔接错位，两部分的导气通道不同轴，这又会带来两个方面的问题:一，导气不畅，热场内的高温气体携带大量气体杂质流经不同轴的导气管，首先会沉积在错位处，当导气管中有杂质首先沉积后，后续大量高温气体流经低温的此处时会相继产生气象沉积，使此处杂质越来越多，最终堵塞排气通道；二，由于错位的存在，在真空泵的作用下，会使热场外部分气体从此处抽入排气管道，扰乱热场中的气氛，对拉晶也会造成影响。
实用新型内容
[0004]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种单晶炉导气管，结构合理简单、安装便捷，能够有效保证导气弯管和导气直管的同轴性，保证气体的顺畅排出，为单晶硅的产品质量提供保障。
[0005]为解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案是:
[0006]一种单晶炉导气管，包括导气弯管和导气直管，所述导气弯管为一端开口的横向管道，其底面为平面；所述导气弯管的底面上设有圆孔；所述导气直管为竖直圆管，其顶端外圆周上均匀分布着扣爪I ;所述圆孔上分布着与扣爪I相适配的凹槽I ;所述导气直管为伸缩管。
[0007]进一步，所述导气弯管为方形管；
[0008]所述扣爪I和凹槽I的数目为3-9个；[0009]优选的，所述导气直管包括导气直管上管和导气直管下管两部分；所述导气直管上管的下端外圆周上均匀分布着扣爪II ;所述导气直管下管的顶面开孔并设有与扣爪II适配的凹槽II ;所述扣爪II和凹槽II的数目为3-9个。
[0010]使用时，导气直管的导气直管上管和导气直管下管卡接在一起，所述扣爪II穿过凹槽II后，旋转导气直管下管，使得扣爪II卡在导气直管下管的顶面上，且导气直管的上下两部分能相对滑；同样地，所述导气直管顶端与导气弯管底面卡接在一起，所述扣爪I穿过凹槽I后，旋转导气直管，使扣爪I卡在导气弯管的底面上。
[0011]采用上述技术方案所产生的有益效果在于:导气弯管和导气直管采用组合式安装，两部分之间采用扣爪对接形式，使得两部分衔接稳固，操作灵活方便；导气直管采用可滑动伸缩套管设计，导气直管的上下两部分也采用卡扣对接形式，且使用时上下两部分能相对滑动但不会脱离开，保证了导气管道与单晶炉体排气管路的衔接顺畅；本实用新型结构合理简单、安装便捷，能够有效保证导气弯管和导气直管的同轴性，保证气体的顺畅排出，为单晶硅的产品质量提供保障。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是本实用新型的结构示意图；
[0013]图2是本实用新型导气弯管部分的仰视图；
[0014]图3是本实用新型导气直管部分的俯视图；
[0015]图4是设置有本实用新型实施例所提供一种单晶炉导气管的结构示意图；
[0016]其中，1、石墨埚托，2、下保温桶，3、加热器及其固定螺母，4、石墨电极，5、电极石墨护套，6、电极石英护套，7、石墨埚杆，8、下保温桶保温毡，9、导气弯管，10、埚杆护套，11、炉底护盘，12、导气直管，13单晶炉炉底，14、炉底保温租,13、导气直管上管，14、导气直管下管，15、扣爪11，16、扣爪I，17、凹槽I，18、圆孔，19、凹槽II。
【具体实施方式】
[0017]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细的说明。
[0018]如图1至图4所示，一种单晶炉导气管，包括导气弯管9和导气直管12，所述导气弯管9为一端开口的横向方形管道，其底面上设有圆孔18 ;所述导气直管12为竖直圆管，其顶端外圆周上均匀分布着扣爪I 16，所述扣爪I 16的数量为4个；所述圆孔18上分布着与扣爪I 16相适配且数量相等的凹槽I 17;所述导气直管12为伸缩管，包括导气直管上管13和导气直管下管14两部分；所述导气直管上管13的下端外圆周上均匀分布着扣爪II 15，其数量为4个；所述导气直管下管14上表面开孔并设有与扣爪II 15适配且数量相等的凹槽II 19。
[0019]本实用新型使用时，首先将导气直管12的导气直管上管13和导气直管下管14通过扣爪II 15卡接在一起，扣爪II 15穿过凹槽II 19后，旋转导气直管下管14，使得扣爪II 15卡在导气直管下管的上表面上，并将导气直管上管13和导气直管下管14相对于滑动至导气直管12的最短长度；然后先将导气弯管9和导气直管12通过扣爪I 16卡接在一起，扣爪I 16穿过凹槽I 17后，旋转导气直管12，使扣爪I 16卡在导气弯管9底面上，导气直管12与导气弯管9组合成导气管；接下来将导气弯管9部分插入下保温桶2和其外面的下保温桶保温毡8中，将下保温桶2、下保温桶保温毡8、导气弯管9和导气直管12的组合抬起，并安放到炉底护盘11上；此时导气直管12的导气直管下管14由于重力的作用，相对于导气直管上管13向下滑动，导气直管下管14的底端滑入炉底保温毡14的开孔中，并连接到单晶炉炉底13上的排气口中。本实用新型结构合理简单、安装便捷，能够有效保证导气弯管和导气直管的同轴性，保证气体的顺畅排出，为单晶硅的产品质量提供保障。
【权利要求】
1.一种单晶炉导气管，包括导气弯管(9)和导气直管(12)，其特征在于:所述导气弯管(9)为一端开口的横向管道，其底面为平面；所述导气弯管(9)的底面上设有圆孔(18);所述导气直管(12)为竖直圆管，其顶端外圆周上均匀分布着扣爪I (16);所述圆孔(18)上分布着与扣爪I (16)相适配的凹槽I (17);所述导气直管(12)为伸缩管。
2.根据权利要求1所述的一种单晶炉导气管，其特征在于:所述导气弯管(9)为方形管。
3.根据权利要求1所述的一种单晶炉导气管，其特征在于:所述扣爪I(16)和凹槽I(17)的数目为3-9个。
4.根据权利要求1所述的一种单晶炉导气管，其特征在于:所述导气直管(12)包括导气直管上管(13)和导气直管下管(14)两部分；所述导气直管上管(13)的下端外圆周上均匀分布着扣爪II (15);所述导气直管下管(14)上表面开孔并设有与扣爪II (15)适配的凹槽II (19)。
5.根据权利要求4所述的一种单晶炉导气管，其特征在于:所述扣爪II(15)和凹槽II(19)的数目为3-9个。
【文档编号】C30B15/00GK203653744SQ201320880182
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2013年12月30日 优先权日:2013年12月30日
【发明者】田迎新, 马志伟, 邵国亮, 李超 申请人:英利能源（中国）有限公司