给第三电子开关64与第四电子开关66。在第二电压为第二默认电压值时，P信道金氧半场效晶体管90透过电隔离器79提供第二数字讯号D2给第三电子开关64与第四电子开关66。二极管92之正极与负极分别电性连接P通道金氧半场效晶体管90之闸极与第二节点N2。
[0101]以下介绍本发明之第三实施例之运作过程，请同时参阅图6与图7。首先，从时间点t0到时间点tl，讯号控制器74于第一端与第二端分别产生为低准位电压讯号之第一数字讯号Dl与为高准位电压讯号之第二数字讯号D2。第三电子开关64与第四电子开关66透过电隔离器79接收第二数字讯号D2，故呈导通状态。此时，由于第一电压为低电压端VL之低电压，P信道金氧半场效晶体管86导通，第一数字讯号Dl无法为高准位电压讯号，第一电子开关60与第二电子开关62呈关闭状态，且高电压端VH产生第一谐振电流，以依序流经第三电子开关64、第一谐振电感80、第二谐振电感82、谐振电容84、第四电子开关66与低电压端VL。在一种情况，第一数字讯号Dl与第二数字讯号D2只会有一个是高准位电压讯号，不过，讯号控制器74可能因为计时发生误差，发生过早提供高准位电压讯号之第一数字讯号D1，此时，本发明的装置能够避免第一电子开关60与第二电子开关62开启，进而避免贯通(shootthrough)现象的发生。
[0102]接着，从时间点tl到时间点t2，讯号控制器74于第一端与第二端分别产生为高准位电压讯号之第一数字讯号Dl与为低准位电压讯号之第二数字讯号D2。第三电子开关64与第四电子开关66透过电隔离器79接收第二数字讯号D2，故呈关闭状态。此时，第一谐振电流向第一寄生电容76充电，以提升第一电压至大于低电压的第一默认电压值，P信道金氧半场效晶体管86依据第一默认电压值透过电隔离器79提供第一数字讯号Dl给第一电子开关60与第二电子开关62，使第一电子开关60与第二电子开关62呈导通状态。
[0103]再来，从时间点t2到时间点t3，讯号控制器74于第一端与第二端分别产生为高准位电压讯号之第一数字讯号Dl与为高准位电压讯号之第二数字讯号D2。第一电子开关60与第二电子开关62透过电隔离器79接收第一数字讯号D1，故呈导通状态。此时，由于第二电压为低电压，P信道金氧半场效晶体管90导通，使第三电子开关64与第四电子开关66呈关闭状态。另外，高电压端VH产生一第二谐振电流，以依序流经第一电子开关60、谐振电容84、第二谐振电感82、第一谐振电感80、第二电子开关62与低电压端VL。在一种情况，第一数字讯号Dl与第二数字讯号D2只会有一个是高准位电压讯号，不过，讯号控制器38可能因为计时发生误差，发生过早提供高准位电压讯号之第一数字讯号D1，此时，本发明的侦测控制器36能够避免第一电子开关30以及第二电子开关32同时开启。
[0104]最后，从时间点t3到时间点t4，讯号控制器74于第一端与第二端分别产生为低准位电压讯号之第一数字讯号Dl与为高准位电压讯号之第二数字讯号D2。第一电子开关60与第二电子开关62透过电隔离器79接收第一数字讯号Dl，故呈关闭状态。第一电子开关60与第二电子开关62关闭后还有一段时间，由于此时间很短，在图7中便被省略。此时间内，第二谐振电流向第二寄生电容78充电，以提升第二电压至大于低电压的第二默认电压值。接着，第二数字讯号D2被切换成高准位电压讯号，P信道金氧半场效晶体管90被切换状态，第二数字讯号D2透过电隔离器41被提供给第三电子开关64与第四电子开关66，使第三电子开关64与第四电子开关66呈导通状态。如此一来，利用第一侦测控制器70侦测第一节点NI之第一电压，便可使第三电子开关64与第二电子开关62呈现交替式开关切换而避免贯通效应产生。同时，利用第二侦测控制器72侦测第二节点N2之第二电压，亦使第一电子开关60与第四电子开关66呈现交替式开关切换而避免贯通效应产生。
[0105]以下请参阅图8。本发明之谐振控制装置之第二实施例亦应用在全桥谐振电路上。第四实施例与第三实施例差别在于第一侦测控制器70与第二侦测控制器72。在第四实施例中，第一侦测控制器70更包含一PNP双载子接面晶体管94与一二极管96INP双载子接面晶体管94之基极透过一第一电阻98电性连接第一节点NI，集极电性连接低电压端VL，射极电性连接讯号控制器74之第一端，且此射极透过电隔离器79电性连接第一电子开关60与第二电子开关62，并透过一第二电阻100电性连接基极，射极接收第一数字讯号Dl。在第一电压为低电压时，PNP双载子接面晶体管94透过电隔离器79提供低电压给第一电子开关60与第二电子开关62。在第一电压为第一默认电压值时，PNP双载子接面晶体管94透过电隔离器79提供第一数字讯号Dl给第一电子开关60与第二电子开关62。二极管96之正极与负极分别电性连接第一电阻98与第一节点NI。
[0106]第二侦测控制器72更包含一 PNP双载子接面晶体管102与一二极管104 JNP双载子接面晶体管102之基极透过一第一电阻106电性连接第二节点N2，集极电性连接低电压端VL，射极电性连接讯号控制器74之第二端，且此射极透过电隔离器79电性连接第三电子开关64与第四电子开关66，并透过一第二电阻108电性连接基极，射极接收第二数字讯号D2。在第二电压为低电压时，PNP双载子接面晶体管102透过电隔离器79提供低电压给第三电子开关64与第四电子开关66。在第二电压为第二默认电压值时，PNP双载子接面晶体管102透过电隔离器79提供第二数字讯号D2给第三电子开关64与第四电子开关66。二极管104之正极与负极分别电性连接第一电阻106与第二节点N2。
[0107]以下介绍本发明之第四实施例之运作过程，请同时参阅图8与图7。从时间点t0到时间点tl的运作与第三实施例相同，于此不再赘述。从时间点tl到时间点t2，讯号控制器74于第一端与第二端分别产生为高准位电压讯号之第一数字讯号Dl与为低准位电压讯号之第二数字讯号D2。第三电子开关64与第四电子开关66透过电隔离器79接收第二数字讯号D2，故呈关闭状态。此时，第一谐振电流向第一寄生电容76充电，以提升第一电压至大于低电压的第一默认电压值，PNP双载子接面晶体管94透过电隔离器79提供第一数字讯号Dl给第一电子开关60与第二电子开关62，使第一电子开关60与第二电子开关62呈导通状态。
[0108]再来，从时间点t2到时间点t3，讯号控制器74于第一端与第二端分别产生为高准位电压讯号之第一数字讯号Dl与为高准位电压讯号之第二数字讯号D2。第一电子开关60与第二电子开关62透过电隔离器79接收第一数字讯号D1，故呈导通状态。此时，由于第二电压为低电压，PNP双载子接面晶体管102导通，使第三电子开关64与第四电子开关66呈关闭状态。另外，高电压端VH产生一第二谐振电流，以依序流经第一电子开关60、谐振电容84、第二谐振电感82、第一谐振电感80、第二电子开关62与低电压端VL。在一种情况，第一数字讯号Dl与第二数字讯号D2只会有一个是高准位电压讯号，不过，该讯号控制器38可能因为计时发生误差，发生过早提供高准位电压讯号之第一数字讯号Dl，此时，本发明的侦测控制器36能够避免第一电子开关30以及第二电子开关32同时开启。
[0109]最后，从时间点t3到时间点t4，讯号控制器74于第一端与第二端分别产生为低准位电压讯号之第一数字讯号Dl与为高准位电压讯号之第二数字讯号D2。第一电子开关60与第二电子开关62透过电隔离器79接收第一数字讯号Dl，故呈关闭状态。第一电子开关60与第二电子开关62关闭后还有一段时间，由于此时间很短，在图7中便被省略。此时间内，第二谐振电流向第二寄生电容78充电，以提升第二电压至大于低电压的第二默认电压值。接着，第二数字讯号D2被切换成高准位电压讯号，PNP双载子接面晶体管102被切换状态，第二数字讯号D2透过电隔离器41被提供给第三电子开关64与第四电子开关66，使第三电子开关64与第四电子开关66呈导通状态。如此一来，利用第一侦测控制器70侦测第一节点NI之第一电压，便可使第三电子开关64与第二电子开关62呈现交替式开关切换而避免贯通效应产生。同时，利用第二侦测控制器72侦测第二节点N2之第二电压，亦使第一电子开关60与第四电子开关66呈现交替式开关切换而避免贯通效应产生。
[0110]在本发明的全桥架构实施例中，一个侦测控制器系对应两个开关，但在实际操作时，可依照需求增加，一个侦测控制器对应一个开关。
[0111]综上所述，本发明侦测二串接之电子开关之间的节点电压，并在一电子开关呈导通状态时，使其对应之寄生电容进行放电而呈现低电压，进而驱动另一电子开关呈关闭状态，使二电子开关能以交替切换方式精准运作，以避免贯通效应产生而破坏电子开关。换句话说，无论讯号控制器是否有误发讯号，或是开关故障，或是开关动作延迟，本发明之侦测控制器都能确保开关不会因为同时开启而发生贯通现象。
[0112]以上所述，仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同替换和改进，均应包含在本发明技术方案的保护范围之内。
【主权项】
1.一种谐振控制装置，其特征在于:包括一第一电子开关，电性连接一高电压端与一节占.V ， 一第二电子开关，电性连接所述节点与一低电压端，所述第二电子开关具有一寄生电容，所述寄生电容之一端电性连接所述低电压端，另一端电性连接所述节点； 一谐振槽，电性连接所述节点，并储有谐振能量；以及 一侦测控制器，电性连接所述低电压端、所述节点与所述第一电子开关，并接收所述节点之所述电压，在所述第二电子开关呈导通状态时，所述节点之电压为所述低电压端之低电压，所述侦测控制器依据所述节点之所述电压提供所述低电压给所述第一电子开关，使所述第一电子开关呈关闭状态，且所述谐振槽利用所述谐振能量产生一谐振电流流经所述第二电子开关。2.根据权利要求1所述的谐振控制装置，其特征在于:所述第二电子开关呈关闭状态时，所述谐振电流向所述寄生电容充电，以提升所述节点之所述电压至大于所述低电压的一默认电压值，所述侦测控制器依据所述默认电压值提供一第一数字讯号给所述第一电子开关，使所述第一电子开关呈导通状态。3.根据权利要求2所述的谐振控制装置，其特征在于:更包含一讯号控制器，其系具有第一端与第二端，所述第一端电性连接所述侦测控制器，并透过一电隔离器电性连接所述第一电子开关，所述电隔离器阻挡所述高电压端之高电压通往所述讯号控制器，所述第二端电性连接所述第二电子开关，所述讯号控制器在一时间点于所述第一端产生所述第一数字讯号，并在所述