阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示
目.0
【背景技术】
[0002]显示面板通常包括阵列基板、彩膜基板以及阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。其中阵列基板的制造过程中需要进行多次构图工艺，制作流程较为复杂。
[0003]相关技术中有一种阵列基板的制造方法，在该方法中:首先依次在衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层和半导体层图案，之后为了保护半导体层图案，防止后续在形成源极和漏极时损坏半导体层图案，在形成有半导体层图案的衬底基板上形成刻蚀阻挡层(EtchStop Layer，ESL)图案(ESL图案通常由具有较强的抗刻蚀能力的绝缘材料构成，且ESL图案略小于半导体层图案，以方便源极和漏极与半导体层图案接触)，最后在形成有ESL图案的衬底基板上形成源极和漏极及其它膜层。
[0004]在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题:上述方法形成刻蚀阻挡层的制作工序复杂，成本较高。
【发明内容】
[0005]为了解决现有技术中形成刻蚀阻挡层的制作工序复杂，成本较高的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置。所述技术方案如下:
[0006]根据本发明的第一方面，提供了一种阵列基板的制造方法，所述方法包括:
[0007]在衬底基板上依次形成半导体层和导电氧化物层；
[0008]在形成有所述半导体层和所述导电氧化物层的衬底基板上形成导电氧化物层图案和半导体层图案，所述导电氧化物层图案的形状和所述半导体层图案的形状一致；
[0009]对形成有所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板进行退火处理；
[0010]在形成有退火处理后的所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板上形成源极和漏极；
[0011]去除所述源极和漏极之间的退火处理后的导电氧化物层图案。
[0012]可选地，所述对形成有所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板进行退火处理，包括:
[0013]对形成有所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板进行低温退火处理，使所述导电氧化物层图案中形成晶粒；
[0014]所述去除所述源极和漏极之间的导电氧化物层图案，包括:
[0015]去除所述源极和漏极之间的导电氧化物层图案的未结晶部分。
[0016]可选地，所述在退火处理后的衬底基板上形成源极和漏极，包括:
[0017]在退火处理后的衬底基板上形成金属层；
[0018]在形成有所述金属层的衬底基板上形成光刻胶的图案，所述光刻胶的图案与所述源极和漏极的形状一致；
[0019]对形成有光刻胶的图案的衬底基板进行刻蚀处理，刻蚀所述金属层；
[0020]所述去除所述源极和漏极之间的导电氧化物层图案的未结晶部分，包括:
[0021]控制刻蚀时间刻蚀所述源极和漏极之间的导电氧化物层图案的未结晶部分。
[0022]可选地，所述对形成有所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板进行低温退火，使所述导电氧化物层图案中形成晶粒，包括:
[0023]以氮气作为保护气，在温度为100至180度的环境中对形成有所述导电氧化物层图案和所述半导体层图案的衬底基板进行低温退火，持续时间5至100分钟。
[0024]可选地，所述在形成有所述半导体层和所述导电氧化物层的衬底基板上形成导电氧化物层图案和半导体层图案，包括:
[0025]通过一次构图工艺在形成有所述半导体层和所述导电氧化物层的衬底基板上形成导电氧化物层图案和半导体层图案。
[0026]可选地，所述半导体层由氧化物半导体构成。
[0027]可选地，所述氧化物半导体包括铟镓锌氧化物。
[0028]可选地，所述导电氧化物层由氧化铟锡构成。
[0029]根据本发明的第二方面，提供一种阵列基板，所述阵列基板包括:
[0030]衬底基板上形成的半导体层图案和退火处理后的导电氧化物层图案；
[0031]形成有所述半导体层图案和退火处理后的所述导电氧化物层图案的衬底基板上形成的源极和漏极。
[0032]可选地，所述源极和漏极之间的半导体层图案上形成有导电氧化物的晶粒。
[0033]可选地，所述半导体层图案由氧化物半导体构成。
[0034]可选地，所述氧化物半导体包括铟镓锌氧化物。
[0035]可选地，所述导电氧化物层由氧化铟锡构成。
[0036]根据本发明的第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第二方面所述的阵列基板。本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0037]通过在半导体层上形成导电氧化物层，并在半导体层和导电氧化物层上形成导电氧化物层图案和半导体层图案，之后对导电氧化物层图案进行退火以提高该层的抗刻蚀能力，解决了相关技术中形成刻蚀阻挡层的制作工序复杂，成本较高的问题。达到了可以将退火后的导电氧化物层图案作为刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层的制作工序简单，成本较低的效果。
【附图说明】
[0038]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0039]图1是本发明实施例示出的一种阵列基板的制造方法的流程图；
[0040]图2-1是本发明实施例示出的另一种阵列基板的制造方法的流程图；
[0041 ]图2_2至图2_5是图2_1所不实施例中的衬底基板的结构不意图；
[0042]图2-6是图2-1所示实施例中退火处理的流程图；
[0043]图2_7和图2_8是图2_1所不实施例中的衬底基板的结构不意图；
[0044]图2-9是图2-1所示实施例中去除源极和漏极之间的导电氧化物层图案的未结晶部分的流程图；
[0045]图2-10是图2-1所示实施例中的衬底基板的结构示意图；
[0046]图2-11是图2-1所示实施例中形成其它膜层的流程图；
[0047]图2-12和图2-13是图2-1所不实施例中的衬底基板的结构不意图；
[0048]图3是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。
[0049]上述各个附图中，附图标记的含义可以为:21_衬底基板，22-栅极，23-栅绝缘层，24-半导体层，24a-半导体层图案，25a-导电氧化物层图案，26-金属层，27-光刻胶的图案，28-源漏极，L-晶粒，29-纯化层图案，29a_漏极接触过孔，30-像素电极，28a_源极，28b_漏极，31-退火处理后的导电氧化物层图案。
[0050]通过上述附图，已示出本发明明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本发明构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本发明的概念。
【具体实施方式】
[0051]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0052]图1是本发明实施例示出的一种阵列基板的制造方法的流程图，本实施例以该阵列基板的制造方法应用于制造阵列基板来举例说明。该阵列基板的制造方法可以包括如下几个步骤:
[0053]在步骤101中，在衬底基板上依次形成半导体层和导电氧化物层。
[0054]在步骤102中，在形成有半导体层和导电氧化物层的衬底基板上形成导电氧化物层图案和半导体层图案，导电氧化物层图案的形状和半导体层图案的形状一致。
[0055]在步骤103中，对形成有导电氧化物层图案和半导体层图案的衬底基板进行退火处理。
[0056]在步骤104中，在形成有退火处理后的导电氧化物层图案和半导体层图案的衬底基板上形成源极和漏极。
[0057]在步骤105中，去除源极和漏极之间的退火处理后的导电氧化物层图案。
[0058]综上所述，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，通过在半导体层上形成导电氧化物层，并在半导体层和导电氧化物层上形成导电氧化物层图案和半导体层图案，之后对导电氧化物层图案进行退火以提高该层的抗刻蚀能力，解决了相关技术中形成刻蚀阻挡层的制作工序复杂，成本较高的问题。达到了可以将退火后的导电氧化物层图案作为刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层的制作工序简单，成本较低的效果。
[0059]图2-1是本发明实施例示出的另一种阵列基板的制造方法的流程图，本实施例以该阵列基板的制造方法应