一种耐高温导电银浆及其制备方法

文档序号:9845099阅读:962来源:国知局
一种耐高温导电银浆及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子材料技术领域,尤其涉及一种耐高温导电银浆及其制备方法。
【背景技术】
[0002]对于导电银浆而言,其是指印刷于导电承印物上,使之具有传导电流和排除积累静电荷能力的银浆;其中,导电银浆一般是印在塑料、玻璃、陶瓷或纸板等非导电承印物上,印刷方法包括有丝网印刷、凸版印刷、柔性版印刷、凹版印刷和平板印刷等,且可根据膜厚的要求而选用不同的印刷方法,膜厚不同则电阻、阻焊性及耐摩擦性等亦各异。
[0003]导电银浆分为两类:1、聚合物银导电浆料(烘干或固化成膜,以有机聚合物作为粘接相);2、烧结型银导电浆料(烧结成膜,烧结温度>500°C,玻璃粉或氧化物作为粘接相)。
[0004]对于现有的导电银浆而言,其普遍存在耐高温性能较差的缺陷;为满足导电银浆高温条件下的使用要求,有必要对现有的导电银浆进行改进。

【发明内容】

[0005]本发明的目的在于针对现有技术的不足而提供一种耐高温导电银浆,该耐高温导电银浆能够承受500摄氏度以上的高温,耐高温性能好,柔韧性好、强度大、高温下不易黄变、抗紫外线能力强、机械性能好、耐化学品好、耐候性好。
[0006]本发明的另一目的在于提供一种耐高温导电银浆制备方法,该耐高温导电银浆制备方法能够有效地地制备耐高温导电银浆。
[0007]为达到上述目的,本发明通过以下技术方案来实现。
[0008]—种耐高温导电银浆,包括有以下质量份的物料,具体为:
有机硅树脂10%_ 15%
含有机硅交联剂5%-10%
增强树脂混合物1%_5%
稀释剂5%_10%
偶联剂0.1%-0.5%
铂浓度为50-3000ppm的铂催化剂 0.1%-0.5%
抑制剂0.01%-0.5%
触变剂1%_2%
导电填料70%-75%。
[0009]进一步的,一种耐高温导电银浆,包括有以下质量份的物料,具体为:
有机硅树脂10%-12%
含有机硅交联剂5%-8%
增强树脂混合物2%-5%
稀释剂5%-7%
偶联剂0.1%-0.5% 铂浓度为50-3000ppm的铂催化剂 0.1%-0.5%
抑制剂0.01%-0.5%
触变剂1%-1.5%
导电填料70%-75%。
[0010]更进一步的,一种耐高温导电银浆,包括有以下质量份的物料,具体为:
有机硅树脂10%
含有机硅交联剂5%
增强树脂混合物5%
稀释剂5%
偶联剂0.5%
铂浓度为50-3000ppm的铂催化剂 0.5%
抑制剂0.5%
触变剂1%
导电填料72.5%。
[0011]其中,所述有机硅树脂为乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷聚合物;所述含有机硅交联剂为含有S1-H键的含氢聚硅氧烷交联剂;所述增强树脂混合物为乙烯基MQ树脂混合物。
[0012]其中,所述稀释剂为DBE溶剂或者二乙二醇丁醚醋酸酯溶剂。
[0013]其中,所述偶联剂为γ-(2,3_环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ -氨丙基三乙氧基硅烷中的一种或者两种所组成的混合物。
[0014]其中,所述催化剂为氯铂酸催化剂,铂浓度为50-3000ppm;所述触变剂为憎水性气相二氧化硅;所述导电填料为片状银粉,片状银粉的振实密度为4-6g/cm3,粒径为1-4μπι。
[0015]其中,所述抑制剂为乙炔基环己醇抑制剂或者甲基丁炔醇抑制剂。
[0016]—种耐高温导电银浆制备方法,包括有以下工艺步骤,具体为:
a、按照质量份称量以下物料:
有机硅树脂10%-15%
含有机硅交联剂5%-10%
增强树脂混合物1%_5%
稀释剂5%-10%
偶联剂0.1%-0.5%
铂浓度为50-3000ppm的铂催化剂 0.1%-0.5%
抑制剂0.01%-0.5%
触变剂1%_2%
导电填料70%-75%;
b、将有机硅树脂、含有机硅交联剂、增强树脂混合物、稀释剂混合置于三辊研磨机研磨,研磨次数为2-4遍;
C、往研磨完毕后的有机硅树脂、含有机硅交联剂、增强树脂混合物、稀释剂混合料中加入偶联剂、铂催化剂、抑制剂、触变剂、导电填料,并将有机硅树脂、含有机硅交联剂、增强树脂混合物、稀释剂混合料、偶联剂、铂催化剂、抑制剂、触变剂、导电填料所组成的混合料置于三辊研磨机研磨,研磨次数为3-6遍,以得到耐高温导电浆料。
[0017]其中,经步骤c研磨后的耐高温导电浆料的细度小于5μπι。
[0018]本发明的有益效果为:本发明所述的一种耐高温导电银浆,其包括有以下质量份的物料,具体为:有机硅树脂10%-15%、含有机硅交联剂5%_10%、增强树脂混合物1%_5%、稀释剂5%-10%、偶联剂0.1%-0.5%、铂浓度为50-3000ppm的铂催化剂0.1%-0.5%、抑制剂0.01%-
0.5%、触变剂1%-2%、导电填料70%-75%。通过上述物料配比,本发明的耐高温导电银浆能够承受500摄氏度以上的高温,耐高温性能好,柔韧性好、强度大、高温下不易黄变、抗紫外线能力强、机械性能好、耐化学品好、耐候性好。
[0019]本发明的另一有益效果为:本发明所述的一种耐高温导电银浆制备方法,其包括有以下工艺步骤,具体为:a、按照质量份称量以下物料:有机硅树脂10%_15%、含有机硅交联剂5%-10%、增强树脂混合物1%-5%、稀释剂5%-10%、偶联剂0.1%-0.5%、铂浓度为50_3000ppm的铂催化剂0.1%-0.5%、抑制剂0.01%-0.5%、触变剂1%-2%、导电填料70%_75% ; b、将有机硅树月旨、含有机硅交联剂、增强树脂混合物、稀释剂混合置于三辊研磨机研磨,研磨次数为2-4遍;C、往研磨完毕后的有机硅树脂、含有机硅交联剂、增强树脂混合物、稀释剂混合料中加入偶联剂、铂催化剂、抑制剂、触变剂、导电填料,并将有机硅树脂、含有机硅交联剂、增强树脂混合物、稀释剂混合料、偶联剂、铂催化剂、抑制剂、触变剂、导电填料所组成的混合料置于三辊研磨机研磨,研磨次数为3-6遍,以得到耐高温导电浆料。通过上述工艺步骤设计,本发明的耐高温导电银浆制备方法能够有效地制备耐高温导电银浆。
【具体实施方式】
[0020]下面结合具体的实施方式来对本发明进行说明。
[0021]实施例一,一种耐高温导电银浆,包括有以下质量份的物料,具体为:
有机硅树脂10%
含有机硅交联剂5%
增强树脂混合物5%
稀释剂5%
偶联剂0.5%
铂浓度为50-3000ppm的铂催化剂 0.5%
抑制剂0.5%
触变剂1%
导电填料72.5%。
[0022]其中,所述有机娃树脂为乙稀基封端的聚一■甲基娃氧烧聚合物,进一步为乙稀基封端及骨架上有下垂乙烯基基团的乙烯基聚合物,其中,有机硅树脂用以增加体系交联密度。所述含有机硅交联剂为含有S1-H键的含氢聚硅氧烷交联剂。所述增强树脂混合物为乙稀基MQ树脂混合物,乙稀基MQ树脂混合物能够提尚体系的机械性能和强度,其中,MQ树脂是娃树脂的一种,其由单官能度的娃氧单元(R3Si0ι/2,简称M单元)和四官能度的娃氧单元(Si04/2,简称Q单元)组成的一种具有双层结构的紧密球状物,其摩尔质量一般为1000-8000g.mol—1,主要结构式为[RlR2R3Si01/2]a [Si〇4/2]b(Rl,R2,R3为Me,Ph,0H,H等。所述稀释剂为DBE溶剂或者二乙二醇丁醚醋酸酯溶剂,当然,还可以是其他沸点在200-250摄氏度的酯类溶剂。所述偶联剂为γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷中的一种或者两种所组成的混合物;当然,偶联剂还可以是其他有机硅氧烷偶联剂。所述催化剂为氯铀酸催化剂,铀浓度为50-3000ppm。所述触变剂为憎水性气相二氧化娃。所述导电填料为片状银粉,片状银粉的振实密度为4-6g/cm3,粒径为1-4μπι。所述抑制剂为乙炔基环己醇抑制剂或者甲基丁炔醇抑制剂,当然,抑制剂还可以是其他炔醇抑制剂。
[0023]通过上述物料配比,本实施例一的耐高温导电银浆具备以下性能参数,具体为:1、可以耐500°C高温10h,不变形,不碳化;2、在高温下不易黄变,在500°C高温10 h不黄变;3、导电好,方块电阻I?50πιΩ/口;4、附着力好,划百格,3Μ胶带测试可达5Β;5、表面硬度可达7Η以上。故而,本实施例一的耐高温导电银浆能够承受500摄氏度以上的高温,耐高温性能好,柔韧性好、强度大、高温下不易黄变、抗紫外线能力强、机械性能好、耐化学品好、耐候性好。
[0024]
实施例二,一种耐高温导电银浆,包括有以下质量份的物料,具体为:
有机硅树脂12%
含有机硅交联剂6%
增强树脂混合物4%
稀释剂5%
偶联剂0.2%
铂浓度为50-3000ppm的铂催化剂 0.1%
抑制剂0.1%
触变剂1%
导电填料71.6%。
[0025]其中,所述有机硅树脂为乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷聚合物,进一步为乙烯基封端及骨架上有下垂乙烯基基团的乙烯基聚合物,其中,有机硅树脂用以增加体系交联密度。所述含有机硅交联剂为含有S1-H键的含氢聚硅氧烷交联剂。所述增强树脂混合物为乙稀基MQ树脂混合物,乙稀基MQ树脂混合物能够提尚体系的机械性能和强度,其中,MQ树脂是娃树脂的一种,其由单官能度的娃氧单元(R3Si0ι/2,简称M单元)和四官能度的娃氧单元(Si04/2,简称Q单元)组成的一种具有双层结构的紧密球状物,其摩尔质量一般为1000-8000g.mol—1,主要结构式为[RlR2R3Si01/2]a [Si〇4/2]b(Rl,R2,R3为Me,Ph,0H,H等。所述稀释剂为DBE溶剂或者二乙二醇丁醚醋酸酯溶剂,当然,还可以是其他沸点在的200-250摄氏度酯类溶剂。所述偶联剂为γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷中的一种或者两种所组成的混合物;当然,偶联剂还可以是其他有机硅氧烷偶联剂。所述催化剂为氯铀酸催化剂,铀浓度为50-3000ppm。所述触变剂为憎水性气相二氧化娃。所述导电填料为片状银粉,片
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