触摸屏及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及触控技术领域，特别是涉及一种触摸屏及其制备方法。
【背景技术】
[0002]ITOdndium Tin Oxide,氧化铟锡)透明导电薄膜是一种N型半导体材料,其对可见光吸收小，且具有较高的可见光透过率、中远红外波段优良的红外反射性能及微波衰减性能、高机械硬度和良好的化学稳定性，成为了光电器件应用领域非常重要的光学元件。
[0003]传统触摸屏一般是采用透明光学胶(Optically Clear Adhesive, OCA)将盖板玻璃和导电薄膜进行贴合，形成0CA/IT0及0CA/PET界面。但是因为各不同介质界面间存在界面反射，导致触摸屏可视区存在较高的反射，严重影响了面板的显示效果。
【发明内容】
[0004]基于此，有必要针对上述问题，提供一种可以有效减少触摸屏可视区的反射的触摸屏及其制备方法。
[0005]一种触摸屏，包括:
[0006]基材，包括第一表面及背向于所述第一表面的第二表面；
[0007]减反膜，包括至少一高折射率层及至少一低折射率层，所述高折射率层与所述低折射率层在所述基材的第一表面依次交替层叠；
[0008]导电层，设置于所述减反膜背向于所述第一表面的表面，使所述减反膜位于所述导电层与所述基材之间。
[0009]在其中一个实施例中，所述高折射率层的材质为五氧化二铌、二氧化钛、三氧化二铝、硫化锌、三氧化二钇或二氧化锆，所述低折射率层的材质为二氧化硅。
[0010]在其中一个实施例中，所述减反膜包括一层五氧化二铌层和两层二氧化硅层，五氧化二铌层位于两层二氧化硅层之间。
[0011]—种触摸屏的制备方法，包括以下步骤:
[0012]提供基材，所述基材包括第一表面及背向于所述第一表面的第二表面；
[0013]在所述基材的第一表面形成减反膜，所述减反膜包括至少一高折射率层及至少一低折射率层，所述高折射率层与所述低折射率层依次交替层叠；
[0014]在所述减反膜背向于所述第一表面的表面形成导电层，使所述减反膜位于所述导电层与所述基材之间。
[0015]在其中一个实施例中，所述高折射率层的材质为五氧化二铌、二氧化钛、三氧化二铝、硫化锌、三氧化二钇或二氧化锆，所述低折射率层的材质为二氧化硅。
[0016]在其中一个实施例中，所述步骤“在所述基材的第一表面形成减反膜，所述减反膜包括至少一高折射率层及至少一低折射率层，所述高折射率层与所述低折射率层依次交替层叠”具体包括:
[0017]在所述基材的第一表面采用真空镀膜的方式形成一层二氧化硅层；
[0018]在所述二氧化硅层背向于所述第一表面的一面采用真空镀膜的方式形成一层五氧化二铌层；
[0019]在所述五氧化二铌层背向于所述二氧化硅层的一面采用真空镀膜的方式形成一层二氧化硅层。
[0020]在其中一个实施例中，所述步骤“在所述基材的第一表面采用真空镀膜的方式形成一层二氧化硅层”及步骤“在所述五氧化二铌层背向于所述二氧化硅层的一面采用真空镀膜的方式形成一层二氧化硅层”具体均包括:
[0021]采用二氧化硅作为靶材，纯度为90.00%?99.99%，靶材直径为1cm?12cm，溅射镀膜时二氧化硅靶材距基材距离为4cm?6cm，镀膜时的本底真空度为1.0X 10 3Pa?2.0X10 3Pa,溅射气压为0.8Pa?1.2Pa，工作气体为氧气和氩气混合气体，射频电源功率为 0.8kff ?1.2kff0
[0022]在其中一个实施例中，所述步骤“在所述二氧化硅层背向于所述第一表面采用真空镀膜的方式形成一层五氧化二铌层”具体包括:
[0023]采用金属铌作为靶材，纯度为90.00%?99.99%，靶与基材的距离为1cm?12cm，溅射功率为3.5kff?4.0kff,溅射前真空腔的气压为2.0 X 10 4Pa?5.0 X 10 4Pa,溅射过程中以氩气作为工作气体，氧气作为反应气体，真空气压为0.2Pa?IPa。
[0024]在其中一个实施例中，所述步骤“在所述减反膜背向于所述第一表面的表面形成导电层”具体包括:
[0025]采用真空镀膜的方式在所述减反膜背向于所述第一表面的表面形成ITO导电层，所用的ITO靶材组成包括In2O3和SnO2, In2O3含量为80 %?90 %，纯度为90.00 %?99.99 %，靶材直径为8cm?1cm ;真空镀膜时间为1.5min?2min，镀膜时真空度为1.0X10 3Pa ~ 2.0X10 3Pa,氩气压强为 0.3Pa ?IPa，氩气流量为 12.0cmVmin ?15cm3/min，溅射功率为120W?180W，常温条件下实现镀膜，镀膜时间为1.5min?2min。
[0026]在其中一个实施例中，在所述第一表面形成导电层步骤之前还包括对基材进行清洗的步骤，具体包括:
[0027]丙酮超声清洗,时间为5min?1min,以去除基材表面的油脂；
[0028]乙醇超声清洗，时间为2min?5min，以去除基材表面的残余丙酮；
[0029]第一次去离子水冲洗，时间为2min?5min，以去除基材表面的残留乙醇；
[0030]将基材置于1#液中以110°C?130°C煮洗，直至H2O2完全挥发，溶液冒白烟，以去除基材表面的有机物，所述1#液为质量配比为硫酸:H202 = 3:1的溶液；
[0031]第二次去离子水冲洗，时间为1min?15min ；
[0032]将基材置于2#液中以75°C?85°C煮洗，时间为1min?20min，利用氨水络合作用去除重金属杂质，所述2#液为质量配比为氨水=H2O2:H20 = I:1:6的溶液；
[0033]第三次去离子水冲洗，时间为5min?1min ；
[0034]将基材置于3#液中以75°C?85°C煮洗，煮至H2O2完全挥发，以去除基材表面的金属离子，所述3#液为质量配比为HCl =H2O2 =H2O = I:1:6的溶液；
[0035]第四次去离子水冲洗，时间为5min?1min ；
[0036]将基材置于10%的氢<氟酸中煮洗,时间为5s?1s,以去除基材表面氧化层；
[0037]第五次去离子水冲洗，时间为20min ；
[0038]清洗后的基材在氮气氛围中利用红外灯加热烘干，时间为Ih?2h，烘干后在氮气氛围中保存备用。
[0039]上述触摸屏，由于在基材及导电层之间设置了减反膜层结构，避免了形成0CA/IT0及0CA/PET界面，有效减少了反射；而且减反膜包括依次交替层叠的至少一高折射率层和至少一低折射率层，增大了导电层的光透过率，进一步有效减少了触摸屏可视区的反射，消除了可视区与非可视区的色差，提升了显示品质。
[0040]上述触摸屏的制备方法，通过在基材及导电层之间形成减反膜，避免了形成OCA/ITO及0CA/PET界面，有效减少了反射；而且减反膜包括依次交替层叠的至少一高折射率层和至少一低折射率层，可从根本上改变导电层与基材之间的干涉条件，提高触摸屏的光透过率，有效减少了触摸屏可视区的反射，消除了可视区与非可视区的色差，提升了显示品质。
【附图说明】
[0041]图1为一实施方式中触摸屏的结构示意图；
[0042]图2为传统触摸屏的反射率(曲线I)与增设减反膜后的触摸屏(曲线2)的反射率曲线对比图，其中横轴的参数表示波长，纵轴的参数表示反射率；
[0043]图3为一实施方式中触摸屏的制备方法的流程示意图；
[0044]图4为图3中步骤S120的具体操作流程示意图；
[0045]图5为图3中步骤S130的具操作流程示意图。
【具体实施方式】
[0046]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本