具有同轴rf馈送及同轴遮罩的对称的感应性耦合等离子体源的制作方法

具有同轴rf馈送及同轴遮罩的对称的感应性耦合等离子体源的制作方法
【专利摘要】一种等离子体反应器具有架空的多线圈感应等离子体源，该等离子体源具有对称RF馈送及围绕该对称RF馈送的对称RF遮罩。
【专利说明】具有同轴RF馈送及同轴遮罩的对称的感应性耦合等离子体源
[0001]相关专利申请案的交叉引用
[0002]本申请案主张由Jason A.Kenney等人于2013年5月20日申请的标题为“INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH SYMMETRICAL RF FEED(具有对称 RF 馈送的感应性耦合等离子体源)”的美国专利申请案第13/897，592号的优先权；主张由JasonA.Kenney 等人于 2013 年 5 月 20 日申请的标题为 “INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCEWITH COAXIAL RF FEED AND COAXIAL SHIELDING(具有同轴RF馈送和同轴遮罩的感应性耦合等离子体源)”的美国专利申请案第13/897，585号的优先权；主张由Andrew Nguyen等人于 2012 年 11 月 I 日申请的标题为“SYMMETRICAL INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCEWITH SYMMETRICAL FLOW CHAMBER (具有对称流腔室的对称的感应性耦合等离子体源)”的美国专利申请案第13/666，224号的优先权；主张由Andrew Nguyen等人于2012年11月I日申请的标题为 “INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCE WITH PLURAL TOP COILS OVER ACEILING AND AN INDEPENDENT SIDE COIL (具有顶板上的多个顶部线圈和独立侧线圈的感应性耦合等离子体源)”的美国专利申请案第13/666，245号的优先权；以及主张由AndrewNguyen 等人于 2012 年 11 月 I 日申请的标题为 “INDUCTIVELY COUPLED PLASMA SOURCEWITH MULTIPLE DIELECTRIC WINDOWS AND WINDOW-SUPPORTING STRUCTURE (具有多个介电视窗和视窗支撑结构的感应性耦合等离子体源)”的美国专利申请案第13/666，280号的优先权。上述所有申请案主张由Andrew Nguyen等人于2012年7月20日申请的标题为“SYMMETRICAL MULTIPLE COAXIAL ICP SOURCE AND SYMMETRICAL FLOW CHAMBER(对称的多同轴ICP源和对称的流腔室)”的美国临时申请案第61/673，937号的权益。

【技术领域】
[0003]本发明的实施例大体而言是关于一种用于处理工作件的等离子体处理反应器腔室，在该腔室内通过RF功率的感应性耦合产生等离子体以处理腔室内部的气体。

【背景技术】
[0004]电子装置(诸如集成电路、平板显示器及类似者)通过一系列工艺来制造，在该等工艺内于基板上沉积薄膜层及将薄膜层蚀刻成所欲图案。工艺步骤可包括等离子体增强反应式离子蚀刻(reactive 1n etching ;RIE)、等离子体增强化学气相沉积(chemicalvapor deposit1n ;CVD)、等离子体增强物理气相沉积(physical vapor deposit1n ；PVD)。
[0005]跨越基板整个表面的蚀刻速率或沉积速率的均匀分布对于成功的制造是必不可少的。由于基板尺寸不断增加及装置几何形状不断缩小，此均匀性越来越难以达成。详言之，感应耦合等离子体源可在腔室顶板上方具有两个同心排列的线圈天线，以便可通过调整传递至不同线圈天线的不同RF功率电平来最佳化蚀刻速率分布的均匀性。随着工作件直径及腔室直径增加，
【发明者】已发现此方法并不够用，因为较大尺寸增加了获得所需工艺均匀性的难度。诸如腔室设计不对称性、温度分布不均匀性及气体分布控制的工艺不均匀性的各种源头变得更加重要。


【发明内容】

[0006]一种等离子体反应器包含与处理区域相邻的视窗组件，与视窗组件相邻的内层线圈天线、中间线圈天线及外层线圈天线，以及分别耦接至内层线圈天线、中间线圈天线及外层线圈天线的内部电流分配器、中间电流分配器及外部电流分配器。顶板覆盖于视窗组件上。在顶板处安置第一 RF功率端子、第二 RF功率端子及第三RF功率端子。在第一 RF功率端子、第二 RF功率端子及第三RF功率端子的各别端子与内部电流分配器、中间电流分配器及外部电流分配器之间连接第一轴向RF功率馈送、第二轴向RF功率馈送及第三轴向RF功率馈送。第三轴向RF功率馈送包含中空轴向外部RF功率分配圆筒，该圆筒环绕第一轴向RF功率馈送及第二轴向RF功率馈送。
[0007]在具有同轴对称性的一个实施例中，第二轴向RF功率馈送包含中空轴向中间RF功率分配圆筒，该圆筒环绕第一轴向RF功率馈送。在相关实施例中，第一轴向RF功率馈送包含中央RF连接杆，且中央RF连接杆、中空中间RF功率分配圆筒及外部RF分配圆筒是同轴的。在相关实施例中，内层线圈天线、中间线圈天线及外层线圈天线与中央RF连接杆同轴。
[0008]在一个实施例中，等离子体反应器进一步包含与顶板隔开及在顶板下的气室板，且该气室板包含中央开口。在相关实施例中，外部RF分配圆筒延伸穿过中央开口，在气室板与外部RF分配圆筒之间具有间隙，且径向凸缘自外部RF分配圆筒延伸及覆盖于间隙上。
[0009]在一个实施例中，等离子体反应器进一步包含:(a)自中间RF分配圆筒向外延伸的数个径向中间臂及自该等数个径向中间臂延伸至中间电流分配器上的间隔分离位置的数个轴向中间脚；以及(b)自外部RF分配圆筒向外延伸的数个径向外部臂及自该等数个径向臂延伸至外部电流分配器上的间隔分离位置的数个轴向外部脚。
[0010]在相关实施例中，在气室板下及在中间电流分配器上方提供接地板，数个轴向中间脚延伸穿过该接地板。在一个实施例中，数个轴向外部脚延伸穿过接地板。
[0011]在相关实施例中，内层线圈天线、中间线圈天线及外层线圈天线的各者包含具有RF供应端的数个导体，且内部电流分配器、中间电流分配器及外部电流分配器的各者包含轴向对称的中空主体，该中空主体包含面向内层线圈天线、中间线圈天线及外层线圈天线的相应者的数个导体的供应端的底部。
[0012]在进一步实施例中，等离子体反应器进一步包含连接于气室板与外部RF功率分配圆筒之间的数个间隔分离电抗元件。在一个实施例中，电抗元件包含离散电容器。
[0013]在又一实施例中，提供RF遮罩，包含:(a)在中央RF连接杆与中间RF分配圆筒之间的中空圆柱形内部遮罩；以及(b)在中间RF分配圆筒与外部RF分配圆筒之间的中空圆柱形上部遮罩，该上部遮罩包含底部边缘。
[0014]在一个实施例中，气室板与顶板隔开且气室板位于顶板下,且该气室板包含中央开口，上部遮罩延伸穿过中央开口及在气室板与上部遮罩之间界定内部间隙。在相关实施例中，裙部件自接近底部边缘的上部遮罩向外径向延伸及覆盖于内部间隙上。
[0015]在相关实施例中，遮罩进一步包含:(a)自气室板向接地板轴向延伸及环绕数个轴向中间脚的中间圆柱形遮罩；(b)自接地板向下延伸的下部圆柱形遮罩；以及(C)自下部圆柱形遮罩的底部边缘向下延伸的底部遮罩。在相关实施例中，圆柱形基座自底部遮罩轴向延伸，该圆柱形基座环绕中间线圈。在一个实施例中，底部遮罩包含中空截圆锥。在一个实施例中，遮罩进一步包含由圆柱形基座围绕的底板。

【专利附图】

【附图说明】
[0016]因此，为使用可详细理解所获得的本发明的示范性实施例的方式，可参照实施例获得上文简要概述的本发明的更特定描述，一些实施例图示于附图中。应将了解，为了不模糊本发明，本文并未论述某些熟知的工艺。
[0017]图1是本发明实施例的等离子体反应器的剖视图。
[0018]图1A是图1中反应器的上截段的放大视图。
[0019]图1B是图1中反应器的下截段的放大视图。
[0020]图2图示图1中反应器的内部区域感应RF功率施用器。
[0021]图3图示图1中反应器的中间或中部区感应RF功率施用器。
[0022]图4图示图1中反应器的外部区域感应RF功率施用器。
[0023]图5图示用于图3中RF功率施用器的导电RF功率馈线。
[0024]图6图示用于图4中RF功率施用器的导电RF功率馈线。
[0025]图7是图1中反应器的盖组件的一部分的横剖面视图。
[0026]图8是覆盖图7中盖组件的碟形介电视窗的加热器层的平面图。
[0027]图9是与图7中盖组件一起描述的覆盖圆柱形介电视窗的加热器层的正投影图。
[0028]图10是图7中盖组件的平面图。
[0029]图1lA是对应于图10描述在盖组件的气流板内的气流通道的平面图。
[0030]图1lB是图7及图1lA中气流板反面的视图。
[0031]图12是对应于图10及描述至中心毂的气流路径的平面图。
[0032]图12A是对应于图12中一部分描述图8中加热器层一部分内的气流导管的外壳的正投影图。
[0033]图12B是对应于图12A的剖面正视图。
[0034]图13是图1中反应器的中央气体施配器的放大剖视图。
[0035]图14是图13中中央气体施配器的平面图。
[0036]图15是图14中沿接线15-15获取的横剖面图。
[0037]图16是图14中沿接线16-16获取的横剖面图。
[0038]图17是图1B中沿接线17-17获取的横剖面图。
[0039]图18是图1B中沿接线18-18获取的横剖面图。
[0040]图19是对应于图1A及描述冷却气流路径的视图。
[0041]图20A及图20B是用于图1A中RF功率施用器的RF电源的替代实施例的方块图。
[0042]图21是控制图1中反应器的控制系统的方块图。
[0043]图22是进一步实施例的横剖面正视图，该实施例中RF馈送至具有三角对称性的线圈天线。
[0044]图23描述包括图22中外层线圈RF馈送的组件。
[0045]图24描述包括图22中中间线圈RF馈送及外层线圈RF馈送的组件。
[0046]图24A是图23中沿接线24A-24A获取的横剖面图。
[0047]图25描述图22的外层线圈RF馈送。
[0048]图26描述图22的中间线圈RF馈送。
[0049]图27描述图22的内层线圈RF馈送。
[0050]图28是进一步实施例的横剖面正视图，该实施例中RF馈送至具有同轴对称性的线圈天线。
[0051]图29描述包括图28中中间线圈RF馈送及外层线圈RF馈送的组件。
[0052]图30描述包括图28中外层线圈RF馈送的组件。
[0053]图31描述包括图28中中间线圈RF馈送的组件。
[0054]图32是进一步实施例的横剖面正视图，该实施例中同轴RF馈送至具有与外层线圈RF馈送并联连接的电容器的对称阵列的线圈天线。
[0055]图33描述包括图32中外层线圈RF馈送的组件。
[0056]图34描述进一步描述图32中电容器的阵列的图33的组件。
[0057]图35是在RF馈送之间具有同轴遮罩的另一实施例的横剖面正视图。
[0058]图36是图35中同轴遮罩的正投影图。
[0059]为了促进理解，在可能的情况下，相同元件符号已用于代表诸图共用的相同元件。应涵盖，一个实施例的元件及特征结构可有利地并入其他实施例而无需赘述。然而，应注意，附图仅图示出本发明的示范性实施例，且因此该等附图不欲视为本发明范畴的限制，因为本发明可允许其他同等有效的实施例。

【具体实施方式】
[0060]在图1中描述的等离子体反应器10包括在图1A的放大视图中描述的上部分20及在图1B的放大视图中描述的下部分30。参看图1、图1A及图1B，等离子体反应器10包括具有侧壁105及盖组件110的等离子体处理腔室100。侧壁105具有诸如圆筒的轴向对称形状。侧壁105包括轴向对称(例如，圆柱形)介电侧窗106及可由金属形成的腔室衬垫107。腔室100内部的工作件支座115包括:具有工作件支座表面121的基座120，该工作件支座表面面向用于固持工作件122的盖组件110 ;及支撑基座120的柱125。由盖组件110、基座120及侧壁105来围束腔室100的处理区域101。基座120可包括绝缘内部电极130。可视情况经由延伸穿过柱125的电缆132供应静电卡盘(electrostatic chucking ；ESC)电压及/或RF等离子体偏压功率至内部电极130。可耦接电缆132至RF偏压电源(诸如RF阻抗匹配网络及/或RF功率产生器)，作为至电极130的RF偏压馈送。可作为可是刚性(或柔性)的同轴传输线或作为柔性同轴电缆提供电缆132。
[0061]通过一组线圈天线将等离子体源功率感应性耦合入处理区域101，该组线圈天线包括内层线圈天线140、中间线圈天线150及外层或侧面线圈天线160，相对于彼此同心地安置所有线圈天线且该等线圈天线与侧壁105的对称轴同轴。盖组件110包括碟形介电视窗112，内部线圈天线140及中间线圈天线150经由该介电视窗将RF等离子体源功率感应性耦合入处理区域101内。碟形介电视窗112与侧壁105同轴且具有平行于工作件支座表面121的平面的圆碟平面。侧面线圈天线160经由圆柱形介电侧窗106将RF等离子体源功率感应性耦合入处理区域101内。介电视窗106及介电视窗112可统称为视窗组件。
[0062]参看图1A及图2，在一个实施例中，内层线圈天线140包括四个导体线140_1至140-4，每一者沿180度弧长绕恒定半径螺旋缠绕，该等内层线圈天线的末端以均匀隔开90度的间隔交错(亦即，沿圆周方向偏移)，如图2所描述。通过以倒置金属碗142形式呈现的RF电流分配器提供RF功率到导体线140-1至140-4的均匀及对称分布，该倒置金属碗具有接触每一导体线140-1至140-4的顶端的圆形底部边缘144及连接至内层RF馈送杆148的盖146。通过至内部接地遮罩149 (图1A)的连接将四个导体线140-1至140-4的底端接地，该内部接地遮罩以与线圈天线140同轴的圆柱形金属套管形式呈现且位于内层线圈天线140与中间线圈天线150之间。内部接地遮罩149提供自四个导体线140-1至140-4的接地电流的均匀及对称分布，且通过抑制内层线圈天线140与中间线圈天线150之间的互感进一步提供内层线圈天线140与中间线圈天线150之间的RF遮罩或隔绝。此举增强了内层线圈天线140及中间线圈天线150的独立控制。
[0063]参看图1A及图3，在一个实施例中，中间线圈天线150包括四个导体线150_1至150-4，每一者沿180度弧长绕恒定半径螺旋缠绕，该等导体线的末端以均匀隔开90度的间隔交错，如图3所描述。通过以圆柱形金属套管152形式呈现的RF电流分配器提供RF功率到线导体150-1至150-4的均匀及对称分布，该圆柱形金属套管具有接触每一导体线150-1至150-4的顶端的圆形底部边缘154及连接至四个轴向RF馈送杆158的环形阵列的圆形顶部边缘156。通过图5中描述的导体结构将RF功率馈送至RF馈送杆158，随后将在此说明书中描述该操作。
[0064]再参看图1A，通过至中间接地遮罩159的连接将四个导体线150_1至150_4的底端接地。中间接地遮罩159可以圆筒形式呈现。然而，在图1A虚线所描述的一个实施例中，中间接地遮罩159的顶部是与线圈天线150同轴的金属环159-1。四个导电脚159a至159d(在图1A中仅可见四个导电脚中的脚159a及脚159c)自环159-1向下轴向延伸且具有接触四个导体150-1至150-4的底端的底端。中间接地遮罩159提供自四个导体线150-1至150-4的接地电流的均匀及对称分布。
[0065]参看图1A及图4，在碟形介电视窗112的平面下安置侧面线圈天线160且该侧面线圈天线环绕圆柱形介电侧窗106。在一个实施例中，侧面线圈天线160包括八个导体线160-1至160-8，每一者沿90度的弧长绕恒定半径螺旋缠绕，该等侧面线圈天线的末端以均匀隔开45度的间隔交错，如图4所描述。通过以倒置金属碗162 (图1A)形式呈现的RF电流分配器提供RF功率到导体线160-1至160-8的均匀及对称分布，该倒置金属碗具有附接于各别轴向导体161-1至161-8(在图1A中仅可见轴向导体161-1及轴向导体161-5)的圆形底部边缘164，该等轴向导体分别接触导体线160-1至160-8的顶端。倒置金属碗162进一步具有连接至八个均匀隔开的轴向RF馈送杆168的环形阵列的圆形顶部边缘166。圆柱形外层腔室壁170环绕侧面线圈天线160且接地。通过至外部腔室壁170的连接将八个导体线160-1至160-8的底端接地。尽管所描述的实施例包括分别通过接地遮罩149、接地遮罩159及外部腔室壁170将线圈天线140、线圈天线150及线圈天线160直接连接至接地，但是至接地的该连接可能不需要直接连接，且取而代之的是，至接地的该连接例如可经由诸如电容器的元件达成。
[0066]参看图5,与中间线圈天线150相关联的四个轴向RF馈送杆158延伸到连接至共用轴向馈送杆174的四个径向RF馈送杆172。参看图6，与侧面线圈天线160相关联的八个轴向RF馈送杆168延伸到连接至共用轴向馈送杆178的八个径向RF馈送杆176。轴向RF馈送杆148、共用轴向馈送杆174及共用轴向馈送杆178 f禹接RF功率至各别线圈天线140、线圈天线150及线圈天线160。可自共用RF源或自诸如RF匹配(RF阻抗匹配网络)180及182的不同RF源供应电力。如以下参考图20B将描述，可使用具有双输出的RF阻抗匹配网络以便利用第一 RF产生器驱动线圈天线中的两者，而第二 RF产生器及第二 RF阻抗匹配网络驱动第三线圈天线。或者，如以下参考图20A将描述，三个RF产生器可经由三个各别RF阻抗匹配网络个别地驱动三个线圈天线。在又一实施例中，单一 RF功率产生器可经由具有三个输出的RF阻抗匹配网络驱动全部三个线圈天线。在前述实施例的一些实施中，可个别地调整应用于不同线圈天线的RF功率电平以便控制等离子体离子密度的径向分布。尽管所描述的实施例包括三个线圈天线140、线圈天线150及线圈天线160,但是其他实施例可仅包括三个所描述线圈天线140、线圈天线150及线圈天线160中的一或两者。
[0067]如图1A、图5及图6所描述，仅轴向RF馈送杆148对称位于侧壁105的对称轴处，而轴向馈送杆174及轴向馈送杆178位于偏离中心处。此特征是不对称的。相对于侧壁105的对称轴对称地排列轴向RF馈送杆148、轴向RF馈送杆158及轴向RF馈送杆168。大体平行于工作件支座面121的大体碟形导电接地板184含有开口，轴向RF馈送杆148、轴向RF馈送杆158及轴向RF馈送杆168延伸穿过该等开口。接地板184在上部区域与下部区域之间提供分隔，该上部区域含有非对称排列的轴向馈送杆174及轴向馈送杆178(及对称定位的RF馈送杆148的上部分)，该下部区域仅含有诸如轴向RF馈送杆148、轴向RF馈送杆158及轴向RF馈送杆168的对称特征。RF馈送杆148、RF馈送杆158及RF馈送杆168与接地板184电气绝缘。接地板184电磁遮罩处理区域101，避免接地板184上方不对称特征的效应及亦防止在工作件122的等离子体处理中的歪斜效应。
[0068]参看图1及图7，碟形介电视窗112的直径小于外层腔室壁170的直径。通过环形顶部气体板200 (随后在此说明书中描述)在视窗缘周处支撑视窗112，该环形顶部气体板跨越外部腔室壁170与视窗112之间的间隙，同时维持视窗112下方的空间不含原本抑制RF功率电感耦合入处理区域101内的结构。碟形介电视窗112的直径不会因此限制腔室直径。内层线圈天线140及中间线圈天线150(与碟形介电视窗112共同延伸)可控制在直径小于工作件或晶圆122的直径的中间区域内的等离子体离子密度分布。通过侧面线圈天线160经由圆柱形介电视窗106来调控外部区域内的等离子体密度。此举提供对跨越整个晶圆的等离子体离子密度分布的控制，且不需要碟形介电视窗112的直径伴随的增大。
[0069]参考以上所述，环形顶部气体板200支撑碟形介电视窗112及跨越外部腔室壁170与碟形介电视窗112的缘周之间的间隙或距离。顶部气体板200包括环绕开口 204的环形物202。环形物202的顶部内缘202a位于介电视窗112的外缘112a下且支撑外缘112a，以及环绕开口 204。环形物202的底部外缘202b静置于外部腔室壁170上。开口 204面向碟形介电视窗112。(外层线圈天线160的)轴向导体161-1至161-8延伸穿过顶部气体板200中的各别绝缘体171。
[0070]加热碟形介电视窗112及圆柱形介电侧窗106且独立于彼此控制该两者的各别温度。通过此说明书中随后将描述的风扇系统冷却及通过现所描述的独立加热器元件加热，而独立加热及冷却碟形介电视窗112及圆柱形侧窗106。图1A、图7及图8中描述的平面加热器层220覆盖于碟形介电视窗112上。加热器层220是碟形法拉第遮罩形式，具有外部环形物222及自外部环形物222向内部径向延伸的数个径向指224，通过均匀隔开的孔226使得径向指224彼此分隔。径向指224的间隔(界定孔226的宽度)足以容许RF功率经由加热器层220的电感耦合。加热器层220相对于侧壁105的轴对称。尽管可使用任何适宜数目的径向指，在图示实例中有24个径向指224。通过加热器层220内的内部电阻元件229 (图7)电加热加热器层220。
[0071]在圆柱形介电视窗106与外层线圈天线160之间安置图1A及图9中描述的圆柱形法拉第遮罩层230，且圆柱形法拉第遮罩层230环绕圆柱形介电侧窗106。圆柱形法拉第遮罩层230具有上圆柱形环232与下圆柱形环234及数个轴向脚236，该等轴向脚在上圆柱形环232与下圆柱形环234之间轴向延伸且通过均匀隔开的间隙238分隔。可通过在法拉第遮罩层230内或与法拉第遮罩层230接触的内部元件(诸如图1A及图7所示的加热器层231)电加热圆柱形法拉第遮罩层230。
[0072]通过中央双区域顶板气体注射器300 (图1A)及周边(侧面)气体注射器310 (图7)的环形阵列将处理气体注入处理区域101。顶板气体注射器300位于碟形介电视窗112的中央。在接近侧壁106的顶部气体板200上支撑周边气体注射器310。
[0073]参看图7、图10及图11A,盖组件110包括环形气流板320。通过如图7所示的弹簧板322在气流板320上固持加热器层或法拉第遮罩220。气流板320具有三个气体输入端口 321a、321b、321c(图10)。气流板320提供自输入端口 321a至双区域顶板气体注射器300的第一区域的递回气流路径、自输入端口 321b至双区域气体注射器300的其他区域的递回气流路径以及自气体输入端口 321c至侧面气体注射器310的递回气流路径。经由图1lB的仰视图中可见的气流板320的底表面内的各别气体端口 312馈送侧面气体注射器310。递回气流路径提供均匀分布的气流路径长度至不同的气体注射区域。亦可通过递回气流路径增强气体分布的均匀性控制。
[0074]参看图11A，气流板320内的第一组或第一级递回气流路径330经由气体端口 312将气体馈送至侧面气体注射器310。第一组递回气流路径330包括半圆形气流路径或通道331。耦接气体注射端口 321c至半圆形气流通道331的中点。气流路径331延伸约半圆及在路径331末端处供给一对弓状气流路径332的中点，弓状气流路径332的每一者延伸四分之一圆，接着弓状气流路径332在路径332的各别末端处供给四个弓状气流路径334的中点，四个弓状气流路径334的每一者延伸约八分之一圆。四个弓状气流路径334在路径334末端处供给八个弓状气流路径336的中点，八个弓状气流路径336的每一者延伸约十六分之一圆。气流路径336的末端供给用于气流的气体端口 312至侧面气体注射器310。
[0075]参看图12，在覆盖于碟形介电视窗112上的一对相对的径向气流接线340、径向气流接线342中向双区域气体注射器300的一个区域输送气流。在覆盖于碟形介电视窗112上的第二对相对的径向气流接线344、径向气流接线346中向双区域气体注射器300的其他区域输送气流，且与第一对径向气流接线340、径向气流接线342成直角安置第二对相对的径向气流接线344、径向气流接线346。通过轴向耦接至双区域气体注射器300的气流毂提供自四个径向气流接线340、342、344、346至双区域气体注射器300的连接。
[0076]再参看图11A，半圆形气流通道353提供自气体输入端口 321b至第一对径向气流接线340、径向气流接线342的外部末端的气流的均匀分布。四分之一圆形气流通道357自输入端口 321b至半圆形气流通道353的中点提供气流。半圆形气流通道355自气体输入端口 321a至第二对径向气流接线344、径向气流接线346的外部末端提供均匀气流。
[0077]如图12、图12A及图12B所描述，可将覆盖于碟形介电视窗112上的四个径向气流接线340、342、344、346的各者围入加热器层220的径向指224的各别径向指中。
[0078]如以上参看图1及图12的所述，气流毂350提供四个径向气流接线340、342、344、346与双区域气体注射器300之间的耦合。图13中描述双区域气体注射器300的一个实例。图13的双区域气体注射器300包括具有轴向内部环形通道302-1的中央气体施配器302及具有倾斜中间环形通道304-1的中间气体施配器304，轴向内部环形通道302-1轴向地延伸且将气体扩散至径向内部区域A，倾斜中间环形通道304-1将气体扩散至径向外部区域B。现将参看图13、图14A、图14B、图15及图16描述气流毂350。毂350具有四个进气端口 352、354、356及358，该等进气端口经定向彼此成直角及可连接至如虚线所示的四个径向气流接线340、342、344、346。进气端口 352及进气端口 354分别供给各别的分流气体分布接线对360、362，该等接线对360、362终止于沿圆形内部分布通道366的四个等间隔点，通道366与双区域气体注射器300的轴向内部环形通道302-1对准。进气端口 356及进气端口 358分别供给各别的分流气体分布接线对370、372，该等接线对370、372终止于沿圆形中间分布通道374的四个等间隔点，通道374与双区域气体注射器300的轴向中间环形通道304-1对准。
[0079]再参看图1lB的底视图，在一个实施例中，可在气流板320内提供可选冷却通道390，该冷却通道以形成连续路径的圆形供应通道390a及圆形返回通道390b的形式呈现。外部冷却剂端口 392a及外部冷却剂端口 392b提供供应通道390a及返回通道390b至外部冷却剂源(图1lB中未图示)的连接。可视情况在外部腔室主体壁170内提供内部冷却剂通道及经由冷却剂输入端口供给该内部冷却剂通道。
[0080]参看图1及图1B，在包括圆柱形下腔室主体侧壁405及下腔室主体底板410的下腔室主体400内围起腔室衬垫107。下腔室主体侧壁405及下腔室主体底板410围起抽空区域411。腔室衬垫107包括以倒置截圆锥形式呈现的上圆柱段107-1及下环形栅格107-2。在底板410中的真空泵开口 410a内安置真空泵440且相对于侧壁105的对称轴居中放置该真空泵。与工作件支座115同轴的安全壳壁415及在基座120与安全壳壁415之间延伸的柔性波纹管417将工作件支座115围入内部中央空间419。中央空间419与真空泵440抽空的体积隔绝，该体积包括抽空区域411及处理区域101。参看图1B、图17及图18，存在界定径向出入通道421的三个中空径向支柱420，该等中空径向支柱隔开120度间隔，延伸穿过腔室主体侧壁405及提供出入口至中央空间419。在三个径向支柱420之间界定三个轴向排气通道430。经由径向出入通道421中不同的通道可提供不同的实用性，例如包括连接至电极130的射频功率电缆132、在工作件支座115内连接至加热器元件的加热器电压供应线、连接至电极130的静电卡盘电压供应线、冷却剂供应线及在工作件支座表面121内用于背面氦气通道的氦供应线。相对于腔室主体固定工作件支座提升致动器450及该提升致动器轴向地移动工作件支座115。可使用工作件支座提升致动器450以改变工作件122与盖组件110之间的距离。改变此距离改变了等离子体离子密度的分布。可使用提升致动器的移动以改良跨越工作件122的表面的工艺(例如，蚀刻)速率分布的均匀性。可通过使用者(例如)经由可编程控制器控制提升致动器450。
[0081]包括真空泵开口 410a及轴向排气通道430的轴向居中排气组件在处理跨越工作件122的分布中避免不对称性或歪斜。环形栅格107-2遮蔽处理区域101，避免径向支柱420的不连续性或影响。具有接地板184下射频电流流动的对称分布的轴向居中排气组件的组合最小化处理区域101内的歪斜影响及增强处理区域101内的工艺均匀性。
[0082]图19描述穿过图1A的上截段20的冷却气流。参看图1A及图19，腔室主体侧壁406环绕盖组件110。在腔室主体侧壁406的顶部边缘与接地板184的周围边缘之间安装例如以截圆锥形式呈现的下气室壁500以围起下气室502。在下气室壁500中的各别开口506内安装排气风扇504的环形阵列。
[0083]接地板184具有中央开口 600，该中央开口与内部接地遮罩149共同延伸。圆柱形气室中央壁606与中央开口 600共同延伸。气室板610覆盖于气室中央壁606上。在返回腔室侧壁608、气室板610、接地板184及中央壁606之间围起返回腔室612。返回腔室侧壁608包括气流筛段609。穿过接地板184的开口 614容许下气室502与返回腔室612之间的气流。
[0084]通过以截圆锥形式呈现的上气室侧壁660在顶板655与气室板610之间围起上气室650。在上气室侧壁660中的各别开口 667处安装数个进气风扇665。
[0085]进气风扇吸取空气进入上气室650，气流向下流动穿过由中央壁606、接地板开口600及中间接地遮罩149形成的中央开口。覆盖于蝶形介电视窗112上的环形气流板670围束了板670与视窗112之间的气流。举例而言，此空气可流过图8中法拉第遮罩220的孔226。或者(或此外)，可将空气围束于气流板670与视窗112之间的间隙内。穿过圆柱形遮罩149的向下气流经由板670的中央开口进入每一孔226内的空间且在蝶形介电视窗112上方向外径向流动，并进入下气室502。空气自下气室502逸入返回腔室612，又可经由返回腔室侧壁608的筛段609自该返回腔室排出。因此，进气风扇665对蝶形介电视窗112提供冷却。
[0086]排气风扇504针对圆柱形介电视窗106提供冷却。排气风扇504经由下腔室侧壁170内的进气端口 680吸取空气及传递至圆柱形介电视窗106。通过自排气风扇504独立地操作进气风扇665，可独立补偿不同介电视窗106及介电视窗112上的不同热负载，用于每一视窗的精确温度控制。
[0087]图20A描述用于三个线圈天线140、150、160的射频源的一个实施例，该射频源具有独立射频产生器740-1、射频产生器740-2、射频产生器740-3及用于各别线圈天线140、150、160的射频阻抗匹配网络742-1、射频阻抗匹配网络742-2、射频阻抗匹配网络742-3。图20B描述自单一射频产生器750-1经由具有双输出的射频阻抗匹配网络驱动内层线圈天线140及中间线圈天线150的实施例。双输出射频阻抗匹配网络180可促进应用于内层线圈天线140及中间线圈天线150的功率电平的差动控制。由射频产生器750-2经由射频阻抗匹配网络182驱动外层线圈天线160。双输出射频阻抗匹配网络180充当两个单独的射频电源，使得该系统中总共存在三个射频电源。在每一上述实施例中，可在如图1A所描述的顶板655上安置射频阻抗匹配网络。
[0088]图21描述用于控制图1中等离子体反应器的控制系统。控制系统回应于等离子体反应器内不同位置的温度传感器，诸如在圆柱形介电视窗106处或在圆柱形介电视窗106内的温度传感器106’及在蝶形介电视窗112处或在蝶形介电视窗112内的温度传感器112’。控制系统包括例如可作为微处理器实施的可编程控制器800。控制器800具有用于接收温度传感器106’的输出的输入802及用于接收温度传感器112’的输出的输入804。控制器800具有独立指令输出，包括调控进气风扇665的速度的输出806、调控排气风扇504的速度的输出808、调控至气流板320内冷却剂端口 392a的冷却剂的流动速率的输出810、调控接近介电视窗112处电加热器229的功率电平的输出812及调控在圆柱形介电视窗106处电加热器231的功率电平的输出814。
[0089]在一个实施例中，控制器800经编程以回应于输入802、输入804调控输出808至814，以便维持视窗106、视窗112处于各别目标温度，该等目标温度可通过使用者提供至控制器输入816及输入818。可编程控制器800使得按回馈控制回路方式操作，以最小化使用者输入816与传感器输入802之间的差异及最小化使用者输入818与传感器输入804之间的差异。
[0090]如上所述，各种上述实施例中的一些有利影响包括用于增强等离子体分布对称性的射频功率到线圈天线的对称分布。对线圈遮罩不对称射频馈电结构减小了等离子体分布中的歪斜效应。线圈天线馈送之间的互相遮罩增强了线圈天线的独立控制，获得等离子体密度分布的优异控制。与对称线圈天线结合的对称腔室排气提供了具有对称等离子体分布的高密度等离子体源。用于不同射频线圈的单独介电视窗使得不同的介电视窗能够独立热控制。在处理区域处或在处理区域上方个别地支撑不同介电视窗使得腔室直径能够增加超过每一个别介电视窗的直径，促进了腔室直径的较大增长。可移动工作件支座电极与对称线圈天线组合，允许优异地控制中央至边缘的等离子体密度分布，使得不对称的不均匀性分量最小化。可移动工作件支座电极与对称线圈天线组合及进一步与对称腔室排气组合允许更好地控制中央至边缘的等离子体密度分布，使得不对称的不均匀分量最小化。
[0091]图22至图27描述在一个实施例中可具有三角对称性的RF馈送结构。图22至图27的实施例是图1A的实施例的变型及包括以上参考图1A描述的元件，该等元件使用相同元件符号。图22至图28的实施例包括覆盖于顶部板655上方的圆柱形侧壁902上的顶板900。在顶板900处提供三个RF功率端子904a、904b、904c及可在固持于顶板900中的连接模块904内安放该等端子。在RF功率端子904a与用于内层线圈140的RF电流分配器142之间连接中央RF连接杆906。
[0092]通过中间RF分配环908将用于中间线圈150的RF功率分配至四个轴向RF馈送杆158，中间RF分配环908具有四个连接至各别RF馈送杆158顶部的径向臂910a至91d (图26)。在导电接地板184上方安置中间RF分配环908且该中间RF分配环与导电接地板184隔开。在RF功率端子904b与中间RF分配环908之间连接中间RF连接杆912。
[0093]接地板184具有中央开口 600。在一个实施例中，可通过导电格栅970覆盖中央开口 600，从而容许气流穿过中央开口 600。
[0094]通过外部分配圆筒914将用于外层线圈160的RF功率分配至八个轴向RF馈送杆168。在一个实施例中，外部分配圆筒914与线圈140、线圈150及线圈160的对称轴同轴。外部分配圆筒914具有在顶部板655上方的顶部部分914a (图25)及在气室板610下方的底部部分914b。八个径向臂915a至915h (图25)自外部分配圆筒914的底部914b延伸至八个轴向RF馈送杆168的各别馈送杆。在外部分配圆筒914的顶部914a与RF功率端子904c之间连接外部RF连接杆916 (图24及图25)。在一个实施例中，外部分配圆筒914是中空的且环绕中央RF连接杆906及中间RF连接杆912。外部分配圆筒914分别延伸穿过接地板610内的开口 610a及接地板655内的开口 655a。开口 610a及开口 655a的直径足以在接地板610、接地板655与外部分配圆筒914之间分别提供间隙611、间隙656。在一个实施例中，考虑到在RF功率端子904c处供应的RF电压，间隙611及间隙656是足够宽的，以便在操作(例如，大气)压力下防止放电或击穿。
[0095]外部分配圆筒914的底部914b在中间RF分配环908上方处于轴向位置。在一个实施例中，外部分配圆筒914及中间RF分配环908是同轴的且轴向地彼此隔开，及可具有相同直径。在一个实施例中，中间RF分配环908装配在外部分配圆筒914的底部914b与接地板184之间。中间RF分配环908与外部分配圆筒914的底部914b隔开及与接地板184隔开。在一个实施例中，中间RF分配环908的轴长小于外部圆筒914的底部914b与接地板184之间的轴向距离。
[0096]在一个实施例中，外部分配圆筒914的顶部部分914a的边缘相邻于与图24剖面线24A-24A重合的径向平面。三个RF连接杆906、912及916轴向延伸及在三个点907、913及917 (图24A)处分别与外部分配圆筒914的顶部边缘的径向平面相交。在一个实施例中，三个交点907、913及917作为等边三角形的顶点对称排列，在外部分配圆筒914内提供三角对称性。在一个实施例中，RF连接杆906、RF连接杆912及RF连接杆916分别具有径向过渡段906a、径向过渡段912a及径向过渡段916a,定位杆906、定位杆912及定位杆916的顶端与RF功率端子904a、RF功率端子904b及RF功率端子904c的各别端子对准。径向过渡段906a、径向过渡段912a及径向过渡段916a在与剖面线24A-24A重合的径向平面上方。
[0097]图28至图31描述图22至图27的实施例的变型，在变型的一个实施例中，RF馈送结构具有同轴对称性。在RF功率端子904a与用于内层线圈140的RF电流分配器142之间连接中央RF连接杆920。在一个实施例中，中央RF连接杆920是直的及与线圈140的对称轴重合。
[0098]在图28至图31的实施例中，通过中间RF分配管922将用于中间线圈150的RF功率分配至四个轴向RF馈送杆158。在一个实施例中，中间RF分配管922是中空的及呈圆柱形。中间RF分配管922具有在顶部板655上方的顶部部分922a (图31)及在气室板610下方的底部部分922b。四个径向臂924a至924d自中间RF分配管922的底部部分922b向外径向延伸至各别RF馈送杆158的顶端。在一个实施例中，中间RF分配管922的顶部部分922a具有自RF分配管922向外径向延伸的环形凸缘922c。安装于环形凸缘922c上的轴向中间RF连接杆925向上延伸至RF功率端子904b。在一个实施例中，中间RF分配管922环绕中央RF连接杆920且与该中央RF连接杆同轴。
[0099]在图28至图31的实施例中，通过外部分配圆筒930将用于外层线圈160的RF功率分配至八个轴向RF馈送杆168。在一个实施例中，外部分配圆筒930是中空的且与线圈140、线圈150及线圈160的对称轴同轴。
[0100]外部分配圆筒930具有在顶部板655上方的顶部部分930a(图30)及在气室板610下方的底部部分930b。八个径向臂931a至931h自外部分配圆筒930的底部部分930b延伸至八个轴向RF馈送杆168的各别馈送杆。在一个实施例中，外部分配圆筒930的顶部部分930a具有环形凸缘930c，该环形凸缘位于径向平面中及自外部分配圆筒930向外径向延伸。在一个实施例中，环形凸缘930c轴向地位于中间RF分配管922的环形凸缘922c的水准之下。外部连接杆932自环形凸缘930c向上延伸至RF功率端子904c。外部分配圆筒930环绕中间RF分配管922且与该中间RF分配管同轴。外部分配圆筒930分别延伸穿过接地板610内的开口 610a及接地板655内的开口 655a。开口 610a及开口 655a的直径足以在各别板610、655与外部分配圆筒930之间提供各别间隙611、656。在一个实施例中，给定在RF功率端子904c处供应的RF电压的情况下，间隙611及间隙656是足够宽的，以便在操作(例如，大气)压力下防止放电或击穿。
[0101]图32至图34描述图28至图31的实施例的变型，在变型中于外部分配圆筒930与顶板655之间连接间隔分开的电容器934。在一个实施例中并联连接电容器934及均匀隔开该等电容器，及选择电容器的电容以在施加于外层线圈160的RF功率的频率下提供谐振。此种谐振效应将增强包括外部分配圆筒930的RF馈送结构内的RF功率分配的均匀性。在一个实施例中，轴向唇930d自轴向凸缘930c的外缘向上延伸，且轴向唇930d为多边形，具有数个平工作面，在该等工作面上安装电容器934的各别电容器及将该等电容器连接至轴向唇930d。提供直角托架936用于连接每一电容器934的面向外部的末端至顶板655。在所图示的实施例中，尽管可使用任何适宜数目的电容器及工作面，但有八个电容器934及轴向唇930d具有八个工作面。
[0102]图32至图34的电容器934的阵列亦可并入图22的实施例。在一个实施例中，例如在图22的外部分配圆筒914与顶板655之间连接电容器。
[0103]图35至图36描述图32至图34的实施例的变型，该变型在至三个线圈140、150、160的RF馈送之间具有电磁遮罩。在一个实施例中，此特征增强了 RF馈送的独立控制。在图35至图36中，由缩短的外部分配圆筒940替代外部分配圆筒930,缩短的外部分配圆筒940自顶端940a向下短距离延伸至底端940b且并未到达气室板610。径向凸缘940c自缩短的分配圆筒940的顶端940a向外延伸。裙部件942自缩短的分配圆筒940的底端940b向外径向延伸。RF馈送杆944轴向地延伸穿过气室板610内的个别孔及穿过接地板184内的开口，而未电接触气室板610或接地板184。在RF馈送杆944顶端连接RF馈送杆944至裙部件942的缘周及在RF馈送杆944底端连接RF馈送杆944至用于外层线圈160的RF电流分配器162的顶部。
[0104]内部遮罩950环绕中央RF连接杆920及位于中间RF分配管922的中空内部中。在一个实施例中，内部遮罩950为在顶端具有径向延伸凸缘950-1的中空圆筒。内部遮罩950向下延伸至(及接触)导电格栅970，并在此终止。在一个实施例中，内部遮罩950将RF连接杆920及中间RF分配管922彼此电磁遮罩。在一个实施例中，内部遮罩950、RF连接杆及中间RF分配管922是同轴的。分别通过圆柱形间隙921及间隙923将内部遮罩950与RF连接杆及与中间RF分配管922分隔，此举足以在间隙921及923内防止放电或击穿。
[0105]在中间RF分配管922与顶端包括径向凸缘955-1的缩短RF分配圆筒940之间安置上部遮罩955。在一个实施例中，上部遮罩955是与缩短的RF分配圆筒940同轴及与中间RF分配管922同轴的中空圆筒，且该上部遮罩环绕中间RF分配管922。上部遮罩955向下延伸至气室板610内的开口 610a。裙部件957自上部遮罩955的底部边缘955a向外径向延伸且该裙部件具有足够的半径以覆盖于气室板610内的开口 610a的边缘上方，从而覆盖气室板610与上部遮罩955之间的分隔间隙。
[0106]中间圆柱形遮罩960自气室板610轴向地延伸及朝接地板184延伸。在实施例中，中间圆柱形遮罩960与遮罩950及遮罩955同轴。下部圆柱形遮罩965自接地板184向下延伸至底部边缘965a。包括中空截圆锥形状部分的底部遮罩971自下部圆柱形遮罩965的底部边缘965a向下延伸至圆柱形基座972。圆柱形基座972围绕底部遮罩971的底板974。
[0107]图22至图36的各种实施例中的有利影响包括RF功率到线圈天线的对称分布，用于增强等离子体分布对称性。举例而言，如参考图22及图24A所界定，图22的RF馈送结构具有三角对称性。对线圈遮罩不对称特征减小了等离子体分布中的歪斜效应。在图22至图36的实施例中通过接地板184、气室板610及顶板655提供此种遮罩。举例而言，通过凸缘922c与930c及裙部件942与957进一步提供此种遮罩。由顶部板655之上添加顶板900所给予的额外高度及将RF功率端子凸起至顶板900改良了 RF电流分配均匀性。据信，此添加高度增加了 RF电流穿过RF馈送的长度，可平衡RF馈送上的电流分配以增加均匀性。线圈天线馈送的彼此遮罩增强了线圈天线的独立控制，获得对等离子体密度分布的优异控制。
[0108]尽管上文所述是针对本发明的实施例，但是可在不脱离本发明的基本范畴的情况下设计出本发明的其他及进一步实施例，且由以下权利要求书决定本发明的范畴。
【权利要求】
1.一种等离子体反应器包含: 视窗组件； 与所述视窗组件相邻的内层线圈天线、中间线圈天线及外层线圈天线，及分别耦接至所述内层线圈天线、所述中间线圈天线及所述外层线圈天线的内部电流分配器、中间电流分配器及外部电流分配器； 顶板，所述顶板覆盖所述视窗组件及所述顶板处的第一 RF功率端子、第二 RF功率端子及第三RF功率端子； 第一轴向RF功率馈送、第二轴向RF功率馈送及第三轴向RF功率馈送，在所述第一 RF功率端子、所述第二 RF功率端子及所述第三RF功率端子的各别端子与所述内部电流分配器、所述中间电流分配器及所述外部电流分配器的各别分配器之间连接； 其中所述第三轴向RF功率馈送包含中空轴向外部RF功率分配圆筒，所述中空轴向外部RF功率分配圆筒环绕所述第一轴向RF功率馈送及所述第二轴向RF功率馈送。
2.如权利要求1所述的等离子体反应器，其特征在于，所述第二轴向RF功率馈送包含中空轴向中间RF功率分配圆筒，所述中空轴向中间RF功率分配圆筒环绕所述第一轴向RF功率馈送。
3.如权利要求2所述的等离子体反应器，其特征在于，所述第一轴向RF功率馈送包含中央RF连接杆，且其中所述中央RF连接杆、所述中空中间RF功率分配圆筒及所述外部RF分配圆筒是同轴的。
4.如权利要求3所述的等离子体反应器，其特征在于，所述内层线圈天线、所述中间线圈天线及所述外层线圈天线是与所述中央RF连接杆同轴的。
5.如权利要求3所述的等离子体反应器，进一步包含: 气室板，所述气室板与所述顶板隔开及位于所述顶板下，以及所述气室板包含中央开□。
6.如权利要求5所述的等离子体反应器，其特征在于，所述外部RF分配圆筒延伸穿过所述中央开口，在所述气室板与所述外部RF分配圆筒之间具有间隙，所述等离子体反应器进一步包含: 径向凸缘，所述径向凸缘自所述外部RF分配圆筒延伸及覆盖于所述间隙上。
7.如权利要求2所述的等离子体反应器，进一步包含: 自所述中间RF分配圆筒向外延伸的数个径向中间臂及自所述数个径向中间臂延伸至所述中间电流分配器上的间隔分离位置的数个轴向中间脚； 自所述外部RF分配圆筒向外延伸的数个径向外部臂及自所述数个径向外部臂延伸至所述外部电流分配器上的间隔分离位置的数个轴向外部脚。
8.如权利要求7所述的等离子体反应器，进一步包含接地板，所述接地板位于所述顶板下及位于所述中间电流分配器上方，所述数个轴向中间脚延伸穿过所述接地板。
9.如权利要求8所述的等离子体反应器，其特征在于，所述数个轴向外部脚延伸穿过所述接地板。
10.如权利要求8所述的等离子体反应器，其特征在于: 所述内层线圈天线、所述中间线圈天线及所述外层线圈天线的各者包含具有RF供应端的数个导体； 所述内部电流分配器、所述中间电流分配器及所述外部电流分配器的各者包含轴向对称的中空主体，所述中空主体包含面向所述内层线圈天线、所述中间线圈天线及所述外层线圈天线的相应者的所述数个导体的所述供应端的底部。
11.如权利要求5所述的等离子体反应器，进一步包含: 数个间隔分离电抗元件，所述数个间隔分离电抗元件耦接至所述外部RF功率分配圆筒。
12.如权利要求11所述的等离子体反应器，其特征在于，所述电抗元件包含耦接于所述RF功率分配圆筒与所述顶板之间的离散电容器。
13.如权利要求8所述的等离子体反应器，进一步包含: 中空圆柱形内部遮罩，所述中空圆柱形内部遮罩在所述中央RF连接杆与所述中间RF分配圆筒之间；以及 中空圆柱形上部遮罩，所述中空圆柱形上部遮罩在所述中间RF分配圆筒与所述外部RF分配圆筒之间，所述上部遮罩包含底部边缘。
14.如权利要求13所述的等离子体反应器，进一步包含气室板，所述气室板与所述顶板隔开及位于所述顶板下以及所述气室板包含中央开口，所述上部遮罩延伸穿过所述中央开口及在所述气室板与所述上部遮罩之间界定内部间隙。
15.如权利要求13所述的等离子体反应器，进一步包含: 中间圆柱形遮罩，所述中间圆柱形遮罩向所述接地板轴向延伸及环绕所述数个轴向中间脚； 下部圆柱形遮罩，所述下部圆柱形遮罩自所述接地板向下延伸； 底部遮罩，所述底部遮罩自所述下部圆柱形遮罩的所述底部边缘向下延伸；以及圆柱形基座，所述圆柱形基座自所述底部遮罩轴向延伸，所述圆柱形基座环绕所述中间线圈。
【文档编号】H05H1/46GK104412718SQ201380035698
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2013年6月5日 优先权日:2012年7月20日
【发明者】J·A·肯尼, J·D·卡达希, K·S·柯林斯, R·福韦尔, K·拉马斯瓦米, S·拉乌夫 申请人:应用材料公司