一种非易失存储器的数据恢复方法和装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体存储器技术领域，特别是涉及一种非易失存储器的数据恢复方法和装置。
【背景技术】
[0002]随着各种电子装置及嵌入式系统的迅速发展和广泛应用，如计算机、个人数字助理、移动电话、数字相机等，大量需要一种能多次编程，容量大，读写、擦除快捷、方便、简单，外围器件少，价格低廉的非易失性(在无电源供应情况下的数据保持性)的存储器件。非易失性存储器件就是在这种背景需求下应运而生的。一个非易失存储器由存储单元(cell)组成，一个存储单元可以包括源极(S，source)，漏极(D，drain)，栅极(G，gate)，p型衬底(pwell)，控制栅(CG，ControlGate)以及浮栅(FG，floating gate)，FG 可用于接电压。
[0003]参见图1，示出了现有技术一种NOR Flash存储数据的结构示意图，其中，通过四端的浮栅来存储数据，浮栅中存储的电荷量表示存储的信息，较多电荷量时表示存“0”，较少电荷量时表示存“I”，在断电的时候也不会丢失数据。但是，在NOR Flash执行擦除指令的过程中，可能会因为擦除应力导致不必要的存储单元产生电压阈值退化。
[0004]为了解决上述问题，现有方案在对NOR Flash执行擦除指令的过程中执行数据恢复(Recovery)操作，旨在防止因擦除应力导致不必要的存储单元产生阈值退化。
[0005]然而，随着时间的推移，由于存储单元不具有理想的数据保持能力，浮栅中的电子会不断地从沟道漏走，而电荷数目的减少会引起阈值电压的降低。这样，对于长久未进行擦除的块，其中的存储单元可能会产生明显的电压阈值退化，当对这些块进行读操作时，丢失了大量浮栅电荷的单元存储的信息就会由“O”变成“1”，从而可能引起存储信息的误读，影响NOR Flash数据的可靠性。
【发明内容】
[0006]本发明实施例所要解决的技术问题是提供一种非易失存储器的数据恢复方法和装置，能够提高长期未进行擦除和数据恢复的区域中存储单元的数据可靠性，延长Flash的使用寿命。
[0007]为了解决上述问题，本发明公开了一种非易失存储器的数据恢复方法，包括:
[0008]在对非易失存储器中存储单元的读取操作的数据输出阶段，对所述读取操作对应存储单元进行数据恢复操作。
[0009]优选地，所述在对非易失存储器中存储单元的读取操作的数据输出阶段，对所述读取操作对应存储单元进行数据恢复操作的步骤，包括:
[0010]针对所述读取操作对应存储单元，从中寻找待恢复的存储单元；
[0011 ] 对所述待恢复的存储单元进行数据恢复。
[0012]优选地，所述针对所述读取操作对应存储单元，从中寻找待恢复的存储单元的步骤，包括:
[0013]分别利用灵敏放大器比较所述读取操作对应存储单元的阈值电压与第一参考电压和第二参考电压的大小；
[0014]当所述阈值电压介于所述第一参考电压和所述第二参考电压之间时，确定所述读取操作对应存储单元为待恢复的存储单元。
[0015]优选地，所述第一参考电压稍小于编程单元O的阈值电压，所述第二参考电压大于编程单元O的阈值电压。
[0016]优选地，所述方法还包括:
[0017]当所述存储单元的读取操作的数据输出完成时，停止对所述读取操作对应存储单元进行数据恢复操作。
[0018]依据本发明的另一方面，提供了一种非易失存储器的数据恢复装置，包括:
[0019]数据恢复模块，用于在对非易失存储器中存储单元的读取操作的数据输出阶段，对所述读取操作对应存储单元进行数据恢复操作。
[0020]优选地，所述数据恢复模块，包括:
[0021]确定单元，用于针对所述读取操作对应存储单元，从中寻找待恢复的存储单元；
[0022]恢复单元，用于对所述待恢复的存储单元进行数据恢复。
[0023]优选地，所述确定单元，包括:
[0024]比较子单元，用于分别利用灵敏放大器比较所述读取操作对应存储单元的阈值电压与第一参考电压和第二参考电压的大小；
[0025]确定子单元，用于当所述阈值电压介于所述第一参考电压和所述第二参考电压之间时，确定所述读取操作对应存储单元为待恢复的存储单元。
[0026]优选地，所述第一参考电压稍小于编程单元O的阈值电压，所述第二参考电压大于编程单元O的阈值电压。
[0027]优选地，所述装置还包括:
[0028]终止模块，用于当所述存储单元的读取操作的数据输出完成时，停止对所述读取操作对应存储单元进行数据恢复操作。
[0029]与现有技术相比，本发明实施例包括以下优点:
[0030]本发明在对非易失存储器中存储单元的读取操作的数据输出阶段，对所述读取操作对应存储单元进行数据恢复操作；WFlash为例，由于Flash的读操作频率远远大于擦除操作频率，因此，在对非易失存储器中存储单元的读取操作的数据输出阶段进行数据恢复，可以提高长期未进行擦除和数据恢复的区域中存储单元的数据可靠性，延长了 Flash的使用寿命。
【附图说明】
[0031]图1示出了现有技术一种NOR Flash存储数据的结构示意图；
[0032]图2示出了本发明的一种对读取操作对应存储单元进行数据恢复操作的步骤流程图；
[0033]图3示出了本发明的一种对待恢复的存储单元施加应力电压的示意图；
[0034]图4示出了本发明的一种非易失存储器的数据恢复方法实施例三的步骤流程图；
[0035]图5示出了本发明的一种非易失存储器的数据恢复方法实施例四的步骤流程图；以及
[0036]图6示出了本发明一种非易失存储器的数据恢复装置的数据恢复模块结构框图。
【具体实施方式】
[0037]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0038]实施例一
[0039]本发明提供的一种非易失存储器的数据恢复方法，具体可以包括如下步骤:
[0040]在对非易失存储器中存储单元的读取操作的数据输出阶段，对所述读取操作对应存储单元进行数据恢复操作。
[0041]本发明实施例可以应用于计算机、个人数字助理、移动电话、数字相机等各种使用非易失存储器的电子装置中，用以提高相应电子装置数据存储的可靠性。
[0042]现有方案在对Flash执行擦除指令的过程中增加数据恢复操作，旨在防止因擦除应力导致不必要的存储单元产生阈值退化，然而，对于长期未进行擦除和数据恢复的区域中存储单元的数据可靠性并不能得到保证。
[0043]本发明在对非易失存储器中存储单元的读取操作的数据输出阶段，对所述读取操作对应存储单元进行数据恢复操作；WFlash为例，由于Flash的读操作频率远远大于擦除操作频率，因此，在对非易失存储器中存储单元的读取操作的数据输出阶段进行数据恢复，可以提高长期未进行擦除和数据恢复的区域中存储单元的数据可靠性，延长了 Flash的使用寿命。
[0044]实施例二
[0045]本实施例的非易失存储器的数据恢复方法在上述实施例一的基础上，进一步还可以包括如下可选技术方案。
[0046]所述在对非易失存储器中存储单元的读取操作的数据输出阶段，对所述读取操作对应存储单元进行数据恢复操作的步骤，具体可以包括:
[0047]步骤201、针对所述读取操作对应存储单元，从中寻找待恢复的存储单元；
[0048]本发明是在对非易失存储器中存储单元的读取操作的数据输出阶段进行数据恢复操作的，假设读取操作对应存储单元位于一块读取区域，那么，待恢复的存储单元也位于该块读取区域，步骤201则是从该块读取区域中寻找待恢复的存储单元。
[0049]首先说