铌层30的材料，使得第一五氧化二铌层30的透过率相对较低。
[0034] 第一五氧化二铌层30的厚度可以为〇A~1500A。在一个特别的实施例中，第 一五氧化二铌层30的厚度为0A,也就是说，第一五氧化二铌层30可以省略。
[0035] 第二二氧化硅层40的材料为Si02。SiO2的折射率为1. 48。采用SiO2作为第二二 氧化硅层40的材料，使得第二二氧化硅层40的透过率相对较高。
[0036] 第二二氧化硅层40的厚度为300A~2500A。
[0037] 第二五氧化二铌层50的材料为Nb205。Nb2O 5的折射率为2. 3。采用Nb 205作为第 二五氧化二铌层50的材料，使得第二五氧化二铌层50的透过率相对较低。
[0038] 第二五氧化二铌层50的厚度可以为20A~800/\。
[0039] 第三二氧化硅层60的材料为Si02。SiO2的折射率为1. 48。采用SiO2作为第三二 氧化硅层60的材料，使得第三二氧化硅层60的透过率相对较高。
[0040] 第三二氧化硅层60的厚度为400A~1500A。
[0041] 第三五氧化二铌层70的材料为Nb205。Nb2O 5的折射率为2. 3。采用Nb 205作为第 三五氧化二铌层70的材料，使得第三五氧化二铌层70的透过率相对较低。
[0042] 第三五氧化二铌层70的厚度为OA~800A。在一个特别的实施例中，第三五氧化 二铌层70的厚度为〇A，也就是说，第三五氧化二铌层70可以省略。
[0043] 氮化硅层80的材料为Si3N4。Si3N 4的折射率为2. 0。采用Si 3N4作为氮化硅层80 的材料，使得氮化硅层80的反射率相对较高。
[0044] 氮化娃层80的厚度为50A~1000A。
[0045] 这种半反半透玻璃，包括第一二氧化硅层20、第一五氧化二铌层30、第二二氧化 娃层40、第二五氧化二银层50、第三二氧化娃层60、第三五氧化二银层70及氮化娃层80， 透过率高低结合的合适厚度的膜层结构，使得半反半透玻璃自身具有半反半透的性能，在 应用于盖板玻璃时，不需要额外粘贴半反半透光学膜，相对于传统的需要粘贴半反半透光 学膜的盖板玻璃，避免了 PET膜层的光吸收，在使用时视觉效果较好；氮化硅层80的材料为 氮化硅，氮化硅的维氏硬度为1720HV，且既不同酸反应、也不同碱反应，使得在耐久性、耐摩 擦性等方面更具有优势。
[0046] 具体的，这种半反半透玻璃应用到手机、平板电脑上时，可以做为OGS的触控面、 或GFF或GlF结构的保护盖板的触控面而用于手机、平板电脑。在手机、平板电脑待机时可 以作为镜子用，而点亮时背光源也无需太亮就可以对手机、平板电脑进行操作；也可以用于 手机、平板电脑后盖，可以用作镜子使用。同时，此类产品也可用于汽车后视镜，即可以在白 天观察后面交通情况、也可以避免夜间后面车辆远视灯照射过来的强光反射入驾驶者眼内 而造成强光干扰，避免交通事故的发生。
[0047] 上述半反半透玻璃的制备方法，包括如下步骤：
[0048] S10、提供玻璃基板10。
[0049] 玻璃基板10可以选择浮法玻璃或者其他本领域常规的玻璃。
[0050] 优选的，玻璃基板10的厚度为0. 3~3. 0mm，更优选为0. 55~I. 1mm。
[0051] 优选的，玻璃基板10的折射率为1. 52。
[0052] 优选的，先对玻璃基板10进行清洗并干燥。
[0053] S20、将清洗后的玻璃基板10表面依次磁控溅射沉积第一二氧化硅层20、第一五 氧化二铌层30、第二二氧化硅层40、第二五氧化二铌层50、第三二氧化硅层60、第三五氧化 二铌层70及氮化硅层80,得到半反半透玻璃。
[0054] 第一二氧化娃层20的材料为Si02。SiO2的折射率为1. 48。采用SiO 2作为第一二 氧化硅层20的材料，使得第一二氧化硅层20的透过率相对较高。
[0055] 第一二氧化硅层20的厚度OA~600人。在一个特别的实施例中，第一二氧化硅层 20的厚度为〇A,也就是说，第一二氧化硅层20可以省略。
[0056] 具体在本实施方式中，磁控溅射制备第一二氧化硅层20的参数为：本底真空度为 0· 1~0· 005Pa，镀膜腔的真空度为0· IPa~0· 5Pa，功率为0~30Kw。
[0057] 第一五氧化二铌层30的材料为Nb205。Nb2O 5的折射率为2. 3。采用Nb 205作为第 一五氧化二铌层30的材料，使得第一五氧化二铌层30的透过率相对较低。
[0058] 第一五氧化二铌层30的厚度可以为OA~1500A。在一个特别的实施例中，第 一五氧化二铌层30的厚度为0A,也就是说，第一五氧化二铌层30可以省略。
[0059] 具体在本实施方式中，磁控溅射制备第一五氧化二铌层30的参数为：本底真空度 为0· 1~0· 005Pa，镀膜腔的真空度为0· IPa~0· 5Pa，功率为0~60Kw。
[0060] 第二二氧化硅层40的材料为Si02。SiO2的折射率为1. 48。采用SiO2作为第二二 氧化硅层40的材料，使得第二二氧化硅层40的透过率相对较高。
[0061] 第二二氧化硅层40的厚度为300A~2500A。
[0062] 具体在本实施方式中，磁控溅射制备第二二氧化硅层40的参数为：本底真空度为 0· 1~(λ 005Pa，镀膜腔的真空度为(λ IPa~(λ 5Pa，功率为15~60Kw。
[0063] 第二五氧化二铌层50的材料为Nb205。Nb2O 5的折射率为2. 3。采用Nb 205作为第 二五氧化二铌层50的材料，使得第二五氧化二铌层50的透过率相对较低。
[0064] 第二五氧化二铌层50的厚度可以为20A~800A。
[0065] 具体在本实施方式中，磁控溅射制备第二五氧化二铌层50的参数为：本底真空度 为0. 1~0. 005Pa，镀膜腔的真空度为0.1 Pa~0. 5Pa，功率为2~30Kw。
[0066] 第三二氧化硅层60的材料为Si02。SiO2的折射率为1. 48。采用SiO2作为第三二 氧化硅层60的材料，使得第三二氧化硅层60的透过率相对较高。
[0067] 第三二氧化硅层60的厚度为400A~1500A。
[0068] 具体在本实施方式中，磁控溅射制备第三二氧化硅层60的参数为：本底真空度为 0· 1~0· 005Pa，镀膜腔的真空度为0· IPa~0· 5Pa，功率为20~60Kw。
[0069] 第三五氧化二铌层70的材料为Nb205。Nb2O 5的折射率为2. 3。采用Nb 205作为第 三五氧化二铌层70的材料，使得第三五氧化二铌层70的透过率相对较低。
[0070] 第三五氧化二铌层70的厚度为〇A~800A。。在一个特别的实施例中，第三五氧化 二铌层70的厚度为OA,也就是说，第三五氧化二铌层70可以省略。
[0071] 具体在本实施方式中，磁控溅射制备第三五氧化二铌层70的参数为：本底真空度 为0. 1~0. 005Pa，镀膜腔的真空度为0.1 Pa~0. 5Pa，功率为0~30KW。
[0072] 氮化硅层80的材料为Si3N4。Si3N 4的折射率为2. 0。采用Si 3N4作为氮化硅层80 的材料，使得氮化硅层80的透过率相对较高。
[0073] 氮化硅层80的厚度为50A-4000A。
[0074] 具体在本实施方式中，磁控溅射制备氮化硅层80的参数为：本底真空度为0. 1~ 0. 005Pa，镀膜腔的真空度为0.1 Pa~0. 5Pa，功率为2~50Kw。
[0075] 上述半反半透玻璃的制备方法，工艺相对较简单，In-Line磁控派射设备或Batch Coater均可以批量量产。制备的半反半透玻璃，包括第一二氧化硅层、第一五氧化二铌层、 第二二氧化硅层、第二五氧化二铌层、第三二氧化硅层、第三五氧化二铌层及氮化硅层，透 过率高低结合的合适厚度的膜层结构，使得半反半透玻璃自身具有半反半透的性能，在应 用于盖板玻璃时，不需要额外粘贴半反半透光学膜，相对于传统的需要粘贴半反半透光学 膜的盖板玻璃，避免了 PET膜层的光吸收，在使用时视觉效果较好，同时氮化硅层的材料为