一种浸泡桶的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种浸泡桶，包括桶体和进料口，进料口设于桶体的顶部，桶体内的下部设有隔层板，隔层板上均匀分布有通孔，桶体底部设有溶液排放管，该排放管的管口位置尽量靠近浸泡桶底部。浸泡桶的顶部连接有进气管，用于通入压缩空气，进气管另一端连通至隔层板与浸泡桶桶体的底部之间。进气管在桶体底部的一端管口连接有连通器，该连通器上均布有多个气孔。本发明提出的浸泡桶不仅能方便地过滤出清洗多晶硅原料的氢氟酸和氢氧化钠溶液，而且压缩空气的通入提高了清洗氢氟酸、氢氧化钠溶液和泡碱工艺的效率，缩短了泡酸泡碱工艺的时间，减轻了人工劳动强度，同时也降低企业的生产成本。
【专利说明】一种浸泡桶
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体材料清洗领域，尤其涉及一种多晶硅原料的清洗浸泡桶。
【背景技术】
[0002]在多晶硅原料的清洗过程中需进行泡酸泡碱工艺，首先将多晶硅原料放入浸泡桶内，加入氢氟酸，浸泡一定时间后可去除多晶娃材料上的金属杂质，然后需要把浸泡桶内的氢氟酸全部过滤出来，用离子水冲洗掉多晶硅原料上残留的氢氟酸后，再向浸泡桶内加入强碱氢氧化钠进行泡碱工艺，浸泡一段时候后再用离子水冲洗多晶硅原料上残留的氢氧化钠，将其过滤出来。
[0003]在泡酸泡碱工艺中，传统的浸泡桶进行多晶硅原料与氢氟酸或强碱氢氧化钠分离时，需将浸泡桶倾斜慢慢倒出内部的氢氟酸或氢氧化钠溶液，在清洗多晶硅原料上的残留液时需要用离子水反复冲洗然后倒出来，整个过程效率较低而且残留液也不易快速清理干净，还可能因附着的残留物而影响产品的质量。
【发明内容】
[0004]针对上述现有问题，本发明所要解决的技术问题在于提供一种浸泡桶，能在浸泡工艺中提高多晶硅原料与氢氟酸或氢氧化钠分离的工作效率，提高清洗质量，减少清洗后的溶液残留。
[0005]为了解决上述的技术问题，本发明采用的技术方案是一种浸泡桶，包括桶体和进料口，进料口设于桶体的顶部。桶体内的下部设有水平放置的隔层板，隔层板上均匀分布有通孔，使溶液能快速通过隔层板，清洗时便于与隔层板上的多晶硅原料过滤分离。
[0006]桶体底部设有溶液排放管，该排放管上安装有控制阀以控制其打开和关闭的状态，隔层板的水平位置高于溶液排放管的水平位置，优选地，该排放管的管口位置尽量靠近浸泡桶底部，以保证完成浸泡、清洗的溶液或离子水能完全排出。
[0007]优选地，浸泡桶的顶部连接有进气管，用于通入压缩空气，进气管另一端连通至隔层板与浸泡桶桶体的底部之间。进气管在桶体底部的一端管口连接有连通器，该连通器上均布有多个气孔，优选地，连通器可呈十字交叉形、圆形或方形等其他形状位于浸泡桶底部。向该进气管通入压缩空气时，压缩空气将透过隔层板向上运动同时产生很多气泡，带动周围的酸、碱溶液及多晶硅原料不断振动，使酸碱浸泡或清洗的过程更充分。
[0008]优选地，隔层板、进气管、连通器和溶液排放管均为耐酸耐碱材料制成。
[0009]本发明的技术方案有如下有益效果:该浸泡桶不仅能方便地过滤出清洗多晶硅原料的氢氟酸和氢氧化钠溶液，而且压缩空气的通入提高了清洗氢氟酸、氢氧化钠溶液和泡碱工艺的效率，缩短了泡酸泡碱工艺的时间，减轻了人工劳动强度，同时也降低企业的生产成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明的不当限定，在附图中:
[0011]图1为浸泡桶的主视图；
[0012]图2为浸泡桶的左视图；
[0013]图3为浸泡桶的俯视图。
[0014]附图中的标记:I进料口，2桶体，3进气管，4连通器，5隔层板，6溶液排放管，7控制阀。
【具体实施方式】
[0015]下面将结合附图以及具体实施例来说明本发明。
[0016]如图1?图3所示，一种浸泡桶，包括桶体2和进料口 1，进料口 I设于桶体2的顶部。桶体2内的下部设有隔层板5，隔层板5上均匀分布有通孔，使溶液能快速通过隔层板5，清洗时便于与隔层板5上的多晶硅原料过滤分离。
[0017]桶体2底部设有溶液排放管6，该溶液排放管6上安装有控制阀7以控制其打开和关闭的状态，隔层板5的位置高于溶液排放管6的位置，优选地，该排放管6的管口位置尽量靠近浸泡桶底部，以保证完成浸泡、清洗的溶液或离子水能完全排出。
[0018]进一步地，浸泡桶的顶部连接有进气管3，用于通入压缩空气，进气管3另一端连通至隔层板5与浸泡桶桶体2的低部之间。进气管3在桶体底部的一端管口连接有连通器4，该连通器4上均布有多个气孔，优选地，连通器4可呈十字交叉形、圆形或方形等其他形状位于浸泡桶底部。向该进气管3通入压缩空气时，压缩空气将透过隔层板5向上运动同时产生很多气泡，带动周围的酸、碱溶液及多晶硅原料不断振动，使酸碱浸泡或清洗的过程更充分。
[0019]在浸泡桶工作过程中，首先把多晶硅原料放入浸泡桶内，浸泡一定时间后打开浸泡桶底部的溶液排放管6，由于隔层板5上有均匀分布的通孔，氢氟酸通过该通孔可以快速的过滤出。然后关闭溶液排放管6，再向浸泡桶内加入清洗氢氟酸溶液用的离子水，随后通过进气管3通入压缩空气，压缩空气由隔层板5的通孔快速的向上运动，同时产生很多气泡，气泡的上升会带动周围的离子水和多晶硅原材料的震动，使浸泡桶内的离子水和多晶硅原材料形成一个内部流动的环境，相互粘附在一起的多晶硅原料也会因震动而分离开，从而快速地清洗残留在多晶硅原材上的氢氟酸溶液，然后打开底部的溶液排放管6，排出离子水后关闭排放管6。
[0020]然后进入泡碱工艺，泡碱工艺主要是为了去除残留在多晶硅原料上的油性杂质，向浸泡桶内加入氢氧化钠溶液后，再向进气管3通入压缩空气，产生的气泡带动氢氧化钠溶液和多晶硅原料震动，促使浸泡桶内的氢氧化钠溶液和多晶硅原料充分接触作用，与泡酸工艺类似的，泡碱工艺结束后向桶内通入离子水和压缩空气，来清洗多晶硅原材料上残留的氢氧化钠溶液。
[0021]该浸泡桶不仅能方便地过滤出清洗多晶硅原料的氢氟酸和氢氧化钠溶液，而且压缩空气的通入提高了清洗氢氟酸、氢氧化钠溶液和泡碱工艺的效率，缩短了泡酸泡碱工艺的时间，减轻了人工劳动强度，同时也降低企业的生产成本。
[0022]以上对本发明实施例所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本实施例的原理以及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只适用于帮助理解本发明的原理；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实施例，在【具体实施方式】以及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
【权利要求】
1.一种浸泡桶，包括桶体和进料口，所述进料口设于所述桶体的顶部，其特征在于:所述桶体内的下部设有水平放置的隔层板，所述隔层板上均匀分布有通孔，所述桶体底部设有溶液排放管，所述隔层板的水平位置高于所述溶液排放管的水平位置，所述浸泡桶还包括用于通入压缩空气的进气管，所述进气管的一端从所述桶体的顶部伸入至所述隔层板与所述桶体的底部之间。
2.如权利要求1所述的浸泡桶，其特征在于，所述进气管在所述桶体底部的一端管口连接有连通器，所述连通器上均布有多个气孔。
3.如权利要求2所述的浸泡桶，其特征在于，所述连通器呈十字交叉形或圆形或方形置于所述浸泡桶底部。
4.如权利要求1所述的浸泡桶，其特征在于，在所述溶液排放管上安装有控制阀。
5.如权利要求2或3所述的浸泡桶，其特征在于，所述隔层板、进气管、连通器和溶液排放管均为耐酸耐碱材料制成。
【文档编号】C30B35/00GK104328505SQ201410541163
【公开日】2015年2月4日 申请日期:2014年10月14日 优先权日:2014年10月14日
【发明者】王文广, 郑王海, 汪志才 申请人:浙江晟辉科技有限公司