一种生物荧光微全分析系统芯片及其制备方法

文档序号:9876972阅读:317来源:国知局
一种生物荧光微全分析系统芯片及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明属于微分析系统芯片技术领域,具体涉及一种生物荧光微全分析系统芯片及其制备方法。
【背景技术】
[0002]MEMS技术与生物技术紧密结合是21世纪微电子领域的一个热点。其中生物微机电系统(Bo-1MEMS)是在生物医学工程中使用的MEMS,其中最明显的就是生物芯片。由尺度效应可以知道,MEMS可以灵敏、准确、低成本和微创地应用于生物芯片领域。
[0003]对于传统生化检测仪器,其拥有体积庞大、操作复杂、灵敏度低、对待测溶液的需求量大,不易实现连续的实时监控等缺点。而采用荧光微分析系统芯片则克服了上述缺点,所提供的微型检测平台,便于操作、灵敏度改善、待测溶液需求量小,且与集成电路兼容。
[0004]现有的荧光微分析系统,虽然实现了一定程度光学系统的集成化,但是相较于传统的外部光源激发荧光物质,其检测精度较低。例如,由T.Kamei等人在2003年发表的“Integrated Hydrogenated Amorphous Si Photod1de Detector for MicrofluidicB1analytical Devices”(集成氢化非晶娃光电探测器的微流体生物分析器件,T.Kameiet al.,Anal.Chem.2003,75,5300-5305)—文中,采用了外部光源来激发荧光物质,其检测精度可以达到17nm。而由Y.H.Kim等人在2006年发表的“Poly(dimethylsiloxane)-BasedPackaging Technique for Microchip Fluorescence Detect1n System Applicat1ns,,(基于聚二甲基硅氧烷封装技术的微芯片荧光检测系统的应用,Y.H.Kim et al.,J.MICR0ELECTR0MECH.S.2006,15(5),1152-1158) 一文中,制备了基于 PDMS 为封装技术的荧光微分析系统芯片,该荧光微分析系统芯片包括一个集成的p-1-n光电二极管,有机发光二极管(OLED)作为荧光激发光源,一个干涉滤光器,此外还有一条微通道。该芯片最后得到的检测精度只有10M1。

【发明内容】

[0005]本发明的目的在于克服原有技术方案的不足,提供一种生物荧光微全分析系统芯片及其制备方法,使系统检测精度大大提高。
[0006]为解决上述技术问题,本发明采有以下技术方案。
[0007]本发明的一种生物荧光微全分析系统芯片,其特征在于:包括PDMS微流通道、InGaN基LD、Si光电探测器三部分,分别构成所述芯片的上层、中层、底层,通过硅片键合技术接合为一体;其中,所述的PDMS微流通道与玻璃片键合而成为样品台;所述的InGaN基LD用作激发光源;所述的Si光电探测器用于检测和分析激发荧光信号;所述的InGaN基LD和Si光电探测器中间接合有一个光带通滤波器。
[0008]其中:
[0009]所述的光带通滤波器的带通波长范围至少不小于450nm。
[0010]所述的InGaN基LD使用Al2O3作为衬底。
[0011]所述的PDMS微流通道的尺寸为:深50μ??,宽ΙΟΟμπι,长I cm。
[0012]所述的InGaN基LD采用环形结构且有一个开口,发光区域外径为1200μπι,内径为IlOOym0
[0013]所述的Si光电探测器的ρ-η结采用环形结构。
[0014]所述的PDMS微流通道中溶液采用FITC标记抗体。
[0015]本发明的一种生物荧光微全分析系统芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
[0016](I)制备用于检测荧光的Si光电探测器,其过程为:
[0017]101)采用反应离子刻蚀方法刻蚀η型、电阻率为I Ω.cm的Si晶片;
[0018]102)对Si表面进行氧化处理后进行缓冲氢氟酸蚀刻;
[0019]103)从窗口掺入B+形成ρ-η结;
[0020]104)采用低压力化学气相沉工艺在衬底表面淀积一层均匀的S12薄膜;
[0021 ]105)在S12薄膜表面进行MlF蚀刻;
[0022]106)淀积Al以及蚀刻Al;
[0023]107)烧成;
[0024](2)制备用于激发荧光物质的InGaN基LD,其过程为:
[0025]201)取200μπι厚研磨晶片;
[0026]202)对P 型 InGaN 进行 FAB 蚀刻;
[0027]203)S0G涂覆,而后采用BHF蚀刻;
[0028]204)Ni/Al溅射,隔离空气退火;
[0029]205)电子束蒸发Au并隔离;
[0030]206)对η 型 InGaN 进行 FAB 蚀刻;
[0031 ]207)对Al2O3进行深反应离子刻蚀;
[0032](3)制备PDMS微通道,其过程为:
[0033]301)采用SU-8胶光刻工艺;
[0034]302)将PDMS前驱体浇注到步骤301)所得到的结构上,然后固化;
[0035]303)将固化后的PDMS模板剥离;
[0036]304)对PDMS模板进行钻孔;
[0037]305)将PDMS与玻璃基底接合,即:将PDMS微流通道与玻璃片键合而成为样品台;
[0038](4)将Si光电探测器、InGaN基LD和PDMS微流通道进行集成化封装成芯片:首先在InGaN基LD和Si光电探测器中间接合一个光带通滤波器,再采用硅片键合技术,将上层的PDMS微流通道、中层的InGaN基LD、底层的Si光电探测器接合为一体;其过程为:
[0039]401)使用RCAl 清洗;
[0040]402)使用超声波清洗;
[0041 ]403)利用N2等离子体对Si表面进行活化处理,等离子功率75/100W,时间为15秒;活化处理时要注意平整度对键合的影响;
[0042]404)进行接合,施加的力为500Ν,温度300°C,时间60min;
[0043]405)采用上述步骤401) —404)所述方法对PDMS微流体芯片和InGaN基LD进行接合处理。
[0044]与现有技术相比,本发明具有以下优点和有益效果:
[0045]1.本发明采用InGaN基LD做为荧光物质的激发光源,具有体积小、冷光源,响应时间短、发光效率高等优点。
[0046]2.本发明集成了 InGaN基LD的激发光源,PDMS微流体芯片,以及检测荧光物质发光的Si光电探测器,对荧光微全分析系统实现高度集成化度。
[0047]3.本发明具有生物材料消耗低,荧光背景噪声小,灵敏度高等特点,在医疗诊断和环境分析等领域具有非常重要的应用意义。
【附图说明】
[0048]图1是本发明的生物荧光微全分析系统芯片的Si光电探测器的结构示意图。其中,7-1是Si光电探测器的受光部分。
[0049]图2是本发明的生物荧光微全分析系统芯片的环状InGaN基LD的结构示意图。其中,环状部分3-1是发光部分,开口3-2作为荧光进入Si光电探测器的通道。
[0050]图3是本发明的生物荧光微全分析系统芯片的PDMS微通道的结构示意图。其中,
[0051]图4是本发明的生物荧光微全分析系统芯片横截面原理图。其中,I和2作为一个整体为PDMS微流通道,分别为:I是PDMS流路,2是玻璃基底;3,4和5作为一个整体为InGaN基LD,分别为:3是p-1nGaN,4是n-1nGaN,5是Al2O3基底;6是光带通滤波器;7和8作为一个整体为Si光电探测器,分别为:7是p-Si,8是n-Si。
【具体实施方式】
[0052]下面结合附图及【具体实施方式】对本发明做进一步详细说明。
[0053]本发明的一种生物荧光微全分析系统芯片,其特征在于:包括PDMS微流通道、InGaN基LD、Si光电探测器三部分,分别构成所述芯片的上层、中层、底层,通过硅片键合技术接合为一体;其中,所述的PDMS微流通道与玻璃片键合而成为样品台;所述的InGaN基LD用作激发光源;所述的Si光电探测器用于检测和分析激发荧光信号;所述的InGaN基LD和Si光电探测器中间接合有一个光带通滤波器。该系统实际工作中,由中间层的激发光源InGaN基LD发出蓝光(450nm),光束射入PDMS微流通道,激发PDMS微流通道中的荧光物质产生激发荧光,激发荧光经由InGaN基LD中的开口进入Si光电探测器与InGaN基LD之间的光带通滤波器,滤除不是激发荧光的背景噪声后,再射入到Si光电探测器,Si光电探测器对接收到的激发荧光进行检测分析。
[0054]另外:
[0055]所述的光带通滤波器的带通波长范围至少不小于450nm。用来滤除不是激发荧光的背景噪声。
[0056]所述的InGaN基LD使用Al2O3作为衬底。
[0057]所述的PDMS微流通道的尺寸
当前第1页1 2 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1