00:将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将基体输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300:关闭真空室的出入口，抽真空至3x10 4— 5x10 4Pa,通入氩气和氮气的混合气体；
步骤S400:在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30_40mm，基体温度30-300°C的工艺条件下进行派射，控制派射时间为20-60min ；
步骤S500:缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5x10 4—8x10 4Pa,通入氩气和氧气的混合气体；
步骤S600:在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
[0031]本方法通过磁控溅射实现在陶瓷基体101上制备纳米二氧化钛薄膜的目的，通过TiN膜预置层，加强二氧化钛膜与陶瓷基体101的结合力。本方法可均匀控制整体膜厚在10nm以下，既能保证电子装置外壳易清洁的性能，又可有效控制产品厚度而适用于微型化。
[0032]实施例3:
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤SlOO具体是指以下流程:
步骤SllO:将陶瓷基体101放入水温60-80°C的水域中静置l_2h ；
步骤S120:将陶瓷基体101放入配置20-50%丙酮溶液的清洗槽中，采用超声波清洗10_20min ；
步骤S130:用流动的去离子水冲洗陶瓷基体101，去除丙酮溶液；
步骤S140:取出陶瓷基体101并用冷风将其表面吹干，待用。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
[0033]实施例4:
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S200具体是指操作人员佩戴无尘手套或使用洁净取件器将经过表面处理的陶瓷基体101摆放在托盘中，由磁控溅射机配置的传输装置将其运输至指定位置。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
[0034]实施例5:
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S300具体是指先用机械栗抽真空至l_2Pa，然后用分子栗抽真空至3.8x10 4一4.2x10 4Pa,氩气的分压为0.4-1.6Pa，氮气的分压为0.02-0.02Pa。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
[0035]实施例6:
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm，基体温度200°C的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
[0036]实施例7:
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S500具体是指重新用机械栗抽真空至IPa，然后用分子栗抽真空至5.8x10 4一6.2x10 4Pa,氩气的分压为0.4-2.8Pa，氧气的分压为0.01-0.025Pa。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
[0037]实施例8:
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述步骤S600具体是指在功率3500W，偏压0V，靶距35mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40_160min。本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
[0038]实施例9:
本实施例在实施例2的基础上做进一步优化，进一步地，所述氩气作为溅射气体，其纯度大于99.999% ;所述氮气作为反应气，其纯度大于99.99% ;所述氧气作为反应气，其纯度大于99.9% ;所述金属钛靶的纯度大于99.96%ο本实施例的其他部分与实施例2相同，故不再赘述。
[0039]实施例10:
表面覆盖TiN-纳米T1J莫的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤:
步骤SlOO:对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200:将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将基体输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300:关闭真空室的出入口，抽真空至3x10 4— 5x10 4Pa,通入氩气和氮气的混合气体；
步骤S400:在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30_40mm，基体温度30-300°C的工艺条件下进行派射，控制派射时间为20-60min ；
步骤S500:缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5x10 4—8x10 4Pa,通入氩气和氧气的混合气体；
步骤S600:在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
[0040]进一步地，所述步骤S300具体是指先用机械栗抽真空至l_2Pa，然后用分子栗抽真空至3.8x10 4一4.2x10 4Pa,氩气的分压为0.4-1.6Pa，氮气的分压为0.02-0.02Pa。
[0041]进一步地，所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm，基体温度2000C的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。
[0042]实施例11:
表面覆盖TiN-纳米T1J莫的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤:
步骤SlOO:对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200:将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将基体输送至安装有金属钛靶的真空室；
步骤S300:关闭真空室的出入口，抽真空至3x10 4— 5x10 4Pa,通入氩气和氮气的混合气体；
步骤S400:在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30_40mm，基体温度30-300°C的工艺条件下进行派射，控制派射时间为20-60min ；
步骤S500:缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5x10 4—8x10 4Pa,通入氩气和氧气的混合气体；
步骤S600:在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
[0043]进一步地，所述步骤S500具体是指重新用机械栗抽真空至IPa，然后用分子栗抽真空至5.8x10 4一6.2x10 4Pa,氩气的分压为0.4-2.8Pa，氧气的分压为0.01-0.025Pa。
[0044]进一步地，所述步骤S600具体是指在功率3500W，偏压0V，靶距35mm的工艺条件下进行派射，控制派射时间40-160min。
[0045]实施例12:
表面覆盖TiN-纳米T1J莫的电子装置壳体的加工方法，包括以下步骤:
步骤SlOO:对陶瓷基体101进行表面处理；
步骤S200:将经过表面处理的陶瓷基体101稳固置于磁控溅射机的托盘上，通过传输装置将基体输送至安装有金属钛靶的真空室； 步骤S300:关闭真空室的出入口，抽真空至3x10 4— 5x10 4Pa,通入氩气和氮气的混合气体；
步骤S400:在功率为50-200W，偏压120-160V，靶距30_40mm，基体温度30-300°C的工艺条件下进行派射，控制派射时间为20-60min ；
步骤S500:缓慢开启真空室使其与室外空气连通，再重新抽取真空度至5x10 4—8x10 4Pa,通入氩气和氧气的混合气体；
步骤S600:在功率为3000-4000W，无偏压，靶距30-40mm的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间为40-400min。
[0046]进一步地，所述步骤S300具体是指先用机械栗抽真空至l_2Pa，然后用分子栗抽真空至3.8x10 4一4.2x10 4Pa,氩气的分压为0.4-1.6Pa，氮气的分压为0.02-0.02Pa。
[0047]进一步地，所述步骤S400具体是指在功率115W，偏压140V，靶距35mm，基体温度2000C的工艺条件下进行溅射，控制溅射时间40min。
[0048]进一步地，所述步骤S500具体是指重新用机械栗抽